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[发明专利]一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄膜的沉积方法-CN201210046161.5有效
发明人：徐强;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于栅极侧墙的二氧化硅薄膜的沉积方法，包括：提供衬底；将所述衬底放入SACVD设备；在所述衬底上沉积二氧化硅薄膜；对所述二氧化硅薄膜进行去氢处理；重复上述沉积二氧化硅薄膜和去氢处理两个步骤，直至形成预定厚度的二氧化硅薄膜；取出衬底。本发明通过多次沉积和去氢处理的循环方式进行整个二氧化硅薄膜沉积过程，减少了二氧化硅薄膜中氢的含量，提高薄膜密度，改善了侧墙二氧化硅薄膜的性能。
一种用于栅极二氧化硅薄膜沉积方法

[发明专利]二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法-CN202010545225.0有效
发明人：卢经文;冯伟;朱柄宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法，其中所述二氧化硅薄膜的形成方法，在半导体衬底上形成二氧化硅层后，对所述二氧化硅层进行氮化处理，将部分厚度的所述二氧化硅层转化为氮化硅和氮氧化硅的混合层；去除所述混合层，在所述半导体衬底上形成二氧化硅薄膜。通过前述特定步骤的结合使得最后剩余的二氧化硅薄膜的厚度是超薄的，并且形成的二氧化硅薄膜的厚度及厚度均匀性是可控的。
二氧化硅薄膜形成方法金属栅极

[发明专利]一种利用稻壳制备二氧化硅薄膜的新方法-CN201510815073.0在审
发明人：曲玉宁;王志宏;卜建国;孙致远 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用稻壳制备二氧化硅薄膜的新方法，该方法首先以稻壳为原料制备多孔二氧化硅，然后将二氧化硅与醇溶液混合搅拌获得二氧化硅胶体电泳液，通过电泳沉积获得二氧化硅薄膜导电衬底，经热处理即可得到二氧化硅薄膜本发明制得的薄膜材料具有优良的疏水性和透光度，工艺简单，原料价廉易得，降低成本。
一种利用稻壳制备二氧化硅薄膜新方法

[发明专利]一种二氧化硅薄膜的制备方法-CN201410202352.5有效
发明人：赵士超;李玉伟;吕燕飞 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法。二氧化硅薄膜一般是直接生长在目标基底表面，不具有可转移性。本发明制备的二氧化硅生长在基底表面，二氧化硅与基底之间可以分离，分离后二氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的二氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好和可转移性等优点。
一种二氧化硅薄膜制备方法

[发明专利]一种光学滤光片及其应用-CN202210685730.4在审
发明人：张椿英;陈家星;周衍浩;陈鸿飞 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学滤光片及其应用，所述光学滤光片包括：玻璃基板；设置于玻璃基板的一个表面上的增透膜层；光学复合薄膜单元；所述光学复合薄膜单元为多个，叠层设置于玻璃基板的另一个表面上；每个光学复合薄膜单元均由二氧化硅/二氧化铪复合薄膜、二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜、二氧化硅/三氧化二钛复合薄膜组成；所述二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜设位于二氧化硅/二氧化铪复合薄膜之上，所述二氧化硅/三氧化二钛复合薄膜位于二氧化硅/五氧化二钽复合薄膜之上
一种光学滤光及其应用

[发明专利]基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜的制备方法-CN201410053173.X有效
发明人：石岳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，包括：在石墨烯透明导电薄膜上制备二氧化硅衬底，从而得到基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜。本发明实施例所述的基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，在石墨烯透明导电薄膜上制备二氧化硅衬底，避开了现有技术中的难以实现的石墨烯转移步骤，可以方便的制备基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜，
基于二氧化硅衬底石墨透明导电薄膜制备方法

