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[发明专利]NOR闪存及其制作方法-CN201711392316.X在审
发明人：蔡彬;陈昊瑜;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR闪存及其制作方法，该闪存包括存储单元，其包括层叠的栅极结构，该结构依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌该制作方法，包括在晶圆上形成存储单元的步骤，完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤；对晶圆进行第一次快速热处理，使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤；通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤；对晶圆进行第二次快速热处理，使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑，形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。本发明能够改善NOR闪存的存储单元中浮栅的抗串扰性能，提高NOR闪存的可靠性。
浮栅存储单元边角晶圆形貌圆滑二氧化硅薄膜快速热处理隧穿氧化层制作层间介质层边缘形成界面形成湿法刻蚀栅极结构抗串扰控制栅外延层自对准刻蚀去除闪存源极离子尖锐

[发明专利]纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法-CN200910077724.5无效
发明人：刘明;刘璟;王琴;胡媛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多值存储功能的纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法。该包存储器括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的、由SiO2材料介质和高k材料介质自下而上构成的复合隧穿层；在复合隧穿层上覆盖的第一纳米晶浮栅层；在第一纳米晶浮栅层覆盖的用作双层纳米晶间阻挡层的阻挡层介质；在阻挡层介质上覆盖的第二纳米晶浮栅层；在第二纳米晶浮栅层上覆盖的由高k材料或SiO2材料构成的控制栅介质层；以及在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。本发明提高了浮栅非易失存储器的集成密度，综合改善了其存储性能：提高了编程/擦除速度和耐受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗。
纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法

[发明专利]浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法-CN201310365627.2有效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法，所述浮栅的形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成浮栅层；在所述浮栅层掺入氟离子；进行退火处理。本发明提供的浮栅的形成方法通过在所述浮栅层掺入氟离子，并进行退火处理激活所述氟离子，使所述氟离子与位于多晶硅晶界处的活跃硅原子发生反应，达到钝化晶界处硅原子的效果，从而提高后续利用所述浮栅形成的闪存单元的数据保存性能
及其形成方法闪存单元

[发明专利]半导体存储器及其制造方法-CN201210035735.9无效
发明人：霍宗亮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，包括：衬底；衬底上的隧穿层；隧穿层上的浮栅和控制栅，以及浮栅和控制栅之间的阻挡层；其中，所述浮栅采用单晶或微晶半导体材料。单晶或微晶具有致密的结构，有效避免了掺杂通过晶粒间隙在多晶硅浮栅中的扩散，提高了存储器件的性能和可靠性，而且单晶或微晶的浮栅更易于在其上形成均匀、高质的阻挡层，进一步提高存储器的可靠性。
半导体存储器及其制造方法

[发明专利]多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法-CN200710121367.9无效
发明人：王琴;管伟华;刘琦;胡媛;李维龙;龙世兵;贾锐;陈宝钦;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及非挥发性存储器技术领域，公开了一种多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器，包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底11；在半导体衬底11中掺杂形成源极9和漏极10；在源极9和漏极10之间的沟道12；位于沟道12上的隧穿氧化层13；用于控制多层纳米晶浮栅结构氧化的控制氧化层14；位于控制氧化层14上的栅电极16；位于隧穿氧化层13与控制氧化层14之间的多层纳米晶浮栅结构15，用于作为非挥发性存储器的浮栅存储单元本发明同时公开了一种制备多层纳米晶浮栅结构非挥发性存储器的方法。本发明解决单层纳米晶浮栅存储器的编程时间/电压与存储时间之间的矛盾，在较短的编程时间前提下提升器件的存储时间。
多层纳米晶浮栅结构挥发性存储器及其制备方法

[发明专利]半浮栅器件的制造方法-CN202110609131.X在审
发明人：刘珩;陆连;杨志刚;冷江华;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种半浮栅器件的制造方法，半浮栅器件的栅极结构包括浮栅结构，叠加在浮栅结构顶部的第一控制栅以及跨越浮栅结构和第一控制栅的台阶的第二控制栅，第二控制栅的第二金属栅采用后栅工艺形成，浮栅结构的浮栅多晶硅层会填充栅极沟槽和介质层窗口，浮栅多晶硅层和后栅工艺中的第三非晶硅伪栅都进行如下平坦化工艺，包括：步骤1、沉积研磨停止层。步骤4、采用刻蚀工艺对研磨层、研磨停止层和硅不平坦表面底部的浮栅多晶硅层或第三非晶硅伪栅进行刻蚀并停止在所需的高度。本发明能实现具有双控制栅的半浮栅器件从而能使器件实现同时读写，而且能实现很好的平坦化效果。
半浮栅器件制造方法

[发明专利]一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法-CN200710178778.1无效
发明人：龙世兵;刘明;贾锐;陈宝钦;王琴;涂德钰;胡媛;管伟华;刘琦;李维龙;王永;杨潇楠;张森 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器，包括：硅衬底1、位于硅衬底1上两侧重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧穿介质层2上的金属纳米晶浮栅层3、覆盖在金属纳米晶浮栅层3上的控制栅介质层4，以及覆盖在控制栅介质层4上的栅电极材料层5。本发明同时公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器的制作方法。利用本发明，降低了浮栅结构非挥发性存储器的编程/擦除电压和操作功耗，提高了编程/擦除操作速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，提高了器件的集成度，并简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率
一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法

