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[发明专利]一种多晶硅铸锭方法-CN201410103001.9在审
发明人：陈伟;肖贵云;陈志军;金浩;徐志群;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，采用坩埚底部第一层硅系形核源（包括硅、氧化硅及硅的其它硅系材料等一种或者多种的混合材料）；并在第一层形核源上喷涂氮化硅保护层；再在氮化硅层上铺设一层硅系形核源（这一层形核源可以与第一层形核源所用材料可以试相同或者不同与现有技术中铺设单一的形核源相比，本发明提供的多晶硅铸锭方法能够解决多晶铸锭高效多晶铸锭技术中单层形核源稳定性差且质量低等问题，提高现有单层形核源硅片质量。
一种多晶铸锭方法

[发明专利]一种全熔高效多晶硅铸锭的方法-CN201610345926.3有效
发明人：郑玉芹;武鹏;黄春来;张华利;吴义华 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种全熔高效多晶硅铸锭的方法，包括以下步骤：将混合有无机或有机成孔剂的形核源涂液涂覆在坩埚底部，形成疏松多孔的形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。上述方法中，形核源层制备过程中加入有无机或有机成孔剂，形成疏松多孔的形核源层，使硅液与底部形核源层接触面积增加，从而使全熔高效多晶底部形核点更多且更均匀，使从而提升形核能力。此外，还可以减少铺底形核颗粒料的使用，降低铸锭成本。
一种高效多晶铸锭方法

[发明专利]一种存储器件、钨形核层及其制备方法-CN201710770824.0有效
发明人：毛格;彭浩;李远;周烽;唐浩;詹侃;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。利用该方法制备钨形核层，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。
一种存储器件钨形核层及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法-CN201611168629.2有效
发明人：雷琦;胡动力;何亮;鄢俊琦 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供坩埚，在坩埚底部设置形核剂层；在形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，架空层在垂直于坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，架空层的高度不小于10mm；在架空层上铺设硅片，硅片覆盖空隙形成覆盖层，然后在覆盖层上填装硅料；加热使硅料熔化形成硅熔体，当覆盖层熔化时，硅熔体通过空隙流向形核剂层的表面，在形核剂层表面形核形成形核层；待覆盖层完全熔化后立即进入长晶阶段，硅熔体在形核层的基础上开始长晶本发明提供的多晶硅锭的制备方法提高了全熔法铸造多晶硅锭的形核稳定性和形核效率。本发明还提供了一种多晶硅锭。
多晶硅锭覆盖层硅熔体架空层形核剂熔化形核坩埚制备形核层硅片硅料退火空隙形成硅颗粒硅块填装加热冷却铸造垂直贯通铺设覆盖

[发明专利]一种新型全熔高效坩埚的制备方法-CN201510710420.3在审
发明人：刘明权;王禄宝 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开一种新型全熔高效坩埚，其中，包括坩埚母体，所述坩埚母体底部设有形核源粘结层，所述形核源粘结层为粘结浆料，通过刷涂的方式均匀分布在坩埚母体底部内表面；所述形核源粘结层上设有形核源层，所述形核源层为高纯微球状石英砂；所述坩埚母体内部侧壁以及形核源层上均匀设有脱模层，所述脱模层为高纯微球状石英砂，通过喷涂的方式将所述高纯微球状石英砂分布在坩埚母体内部侧壁以及形核源层上；所述坩埚底部脱模层外部喷涂有高纯硅微粉。
一种新型高效坩埚制备方法

[发明专利]一种多晶硅铸锭方法-CN201410414388.X在审
发明人：陈伟;肖贵云;陈志军;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，通过两层氮化硅来保护底部粘锅和形核，第一层氮化硅主要保护部分形核源过渡熔化而与石英坩埚粘连裂锭，第二层氮化硅主要用来保护双层氮化硅夹层中的形核源不被熔化达到有效形核。在第一层氮化硅的保护下，可以通过不断改变形核源的类型、颗粒度、重量等来优化晶锭底部初始形核，避免因形核源和熔化工艺研发过程中而带来的粘锅、裂锭。
一种多晶铸锭方法

[实用新型]一种多晶硅铸锭用坩埚-CN201220138049.X有效
发明人：胡动力;何亮;雷琦;钟德京;张涛;万跃鹏 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，该坩埚包括本体和形核源层，本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，形核源层附着在本体底座朝向收容空间的一面，形核源层选自硅粉涂层、碳化硅粉涂层本实用新型多晶硅铸锭用坩埚具有形核源层，其形核源有利于熔融状态的硅料迅速形核。
一种多晶铸锭坩埚

