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[发明专利]具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法-CN202110956607.7在审
发明人：蒲涛飞;李柳暗;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本发明提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。
具有混合电极结构氮化镓常关型器件及其制备方法

[实用新型]一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件-CN202121958168.5有效
发明人：蒲涛飞;李柳暗;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本实用新型提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。
一种具有混合电极结构氮化镓常关型器件

[发明专利]一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法-CN201510532352.6有效
发明人：贾护军;罗烨辉;马培苗;杨志辉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同
一种具有部分下沉沟道 sic 金属半导体场效应晶体管

[发明专利]T形栅结构的光刻方法-CN201510998114.4有效
发明人：杨琪;强欢 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种T形栅结构的光刻方法。其包括：在衬底表面涂布光刻胶，并进行烘烤后得到栅脚层；对栅脚层进行光刻、烘烤和显影后形成栅脚凹槽；在栅脚层及栅脚凹槽表面涂布非感光材料，并进行烘烤后得到隔离层，其中，隔离层与栅脚层在烘烤时形成交链层；对隔离层进行显影后在栅脚凹槽中形成栅脚结构；对栅脚层进行干法蚀刻得到覆盖栅脚层及交链层表面的聚合物阻挡层；在聚合物阻挡层上再次涂布光刻胶，并进行烘烤后得到栅帽层；对栅帽层进行光刻、烘烤和显影后形成栅帽凹槽，其中，栅帽凹槽的侧壁垂直于衬底表面；对栅帽层进行烘烤，使栅帽凹槽的侧壁与衬底表面形成夹角。
结构光刻方法

[发明专利]T形栅结构的光刻方法-CN201510395350.7有效
发明人：徐勇 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种T形栅结构的光刻方法。其包括：在晶圆的衬底表面涂布投影式光刻胶，并进行烘烤后得到栅脚层；对栅脚层进行投影式光刻、烘烤和显影后形成栅脚凹槽；在栅脚层表面涂布非感光材料，并进行烘烤后得到隔离层，栅脚凹槽边缘处的隔离层与栅脚层在烘烤时发生反应形成耐显影物质薄层；对隔离层进行显影后在栅脚凹槽中形成栅脚结构，其中，耐显影物质薄层在显影时保留；在隔离层上再次涂布投影式光刻胶，并进行烘烤后得到栅帽层；对栅帽层进行投影式光刻、烘烤和显影后在栅帽层上形成栅帽凹槽，其中，栅帽凹槽的侧壁垂直于衬底表面；对栅帽层进行烘烤，使栅帽凹槽的侧壁与衬底表面形成夹角。
结构光刻方法

[发明专利]一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法-CN202210529732.4在审
发明人：崔鹏;陈思衡;韩吉胜;徐现刚;林兆军;徐明升;崔潆心;钟宇;李树强;展杰 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法，InAlN/GaNHEMT包括Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极，且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间，双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽，两个栅根平行设置在栅帽的下方，且栅根设置在GaN帽层上。本申请提供的双栅根型栅结构可以支撑更大的栅帽，增大栅极面积，降低器件的栅电阻，提高InAlN/GaN HEMT的开关电流比，抑制漏致势垒降低效应，提高功率增益截止频率。
一种功率增益截止频率 inaln gan hemt 及其制备方法

[发明专利]一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法-CN202210769785.3在审
发明人：张鹏;李苗;朱青;马晓华;刘加志 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法，包括：选取半导体层；在半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层；在第一光刻胶层和栅脚区上制备金属层；在金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层，栅帽区通过光刻曝光显影出金属层；在栅帽区制备栅帽；去除第二光刻胶层；去除栅帽两侧位于第一光刻胶层上的金属层；去除第一光刻胶层，以制备T型栅结构。本发明采用薄胶，不仅提高了光刻分辨率，而且可以做出尺寸更小的栅脚。尺寸小的栅极可以使器件频率得到大幅度的提升，满足器件在毫米波以上频段的使用。
一种基于步法制作制作方法

[发明专利]带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法-CN201110257607.4有效
发明人：宋坤;柴常春;杨银堂;张现军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于该平台之上。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长P型缓冲层、N型沟道层、N型栅下缓冲层；对栅下缓冲层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层；刻蚀掉栅下缓冲层位于栅源之间和栅漏之间的部分；在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在栅下缓冲层上制作栅电极。
带栅下缓冲结构金属半导体场效应晶体管制作方法