[发明专利]一种3D无结增强型浮栅存储器及其制备方法-CN202210011980.X在审
发明人：马忠元;于心月;朱旭;陈坤基;徐骏;徐岭;李伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D无结增强型浮栅存储器及其制备方法，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅环绕层作为存储器件沟道，通过控制非晶硅环绕层的周长可以实现增强型沟道，所述非晶硅环绕层的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，以及环绕在非晶硅侧壁的纳米硅浮栅层，所述纳米硅浮栅存储由隧穿层、纳米硅层和氮化硅控制层组成；在控制层表面沉积金属层，形成栅电极；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，非晶硅层无须掺杂就可以实现增强特性，降低工艺成本，纳米硅浮栅存储器由于其分立电荷存储的优势，在写入和擦除过程中电荷可以独立存储在彼此分立的纳米硅中，另外纳米硅浮栅存储器的隧穿层较薄，可以在较小的工作电压下完成写入和擦除的工作，实现低功耗。
一种增强型浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法-CN200710122479.6无效
发明人：胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底1上重掺杂的源导电区7和漏导电区8、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO₂材料隧穿介质层2，SiO₂材料隧穿介质层2上覆盖的高k材料隧穿介质层3、高k材料隧穿介质层3上覆盖的纳米晶浮栅层4、纳米晶浮栅层4上覆盖的SiO₂或高k材料控制栅介质层5，以及控制栅介质层5上覆盖的栅材料层6。同时公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器的制作方法。本发明改善了浮栅结构非易失存储器的性能，提高了编程/擦除速度、耐受性和保持特性，降低了编程/擦除的电压和功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾。
双层介质结构纳米晶浮栅非易失存储器制作方法

[发明专利]利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法-CN200710099544.8无效
发明人：胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底上重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的高k材料隧穿介质层2、隧穿介质层上覆盖的纳米晶浮栅层3、纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或SiO₂材料控制栅介质层4以及控制栅介质层上覆盖的栅材料层5。同时公开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器的制作方法。利用本发明，提高了浮栅非易失存储器的编程/擦除速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，降低了编程/擦除电压、操作时间和操作功耗，较好折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，制作工艺简单
利用介质纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法

[发明专利]多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法-CN200710121370.0无效
发明人：胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶浮栅存储器，包括：硅衬底、硅衬底上重掺杂的源和漏导电区、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO₂材料介质/高k材料介质/高k或SiO₂材料介质复合隧穿层、复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或SiO₂材料控制栅介质层、控制栅介质层上覆盖的栅材料层。本发明同时公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶浮栅存储器的制作方法。本发明综合改善了浮栅存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，且制作工艺简单。
介质复合隧穿层纳米晶浮栅存储器及其制作方法

[发明专利]纳米晶分栅式闪存的制造过程-CN201019063030.6有效
发明人：顾靖;张雄;张博;王永 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶分栅式闪存的制造方法，包括如下步骤：提供一单晶硅衬底，形成凸字形结构，在所述凸字形结构的表面上均匀生成一层隧穿介质层，再生成一层纳米晶浮栅层；在所述纳米晶浮栅层的表面均匀淀积高温氧化层；接着，在所述高温氧化层表面均匀生长第一多晶硅层；依次刻蚀掉部分所述第一多晶硅层、所述高温氧化层，所述纳米晶浮栅层以及所述隧穿介质层，暴露出所述源极线和所述氧化物侧墙。所述纳米晶分栅式闪存的制造过程采用所述纳米晶材料可有效提高分栅式闪存的性能，缩小体积、提高循环使用的次数并缩短擦写时间，同时，所述纳米晶分栅式闪存的制造方法简单，集成度高，易于在工厂大规模流水线生产。
纳米晶分栅式闪存制造过程

[发明专利]互补金属氧化物半导体影像感测单元及其制造方法-CN201510202673.X有效
发明人：钟志平;陈名伟;陈敏慧;何明佑 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：所述影像感测单元包括感光二极管、转移栅、重置栅、源极随耦栅、转移栅与重置栅之间的浮漏极区、以及PIP型电容器，其中PIP型电容器的复晶硅下电极与浮漏极区和源极随耦栅电连接，而兼作为浮漏极区和源极随耦栅之间的内连线所述制造方法包括在浮漏极区和源极随耦栅上形成接触窗，然后形成PIP型电容器，其复晶硅下电极与各接触窗连接。
互补金属氧化物半导体影像单元及其制造方法

[发明专利]非挥发存储器的制备方法-CN200810223341.X有效
发明人：朱晨昕;贾锐;陈晨;李维龙;李昊峰;王琴;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。
挥发存储器制备方法

[发明专利]一种改善闪存编程能力的方法-CN201810050666.6有效
发明人：徐杰;黄冲;李志国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善闪存编程能力的方法，包括：在晶圆衬底上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅和氮化硅阻挡层；将浮栅多晶硅上方中间部分的氮化硅阻挡层去掉，保留左右侧的氮化硅阻挡层，再对浮栅多晶硅中间的裸露部分进行斜坡蚀刻；在两阻挡层、浮栅多晶硅上沉积一层隔离层；对晶圆衬底的对应浮栅多晶硅开口处的部分进行离子掺杂形成源线下方的重掺杂区，在切断的浮栅多晶硅旁形成两侧墙，并在侧墙中间空隙中填充多晶硅后进行平坦化；在平坦化后的源线多晶硅上生长一层隔离层，除去浮栅多晶硅上左右侧的氮化硅阻挡层，以浮栅上方的氧化层和源线上的隔离层作为阻挡层对剩余的浮栅多晶硅进行蚀刻得到浮栅；优化浮栅侧壁的粗糙度，得到光滑的侧壁。
一种改善闪存编程能力方法

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