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[发明专利]氢燃料电动汽车DC/DC的恒压冷启动方法-CN202110737912.7在审
发明人：刘偲艳;钟根香;张要锋 -专利权人：湖南理工职业技术学院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢燃料电动汽车DC/DC的恒压冷启动方法，包括以下步骤：通过采样检测升压变换器侧的输入电压Uin1；判断Uin1是否小于升压变换器的给定电压值Given_V，若是，则升压变换器不工作，若否，则进入下一步；控制升压变换器输入恒压双闭环工作，以Uin1与Given_V的差值作为误差信号输入到电压环PID，电压环PID输出为电流内环给定，且电流内环给定作为冷启动功率的限制点；以电流内环给定与输入电流的误差信号输入到电流内环PID，达到输入恒压并且输入电流均流的目的。本发明利用氢燃料电池特质通过控制氢燃料电动汽车的FDC变换器，使氢燃料电池本身工作在输出恒压状态，实现低温状态下快速自升温的目的。
燃料电动汽车 dc 冷启动方法

[发明专利]一种全熔高效多晶硅铸锭用籽晶及其制备方法和应用-CN201510037057.3有效
发明人：黄新明;尹长浩;董慧;钟根香;王梓旭 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，所述的籽晶为表面局部包覆有氮化硅涂层的球状SiC‑SiO2复合颗粒。本发明还公开了上述全熔高效多晶硅铸锭用籽晶的制备方法以及上述籽晶在多晶硅全熔高效铸锭中的应用。与目前普遍使用的全熔籽晶相比，该籽晶直接铺设于坩埚底部的氮化硅涂层之上，而非固定于坩埚底部和氮化硅涂层之间，因而可以从根本上避免粘埚风险；由于该籽晶无需控制引晶点间距，因而可实现更好的引晶效果，降低硅锭中位错比例；由于使用SiC、SiO2复合材料作为籽晶，较石英颗粒籽晶，可显著降低硅锭中下部的间隙氧含量。
一种高效多晶铸锭籽晶及其制备方法应用

[实用新型]一种用于生长准单晶的热交换台-CN201620023510.5有效
发明人：黄新明;周绪成;钟根香;张兆玉;张翔 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生长准单晶的热交换台，其特征是：包括一平台，平台底部中心设有一凸台，平台的底部在凸台的周围固定设有保温板。与现有技术相比，本实用新型有以下有益效果：热交换台设有凸台，其底部在凸台的四周固定有大面积保温材料，硅料在熔化时，底部中心的散热速度要远远大于四周部分的散热速度，使得熔化界面呈球冠状分布，这样就能有效的保护中心放置的单块单晶籽晶不熔化，长晶时以未熔化的单晶籽晶为形核点生长，从而生产出高质量的准单晶。
一种用于生长准单晶交换台

[实用新型]一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层-CN201320458277.X有效
发明人：黄新明;周绪成;尹长浩;钟根香;明亮;周海萍 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B32B3/24 文献下载
摘要：本实用新型新型公开了一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层，由下层氮化硅涂层、中间层形核功能层和上层氮化硅涂层组成，所述下层氮化硅涂层设置在坩埚本体的底部，所述中间层形核功能层设置在下层氮化硅涂层上，所述上层氮化硅涂层设置在中间层形核功能层上，所述中间层形核功能层上分布有均匀或不均匀的孔洞或裂缝。本实用新型的有益效果是：（1）涂层表面分布大量孔洞或者裂缝，该结构可有效的降低形核所需的形核功，促进非均匀形核的能力，从而快速形核，生长的晶粒尺寸较小、大小均匀，晶体的缺陷密度低；（2）涂层使用高纯度原料制成，生产的硅锭底部红区短，产出率高。
一种用于生产高效多晶铸锭石英坩埚涂层

[实用新型]一种有籽晶铸锭坩埚护板装置-CN201320329150.8有效
发明人：黄新明;黄美玲;钟根香;丁常林;明亮 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有籽晶铸锭坩埚护板装置，由热导率较高的材料制成的主体护板和热导率较低的材料制成的辅助护板组合而成，所述主体护板设置在石英坩埚的四周，所述辅助护板设置在主体护板的侧面或下方并且辅助护板的高度小于主体护板的高度。本实用新型由两种或两种以上不同导热性能的材料组合而成，实现局部不同的导热性能，有效阻碍侧加热器对硅料底部籽晶的热辐射，使得在有籽晶铸锭中，能较好地保护籽晶剩余一定高度不被熔化，且剩余籽晶界面平整，有利于降低籽晶使用高度，降低生产成本。
一种籽晶铸锭坩埚装置

