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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811137035.4有效
发明人：林永隆;萧豪毅;黄志辉;曾国华;周正贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置的制造方法。本发明实施例提供一种用于晶片接合的方法，其包含：提供晶片；在第一晶片的顶表面上形成牺牲层；修整所述第一晶片的边缘以获得第一晶片面积；清洁所述第一晶片的所述顶表面；去除所述牺牲层；和将所述第一晶片的所述顶表面接合到第二晶片，所述第二晶片具有大于所述第一晶片面积的第二晶片面积。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于沉积薄膜的方法及系统-CN202210015166.5在审
发明人：李昇展;陈昇照;周正贤;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统包括位于晶片上方且配置成在薄膜沉积工艺期间产生等离子体的顶板。所述系统包括配置成生成表示位于晶片及顶板之间的间隙的传感器信号的间隙传感器。所述系统包括配置成在薄膜沉积工艺期间响应传感器信号来调整间隙的控制系统。
用于沉积薄膜方法系统

[实用新型]一种移动存储装置-CN202222144062.2有效
发明人： 周正贤;琚兆锋 -专利权人：深圳豪杰创新电子有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01R35/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种移动存储装置，涉及移动存储技术领域。移动存储装置包括壳体、第一接头组件和第二接头组件。壳体具有一端开口的容纳腔，且开设有容纳槽；第一接头组件的外形与容纳槽相适配，第一接头组件与壳体铰接；第二接头组件的一部分设置于容纳腔内，且与第一接头组件电连接。本实用新型提供的移动存储装置，能够与不同接口类型的终端设备连通，既省去了转接头，又便于携带。
一种移动存储装置

[实用新型]一种移动存储器-CN202222133204.5有效
发明人： 周正贤;琚兆锋 -专利权人：深圳豪杰创新电子有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种移动存储器，属于可移动存储技术领域。移动存储器包括存储器本体、UDP封装基板和插头。存储器本体内形成有收容腔，存储器本体上开设有与收容腔连通的敞口，UDP封装基板设置于收容腔内，UDP封装基板的表面设置有金手指，插头位于敞口内，插头的一端凸出于敞口，另一端位于收容腔内且形成具有弹性的引脚，引脚与金手指弹性接触，以使插头与UDP封装基板电连接。本申请提供的移动存储器，插头的引脚与UDP封装基板的金手指之间通过弹性接触实现电连接，引脚能够依靠自身弹力与金手指贴合，实现插头与UDP封装基板的导通连接，不易对UDP封装基板造成损伤，且实现方式简单，降低了生产成本，提高了产品竞争力。
一种移动存储器

[外观设计]U盘（SUC05）-CN202230587838.0有效
发明人：琚兆锋;周正贤 -专利权人：深圳豪杰创新电子有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 14-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：U盘（SUC05）。2.本外观设计产品的用途：用于数据存贮和读取。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图2。
suc05

[外观设计]U盘（M107）-CN202230542330.9有效
发明人：琚兆锋;周正贤 -专利权人：深圳豪杰创新电子有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： 14-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：U盘（M107）。2.本外观设计产品的用途：用于储存信息的U盘。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
m107

[发明专利]抛光系统及用于工件的化学机械抛光的方法-CN202210445941.0在审
发明人：林永隆;吴国铭;周正贤;陈奕男;陈升照;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件。跨及第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。
抛光系统用于工件化学机械抛光方法

[发明专利]一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路-CN202210091182.2在审
发明人：陈惠鹏;周正贤;张翔鸿;凌永杰;陈耿旭;杨倩;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路，用于显示驱动电路的导电丝型人工神经元器件为夹层结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、顶部金属电极层，所述底部金属电极层为惰性导体材料，所述绝缘层为离子可迁移的绝缘材料，所述顶部金属电极层为活泼金属材料。发光模块，由第一发光器件、第二发光器件、第三发光器件及第四发光器件组成，均为单向导电器件。分别连接所述导电丝型人工神经元器件以及公共接地电压。应用本技术方案可实现在电路设计上减少了3/4的接线面积，从而达到短路径长度和高驱动集成度的目的。将其应用于显示驱动电路，扩大了神经形态器件的应用领域，并改进了常规的显示驱动电路。
一种导电人工神经元驱动基本显示电路