[发明专利]介孔二氧化硅薄膜-CN200880012081.X无效
发明人：矢野聪宏 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C01B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔二氧化硅薄膜、将该介孔二氧化硅薄膜形成于基板上而成的结构体、以及介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法。其中，介孔二氧化硅薄膜是具有平均微孔周期为1.5～6nm的介孔结构的二氧化硅薄膜，该介孔在相对于膜表面呈75～90°的方向上取向；介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法为：调制含有特定含量的特定阳离子表面活性剂的水溶液，将基板浸在该水溶液中，添加特定含量的通过水解而生成硅烷醇的二氧化硅源，在10～100℃温度下搅拌，在基板表面形成介孔二氧化硅薄膜之后，除去阳离子表面活性剂。
二氧化硅薄膜

[发明专利]一种生长二氧化硅薄膜的方法-CN200610171664.X无效
发明人：王晓东;季安;邢波;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术中二氧化硅薄膜生长技术领域，公开了一种生长二氧化硅薄膜的方法，包括：A.配制二氧化硅饱和溶液；B.在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；C.在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝，搅拌得到饱和生长溶液；D.将半导体衬底垂直浸入到所述饱和生长溶液中，二氧化硅在半导体衬底表面沉积，形成二氧化硅薄膜。利用本发明，二氧化硅薄膜的生长温度低，生长过程中不需要热处理，操作容易，设备简单，同时对环境影响较小，重复性好，可靠性高，成本极低，易于产业化。
一种生长二氧化硅薄膜方法

[发明专利]一种超疏水透明二氧化硅薄膜的制备方法-CN200810218808.1无效
发明人：何新华;叶常茂;李茂 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水透明二氧化硅薄膜的制备方法，该方法将二氧化硅颗粒与醇溶液混合搅拌，超声分散，调节酸碱度，获得二氧化硅胶体电泳液；将二氧化硅胶体电泳液电泳沉积到洁净的导电衬底上，用无水乙醇淋洗后干燥，获得二氧化硅薄膜导电衬底；将二氧化硅薄膜导电衬底在120～400℃热处理30～60分钟；经热处理的二氧化硅薄膜导电衬底，放入疏水处理液中浸置12～24小时后取出，用乙醇淋洗后干燥，获得超疏水透明二氧化硅薄膜本发明制得的薄膜材料具有优良的疏水性和透光度，水与表面的接触角为153°～162°，在500nm波长下的透光度达到90.2～95.5％。
一种疏水透明二氧化硅薄膜制备方法

[发明专利]二氧化硅薄膜的制备方法-CN201410607222.X在审
发明人：周国平;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底表面利用等离子体增强化学气相淀积方法形成具有张应力的二氧化硅薄膜；对所述具有张应力的二氧化硅薄膜进行P型离子注入掺杂；对进行P型离子注入掺杂后的具有张应力二氧化硅薄膜进行退火上述二氧化硅薄膜的制备方法，先利用等离子体增强化学气相淀积方法形成具有张应力的二氧化硅薄膜，并进一步进行P型离子注入掺杂以及退火，能够获得较为稳定的具有张应力的二氧化硅薄膜，有效减缓二氧化硅薄膜由张应力变为压应力的趋势，并使其在一定时间内保持为张应力，从而避免出现由于压应力薄膜造成器件不平整等带来的器件失效的问题。
二氧化硅薄膜制备方法

[发明专利]制备壳聚糖/二氧化硅杂化阻隔性包装复合薄膜的方法-CN200910153634.X无效
发明人：王家俊;朱丽静;吴俊红;孙辉 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开的制备壳聚糖/二氧化硅杂化阻隔性包装复合薄膜的方法，步骤包括：酸氧化处理包装薄膜；用正硅酸乙酯、硅烷偶联剂、乙醇和去离子水制备二氧化硅溶胶；将壳聚糖溶液与二氧化硅溶胶混合，制备壳聚糖/二氧化硅杂化溶胶；采用浸渍-提拉法在酸氧化处理的包装薄膜上涂壳聚糖/二氧化硅杂化溶胶，干燥。本发明以天然高分子壳聚糖为有机相，在耐热性较差的包装薄膜基体上负载壳聚糖/二氧化硅有机-无机杂化阻隔层，杂化阻隔层与包装薄膜紧密附着，共同构成了壳聚糖/二氧化硅有机-无机杂化阻隔性包装复合薄膜。制备工艺简单、成本低，本发明制备的壳聚糖/二氧化硅杂化包装复合薄膜的阻隔性能有显著提高，力学性能、光学性能优良。
制备聚糖二氧化硅阻隔包装复合薄膜方法