[实用新型]一种底部带引晶功能的多晶硅铸锭用石英坩埚-CN201320206010.1有效
发明人：黄新明;尹长浩;周绪成;钟根香;周海萍 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司;东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底部带引晶功能的多晶硅铸锭用石英坩埚，石英坩埚的底部设有均匀紧密排列的具有引晶功能的凹坑或者凹痕，凹坑口径或凹痕宽度为1-4.9mm，凹坑或凹痕深度为0.5-5.9mm，凹坑或凹痕间距为0.5-6.9mm。本实用新型的凹坑由于具有合理的径深比及合理的间距，在坩埚底部为晶体硅生长提供排列致密且均匀分布的过冷点或过冷条带，该过冷点或过冷条带由凹坑或凹痕的尺寸比例决定，与凹坑或凹痕的开口形状及内部形状无关，该过冷点或过冷条带可促使晶体硅在生长初期形成分布均匀的晶核，在此晶核基础上生长出晶粒均匀，缺陷密度低的晶体硅，从而达到无需添加硅质籽晶即可提高晶体硅太阳能电池的性能的目的，同时相比添加硅质籽晶的铸锭技术，生产得率提高3%以上。
一种底部带引晶功能多晶铸锭石英坩埚

[发明专利]一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法-CN201310248885.2有效
发明人：黄新明;顾海泉;明亮;张兆玉;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法，包括镓的前期处理，盛镓硅原料的处理和镓的放置，其中盛镓硅原料的处理包括在至少部分硅原料上打孔，镓的放置为将镓置于硅原料的孔中，且在装料时将装有镓的硅原料设置在总装料高度的2/3以下位置。通过本发明中的方法，能够有效的减少晶体生长过程中镓的挥发，从而精确控制电阻率范围。
一种晶体金属使用方法

[发明专利]硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法-CN201310249116.4无效
发明人：黄新明;张兆玉;明亮;顾海泉;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼-镓共掺高效多晶硅，含有浓度为1×1014～2×1016cm-3的硼或磷，以及浓度为1×1016～2×1018cm-3的金属镓，所述硼-镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。还公开了上述硼-镓共掺高效多晶硅制备方法，该硼-镓共掺高效多晶硅，其电池转换效率高，而光致衰减率低于业内普通多晶硅电池片的光致衰减率。该制备方法工艺简便、易操作、成本低、可规模化生产。可用于制造高效率的薄片太阳能电池，由于硅晶体中硼-镓共掺的作用，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减，在光照下具有很好的稳定性，是高效率太阳能电池的理想材料。
镓共掺高效多晶及其制备方法

[实用新型]一种改进型多晶硅铸锭坩埚防护装置-CN201220501325.4有效
发明人：黄新明;明亮;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进型多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括护板组件，所述防护装置由上、下两层护板组件叠加组成，所述护板组件由多个护板围成，每个护板的底边上均设有溢流孔。采用这种改进型多晶硅铸锭坩埚护板装置，能根据坩埚高度及装料量的不同，可通过改变防护装置的使用方式来进行匹配调节，能轻松实现切换，灵活性大，节省大量成本；其次，两层护板组件能更好的和坩埚发生良性接触，减少坩埚在铸锭过程中由于热收缩性不良导致的溢流；再次，采用该防护装置进行铸锭，如出现硅液溢流，下部护板组件的损坏不会延伸至上部护板组件，上部护板组件可避免受损，从而可很大程度降低防护装置损坏带来的损失。
一种改进型多晶铸锭坩埚防护装置

[发明专利]一种多晶硅铸锭坩埚防护装置-CN201210427518.4有效
发明人：黄新明;明亮;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括由竖板两两相连合围而成的护板及分别设置在所述护板上、下端的盖板和底板，所述盖板扣合在所述护板的上端开口处形成用于放置多晶硅铸锭坩埚的内部空间，所述盖板主要由C/C板和结合在C/C板下板面的金属板组成，所述金属板的熔点大于1800K；所述护板上部开有出气孔且所述出气孔对应于所述多晶硅铸锭坩埚的上方，所述盖板上开有贯穿C/C板和金属板的进气孔，通过进气孔与出气孔对所述内部空间进行换气通风，改善铸锭过程的气体循环以纯化多晶硅熔化和再生长的环境。可大幅度减少多晶硅中C、O等杂质的含量，提高了硅料的利用率和切片得率，硅片的电池转换效率可提高0.2%以上。
一种多晶铸锭坩埚防护装置