[发明专利]一种基于荷叶表面仿生学的抗粘结刀具及其制备方法-CN201310035500.4有效
发明人：姜峰;徐西鹏;言兰 -专利权人：华侨大学
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B32B15/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于荷叶表面仿生学的抗粘结刀具，包括一刀具基体，所述刀具基体外覆有一过渡层，所述过渡层上引种有形核颗粒，所述形核颗粒外包覆有一涂层，且所述形核颗粒与形核颗粒表面覆盖的涂层组合成微凸体。本发明还提供该抗粘结刀具的制备方法，包括将磨削后的刀具基体的表面沉积一过渡层；在有机溶剂里利用重力沉积将形核颗粒引种到过渡层上，再利用超声波振动将过渡层上的形核颗粒铺匀；最后再沉积一涂层，用于固定形核颗粒，且所述形核颗粒与形核颗粒表面覆盖的涂层组合成微凸体。
一种基于荷叶表面仿生学粘结刀具及其制备方法

[实用新型]一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层-CN201320458277.X有效
发明人：黄新明;周绪成;尹长浩;钟根香;明亮;周海萍 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B32B3/24 文献下载
摘要：本实用新型新型公开了一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层，由下层氮化硅涂层、中间层形核功能层和上层氮化硅涂层组成，所述下层氮化硅涂层设置在坩埚本体的底部，所述中间层形核功能层设置在下层氮化硅涂层上，所述上层氮化硅涂层设置在中间层形核功能层上，所述中间层形核功能层上分布有均匀或不均匀的孔洞或裂缝。本实用新型的有益效果是：（1）涂层表面分布大量孔洞或者裂缝，该结构可有效的降低形核所需的形核功，促进非均匀形核的能力，从而快速形核，生长的晶粒尺寸较小、大小均匀，晶体的缺陷密度低；（2）涂层使用高纯度原料制成
一种用于生产高效多晶铸锭石英坩埚涂层

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311007337.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的Mg掺InN形核层、复合包覆层和AlScN填平层；所述复合包覆层包括依次层叠于所述Mg掺InN形核层上的AlInN层、AlGaN层和AlN层；所述Mg掺InN形核层包括多个分布在所述多量子阱层上的形核点，所述复合包覆层包覆所述形核点。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种高效多晶铸锭晶体生长方法-CN201410512706.6在审
发明人：陈伟;肖贵云;黄晶晶;陈志军;金浩;徐志群;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效多晶铸锭晶体生长方法，在坩埚底部采用硅系形核源(包括硅及硅的其它硅系材料)；并在形核源上喷涂氮化硅作为保护层，并且再在保护层上喷涂一层硅粉隔离层。本方案主要通过坩埚底部高效处理(形核源的选择)与长晶初期形核过程的相结合，通过控制长晶初期过冷度，加大形核源刺破氮化硅保护层的数量，同时保证刺破质量在可控范围内(不粘锅)，形核源数量与种类的增加有利于形核源的优化选择
一种高效多晶铸锭晶体生长方法

[发明专利]化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统-CN202110304629.5在审
发明人：付家赫;熊少游;程磊;谭力 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。本申请将现有技术中单层形核层、单层子导电层的导电层结构变为形核层与子导电层层叠交替设置。这样首先由于形核层中的晶粒粒径较小，致密度较高，可有效缓解在形成子导电层时因副产物的扩散而对其他层结构造成影响的问题，避免侵蚀其他材料。其次，可在一定程度上减小子导电层的厚度，从而减小形成子导电层时副产物产生的量，进而缓解副产物的扩散程度。
化学沉积方法三维存储器制备系统

[发明专利]一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法-CN201810565524.3有效
发明人：高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。
形核层厚膜纳米金刚石膜纳米金刚石硅基片自支撑制备沉积双层辉光等离子渗化学气相沉积耐磨性表面形成腐蚀处理厚度控制晶粒长大综合性能金刚石表面渗强韧性成核渗钼施加金属

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件-CN202110672724.0在审
发明人：郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在氮化物形核层岛上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的氮化物材料的制备方法，可以获得均匀分布的氮化物形核层，有利于提高材料晶体质量，此外制备的均匀性更好的氮化物材料，可以提高器件成品率及均一性，该发明尤其适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。
氮化物材料制备方法半导体器件

[发明专利]多晶硅锭的制备方法、多晶硅锭及多晶硅片-CN201510333623.5在审
发明人：游达;黄春来;周声浪;贾晨晨 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设熔点、密度大于硅且不与硅液及坩埚发生反应的形核源，形成形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。由于形核源的熔点和密度均高于熔融硅，且不与硅液和坩埚发生反应，在铸锭形核后依然保持形核源本身的特性，因此可以重复利用。
多晶制备方法硅片

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