[发明专利]形成集成芯片的方法及处理工具-CN202110507092.2在审
发明人：李升展;周正贤;陈升照;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种形成集成芯片的方法包括在半导体晶片的中心区之上形成多个半导体器件。半导体晶片包括在侧向上环绕中心区的外围区及设置在外围区内的圆周边缘。半导体晶片包括沿着圆周边缘设置的缺口。在半导体器件之上形成层间介电(ILD)层堆叠，且ILD层堆叠在侧向上设置在中心区内。在外围区之上形成接合支撑结构，使得接合支撑结构包括沿着接合支撑结构的圆周边缘设置的接合结构缺口。形成接合支撑结构包括将半导体晶片设置在下部等离子体禁区(PEZ)环之上，所述下部等离子体禁区(PEZ)环包括沿着下部PEZ环的圆周边缘设置的PEZ环缺口。
形成集成芯片方法处理工具

[发明专利]集成芯片、图像传感器及其形成方法-CN202110505958.6在审
发明人： 周正贤;李升展;王子睿;陈升照 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶片、图像传感器及其形成方法。图像传感器包括衬底。光检测器位于衬底中且包含延伸到衬底的第一侧中的半导体保护环。浅沟槽隔离结构延伸到衬底的第一侧中。外部隔离结构延伸到与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧中到达浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构和外部隔离结构横向包围光检测器。内部隔离结构延伸到衬底的第二侧中且上覆光检测器。内部隔离结构通过衬底与光检测器竖直分离。此外，外部隔离结构横向包围内部隔离结构。
集成芯片图像传感器及其形成方法

[发明专利]集成电路、像素传感器及其形成方法-CN202110493803.5在审
发明人： 周正贤;李名哲;陈升照 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种集成电路、像素传感器及其形成方法。像素传感器包含衬底，所述衬底具有与背侧相对的前侧。图像传感器元件包括设置在衬底内的有源层，其中有源层包括锗。抗反射涂层(ARC)结构上覆于衬底的背侧。ARC结构包含上覆于衬底的背侧的第一介电层、上覆于第一介电层的第二介电层以及上覆于第二介电层的第三介电层。第一介电层的第一折射率小于第二介电层的第二折射率且第三介电层的第三折射率小于第一折射率。
集成电路像素传感器及其形成方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202110418756.8在审
发明人：吴国铭;李名哲;萧豪毅;周正贤;陈升照;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的后侧表面之上形成保护性材料层。可移除第二半导体衬底的位于晶片间壕沟沟槽外的外围部分，并且保护性材料层的圆柱形部分在侧向上环绕结合总成的其余部分。在保护性材料层的圆柱形部分保护结合总成的其余部分的同时，可通过执行至少一个薄化工艺将第二半导体衬底薄化到第二厚度。
形成半导体结构方法

[发明专利]制造半导体配置的方法-CN202110418859.4在审
发明人：李名哲;陈升照;周正贤;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区以及第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第一分子键；以及使第一晶片以及第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第二分子键。
制造半导体配置方法

[发明专利]晶圆接合结构及其形成方法-CN201910164096.8有效
发明人：吴国铭;周正贤;蔡正原;李昇展;萧豪毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶圆接合结构及其形成方法。晶圆接合结构的形成方法包括形成第一晶圆以及将第二晶圆接合到第一晶圆的接合介电层及接合垫。形成第一晶圆包括以下工艺。提供半导体结构，半导体结构的边缘具有第一塌边区域。形成附加介电层，以填补第一塌边区域。在半导体结构及附加介电层上形成具有开口的接合介电层。形成导电层于接合介电层上并填入开口中，其中在附加介电层上方的导电层具有凸起。进行移除工艺，以移除位于接合介电层上的导电层，余留在开口中的导电层形成接合垫，其中移除工艺包括平坦化工艺，且凸起被平坦化工艺移除。
接合结构及其形成方法

[发明专利]气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法-CN201811440405.1有效
发明人：黄志辉;李升展;周正贤;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例涉及气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种成膜设备包含反应室、安置于所述反应室内部并经配置以支撑衬底的底座，及在所述底座上方的气体簇射头。所述气体簇射头包含多个第一孔及安置于所述气体簇射头的圆周与所述第一孔之间的多个第二孔。所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分。所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分。所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。
气体簇射头设备以及用于形成半导体结构方法

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