[发明专利]具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管-CN202111210244.9在审
发明人：贾护军;张云帆;朱顺威;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。
具有掺杂凹陷缓冲 sic 金属半导体场效应

[发明专利]一种具有介电支撑层的T形栅及其制备方法-CN202310227204.8在审
发明人：向诗力;柳俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有介电支撑层的T形栅及其制备方法，上述的具有介电支撑层的T形栅包括：衬底、介电支撑层、栅脚及栅帽；栅脚的一端与衬底的上表面连接，栅脚的另一端与栅帽的底面中部区域连接，栅帽与栅脚构建形成T形结构；介电支撑层设于栅帽的下表面与衬底的上表面之间；介电支撑层与栅脚平行布设，用于支撑栅帽和栅脚。该具有介电支撑层的T形栅的引入使得可定义的栅脚宽度尺寸相较于现有技术可以做到更小，还能对栅脚和栅帽起到一定的稳定支撑的作用，使整体结构在使用过程中不易坍塌，提高了T形栅器件的机械稳定性和工艺良率；同时，
一种具有支撑及其制备方法

[发明专利]具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件-CN202011521501.6有效
发明人：张鹏;陈俊文;马晓华;王明飞;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。
具有支撑结构及其制备方法半导体功率器件

[发明专利]P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法-CN201810709666.2有效
发明人：王冲;黄泽阳;何云龙;郑雪峰;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种P‑GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法，包括步骤：在基片上依次生长GaN层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结；在异质结上生长P‑GaN帽层；对异质结进行台面隔离和刻蚀，形成栅鳍；在P‑GaN帽层以及异质结表面形成栅极区掩膜图形，刻蚀除栅极区掩膜图形以外的P‑GaN帽层；在异质结两侧制作源、漏电极；在P‑GaN帽层的区域淀积栅金属，形成FinFET栅结构栅电极，其中，栅金属覆盖在P‑GaN帽层顶部及侧壁，覆盖异质结的侧壁；制作电极引线。该器件及制作方法采用P‑GaN帽层结构，结合三维栅控的FinFET结构，增强器件的跨导和栅控能力，提高了器件的阈值电压和稳定性。
gan finfet 增强器件制作方法

[发明专利]增强型GaNHEMT的制备方法-CN201711220165.X在审
发明人：张韵;杨秀霞;张连;程哲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层；在所述p型帽层上制备掩膜层；图形化掩膜层，露出栅区部分的p型帽层，形成样品；在样品露出的p型帽层上外延p型层，形成p型栅，即选区二次外延p型栅；去除掩膜层；在p型帽层的两侧向下刻蚀，刻蚀深度到达沟道层内，在沟道层的两侧构成台面，形成台面隔离；在p型栅的两侧的p型帽层上制备源电极和漏电极，退火；在所述p型栅上制备栅电极，形成器件；在器件上制备钝化层，所述钝化层的厚度高于p型栅，并将源电极、漏电极和栅电极区域的钝化层开口，即暴露出源电极、漏电极和栅电极，完成制备。
增强 ganhemt 制备方法

[发明专利]T型栅制备方法-CN201810519181.7在审
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种T型栅制备方法，包括：形成势垒层；在所述势垒层上形成深紫外光刻胶层,并在所述光刻胶层形成栅根凹槽；在所述栅根凹槽内和所述深紫外光刻胶层上形成金属层；在所述金属层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层形成栅帽图形；刻蚀未被所述栅帽图形覆盖部分的金属层；去除所述深紫外光刻胶层和栅帽图形光刻胶。上述T型栅制备方法，可以使T型栅的线宽小于100纳米同时又提高了的T型栅的制备效率。并且由于栅帽与势垒层之间不存在介质，具有较小的栅极电容，提高了半导体器件的性能。
栅帽制备深紫外光刻光刻胶层金属层势垒层胶层半导体器件图形覆盖栅极电容图形光刻蚀去除线宽

[发明专利]具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管-CN201410587447.3在审
发明人：贾护军;张航;刑鼎 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极与源极帽层之间形成凹陷栅源漂移区，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P型缓冲层的上端面靠近源极帽层处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层一侧设有两个台阶
具有阶梯缓冲结构 sic 金属半导体场效应晶体管

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