[发明专利]一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件-CN202211729741.4在审
发明人：盛况;王珩宇;邵泽伟;任娜 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件，通过提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，得到二氧化硅薄膜层；对多个二氧化硅薄膜进行退火钝化；再在所述二氧化硅薄膜层表面形成高介电材料薄膜层；本发明通过在碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，再进一步对其进行退火处理，提升了二氧化硅薄膜和碳化硅衬底之间的界面与退火含氮气体的接触面积，有效提升了界面处悬挂键的钝化比例，从而抑制界面态缺陷的产生；另外本发明在二氧化硅薄膜层上生长了高介电材料薄膜层，增加了碳化硅衬底层的界面价带差距和导带差距，从而抑制漏电流，降低了能量损耗。
一种结构制备方法以及相应器件

[发明专利]一种二氧化硅-二氧化钛-二氧化钒复合薄膜及其制备方法-CN201810250714.6有效
发明人：贺军辉;姚琳 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒复合薄膜及其制备方法。本发明首先公开了二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒复合薄膜的制备方法，包括：制备含有二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒三层结构的空心球纳米粒子的溶胶液；将玻璃基板浸入到含有二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒三层结构的空心球纳米粒子的溶胶液中，提拉出玻璃基板，干燥后，再次将玻璃基板浸入到含有二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒三层结构的空心球纳米粒子的溶胶液中，提拉出玻璃基板后干燥，煅烧，即在玻璃基板上形成二氧化硅‑二氧化钛‑二氧化钒复合薄膜。本发明还公开了上述制备方法制备得到的复合薄膜。本发明复合薄膜可见光透光性能良好，兼具热致变色和自清洁功能。
一种二氧化硅氧化复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种塑料薄膜用二氧化硅开口剂及其制备方法-CN202210144147.2有效
发明人：郑依璇;梁少彬;曹晓庆;侯灿明;黄丹 -专利权人：金三江（肇庆）硅材料股份有限公司;广州市飞雪材料科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B33/193 文献下载
摘要：本发明属于二氧化硅制备技术领域，具体涉及一种塑料薄膜用二氧化硅开口剂及其制备方法，尤其是涉及一种低吸油值、高密度、高比表面积的塑料薄膜用二氧化硅开口剂及其制备方法。采用本发明的方法制备的二氧化硅具有高比表面积，可有效吸附薄膜分子链末端，进一步提高塑料薄膜的开口率，同时，制得的二氧化硅还具有低吸油值高密度的特征，可以有效提高二氧化硅在树脂中的分散性，同时提高二氧化硅添加量，减少其他开口剂的使用，能够有效降低塑料薄膜的雾度，可以满足在塑料薄膜中的良好应用。
一种塑料薄膜二氧化硅开口及其制备方法

[发明专利]一种二氧化硅表面与硅表面低温键合方法-CN202211503579.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种二氧化硅表面与硅表面低温键合方法。所述二氧化硅表面与硅表面低温键合方法包括步骤1、在滤波器晶圆的片上形成二氧化硅层，并获取所述二氧化硅层的厚度，根据所述二氧化硅层的厚度设置锗薄膜的厚度；步骤2、按照所述锗薄膜的厚度在产品片的二氧化硅层上进行分多次溅射沉积处理生成锗薄膜，形成带有锗薄膜的产品片；步骤3、将所述带有锗薄膜的产品片与硅片进行键合处理。
一种二氧化硅表面低温方法

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