[发明专利]一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法-CN201210369325.8有效
发明人：黄新明;尹长浩;周海萍;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。该方法可显著提高氮化硅涂层整体强度，尤其可以提高易粘埚区域涂层的强度及其对硅熔体的非浸润性，可有效避免粘埚现象的发生，避免了氮化硅粉尘的产生，进一步提高了氮化硅粉的有效利用率，降低了生产成本，增强了操作过程中的环境友好性，降低了对人体的伤害；并且由于无需或仅需低温烘烤，减少了能源的浪费缩短了生产周期。
一种晶体铸锭坩埚氮化涂层制作方法

[发明专利]一种高效多晶硅的铸锭方法-CN201210369656.1有效
发明人：黄新明;钟根香;明亮 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种高效多晶硅的铸锭方法，含以下步骤：(1)在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；(2)将硅料和电活性掺杂剂装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；(3)加热使硅原料和电活性掺杂剂完全熔化；(4)长晶初期，调节加热器温度为1425～1440℃，并将隔热底板迅速打开，调节隔热底板的开度在1～8cm，沿坩埚底部纵向生长一层树枝状的晶体；(5)长晶中后期，控制固液相的温度梯度，以底部树枝状的晶体为籽晶，保持平直的固液界面，竖直向上定向凝固生成含有大量孪晶的多晶硅。采用本发明铸锭方法制成的多晶硅片，电池效率比普通多晶硅要高0.4-0.6%，整锭硅片的平均电池效率达到17.5%，最大效率高达18%。
一种高效多晶铸锭方法

[实用新型]一种自动供料自动刷涂的涂布装置-CN201120254516.0有效
发明人：黄新明;尹长浩;张华利;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳（合肥）新能源有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B05C7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及涂料涂装领域，具体公开了一种自动供料自动刷涂的涂布装置包括涂料自动输送装置、内嵌式转动刷涂器和缩口套筒，所述的内嵌式转动刷涂器套装在涂料自动输送装置上，所述的缩口套筒罩在内嵌式转动刷涂器外侧；所述的内嵌式转动刷涂器包括驱动电机、位置可调的毛刷夹具和毛刷，所述的驱动电机安装在缩口套筒内且输出轴连接毛刷夹具，所述的毛刷可拆卸的安装在毛刷夹具上并贴附着缩口套筒底部的缩口穿出。本实用新型实现自动供料自动涂刷，涂刷效率和涂层致密度高，受人为影响较小；设置具有弧形缩口的缩口套筒，能回收飞溅的和刷头携带的多余涂料，提高了涂料的利用率，同时提高了涂层的平整度、均匀度。
一种自动供料装置

[发明专利]一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法-CN201110388683.9无效
发明人：黄新明;钟根香;明亮 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼-镓共掺准单晶硅，含有浓度为1×1014/cm3～5×1016/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014～1×1018/cm3的镓。该准单晶硅可用于制造高效率的薄片太阳能电池；同时由于硼-镓共掺的作用，降低或避免了硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减。本发明还公开了其制备方法，该制备方法简便，易操作，成本低，可规模化生产。
一种镓共掺准单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种晶体硅铸造用的坩埚涂层及其制备方法-CN201110155307.5有效
发明人：黄新明;尹长浩;张华利;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳（合肥）新能源有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅铸造用的坩埚涂层，所述的坩埚涂层由以下重量份的原料制成：氮化硅粉末90-110份，分散剂50-450份，成膜剂1-30份，高温粘合剂1-25份。该坩埚涂层具有高纯度、高强度、高致密度及易脱模性能；还公开了上述坩埚涂层的制备方法，(1)按计量比选取上述原料，混匀制成浆料；(2)将浆料涂布于坩埚内壁形成坩埚涂层的胚膜；(3)在反应气氛中将坩埚涂层经含有烘干、脱蜡、预烧、烧结、保温和降温的处理工序后得晶体硅铸造用坩埚涂层。该方法工艺简单，成本低，在提高涂层强度的同时不引入或极少量引入杂质元素，能够满足准单晶铸锭高温度梯度及严厉的长晶条件以及普通多晶硅铸造的要求。
一种晶体铸造坩埚涂层及其制备方法

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