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[发明专利]一种多晶铸锭用功能性G8石英坩埚及其制备方法-CN201711160079.4在审
发明人：刘明权;路景刚 -专利权人：江苏高照新能源发展有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明是一种多晶铸锭用功能性G8石英坩埚，包括主体以及主体一端的底部，所述主体以及一端的底部为一体化成型结构，呈正方形结构，所述主体侧壁内上设置有高纯涂层，在所述高纯涂层中下段设有侧壁形核源层，在所述主体一端的底部涂有一层高效形核源层
一种多晶铸锭用功 g8 石英坩埚及其制备方法

[发明专利]基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法-CN202011446248.2有效
发明人：朱嘉琦;王伟华;房诗舒;代兵;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。
基于复合结构样品提高金刚石外延尺寸均匀方法

[发明专利]一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法-CN201710712230.4有效
发明人：张安平;赵炎;杨明超;陈家玉;魏葳;张晓东;田占元 -专利权人：西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，具体包括制备覆盖镍的铜衬底，在真空的保护气氛中快速升温，到达特定的生长温度后，通入工艺气体进行石墨烯生长。生长初期金属表面为镍，可以有效控制石墨烯的形核点。生长过程中，铜逐步扩散至镍层形成富镍的铜镍合金，可以促进形核点快速生长。
一种基于限制生长尺寸质量石墨制备方法

[发明专利]制备硫化锌或硒化锌材料用模具、模具制作方法及设备-CN202211149463.5在审
发明人：张树玉;甄西合;刘伟;邰超;朱逢锐;熊加丽 -专利权人：江苏鎏溪光学科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硫化锌或硒化锌材料用模具，包括石墨衬底，石墨衬底上依次设置有致密层、脱膜层和形核层，所述致密层用于减小石墨衬底的表面粗糙度，所述脱膜层用于辅助材料与石墨衬底分离，所述形核层用于辅助材料结晶；还公开一种模具制备方法，先对石墨衬底表面进行预处理，然后通过镀制的方式依次制备致密层、脱膜层及硫化锌膜或硒化锌膜；采用模具通过化学气相沉积法在设备内制备硫化锌或硒化锌材料。
制备硫化锌硒化锌材料模具制作方法设备

[发明专利]一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法-CN202310500867.2在审
发明人：张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟 -专利权人：湖北隆中实验室
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法，属于纳米材料制备领域。本发明通过在铜箔背面沉积阻挡层，阻止铜箔背部的碳原子扩散至铜箔正面，从而抑制多层形核的生成。包括以下步骤：在铜箔背面沉积2～10μm厚的阻挡层薄膜，以该复合铜箔作为石墨烯生长的基底；随后使用CVD法在铜箔上制备单层石墨烯。C原子在基底正面逐渐沉积生长为单层石墨烯，而基底背面的C原子则被阻挡层阻挡，无法扩散至基底正面，从而抑制基底正面多层形核区域的产生。
一种抑制 cvd 单层石墨多层方法

[发明专利]基于网格化结构电极提高金刚石异质外延形核均匀性的方法-CN202011466532.6有效
发明人：代兵;王伟华;房诗舒;朱嘉琦;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，辉光层的均匀性提高也使得金刚石外延形核的均匀性得以提高。
基于网格结构电极提高金刚石外延均匀方法

[发明专利]一种凸形核-壳结构体排斥体积计算方法-CN201810235003.1有效
发明人：许文祥;兰鹏;贾明坤;章东洋;吴杨 -专利权人：河海大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种凸形核‑壳结构体排斥体积计算方法，包括如下步骤：确定核的粒子几何模型，并采用等效直径来定义核的粒子的尺寸；计算核的粒子平均切直径；计算凸形核‑壳结构体的体积；计算凸形核‑壳结构体的表面积；计算凸形核‑壳结构体的平均切直径；计算凸形核‑壳结构体的排斥体积。该方法可以精确的计算核的粒子类型为椭球体、球柱体以及正多面体的凸形核‑壳结构体的排斥体积，摆脱了以往理论方法只针对简单球形颗粒的技术约束，解决了数值模拟方法仅能针对某一特定粒子进行研究且效率低下、模拟精度难以得到保证的问题，使得凸形核‑壳结构体的排斥体积的计算方法更具有普遍性和代表性。
一种凸形核结构排斥体积计算方法

[发明专利]一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法-CN201910191834.8有效
发明人：李含冬;徐超凡;李勇;余述鹏;尹锡波;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se
一种 211 衬底生长硒化铋高指数面单晶薄膜方法

[实用新型]一种制备三角形中空多孔纤维的湿法纺丝装置-CN202020031872.5有效
发明人：张岩;王慧云;王萍 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： D01D5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备三角形中空多孔纤维的湿法纺丝装置，包括：同轴纺丝针头，其包括同轴设置的壳纺丝针头和核纺丝针头。内液注射器，其与核纺丝针头连通以向核纺丝针头中输入芯层溶液。其中，壳纺丝针头和核纺丝针头的截面均为三角形，壳纺丝针头与核纺丝针头截面三角形的边长比值为(1.8～2.2):1。本实用新型的湿法纺丝装置能够制备得到具有特殊三角形截面形貌结构的中空多孔纤维。
一种制备三角形中空多孔纤维湿法纺丝装置

[发明专利]一种光场行波腔增强表面等离子体共振传感装置-CN201610776956.X有效
发明人：苗玉;王冠学;吴蓓;隋国荣;高秀敏 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种光场行波腔增强表面等离子体共振传感装置，具有这样的特征，包括：频率可调光源；多边形柱棱镜单元，包括边数至少为五的正多边形柱棱镜和依次设置在正多边形柱棱镜的不同棱边外侧的金属层、纳米颗粒层以及微纳光学结构层；以及光信息接收单元，其中，被测样品放置在金属层的外侧，纳米颗粒层为核壳结构，用于增强被测样品的拉曼传感，核壳结构包含金纳米层以及二氧化硅纳米层，微纳光学结构层用于超分辨图像传感。
一种行波增强表面等离子体共振传感装置

[发明专利]一种铝钛硼形核棒的制备及使用方法-CN201911339860.7有效
发明人：夏福中;魏海根 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝钛硼形核棒及其使用方法，该形核棒的制备过程包括：混粉、冷压、雾化制粉、退火、球磨、热喷涂6个步骤，并且通过对制备工艺参数的优化，所制备的形核棒表面含有尺寸细小、数量极多的TiB形核棒使用时，将其插入铝熔体内，使得晶核能够不断在形核棒表面形成。此外，在形核棒上方施加高频超声或电磁振动，从而使晶核很容易从形核棒上脱落，这样形核棒可以反复使用。经过形核棒处理的铝熔体，即使不添加常规的铝钛硼晶粒细化剂，也能够实现良好的组织细化效果。这不仅能够显著降低生产原料成本，而且可以防止由于添加晶粒细化剂引起的夹杂问题。
一种铝钛硼形核棒制备使用方法

[发明专利]外延生长方法、外延结构及光电器件-CN202110351699.6在审
发明人：魏铁石;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨文献;张雪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示了一种外延生长方法、外延结构及光电器件，所述方法包括：S1、对硅衬底表面进行处理；S2、采用迁移增强外延法，在380～510℃低温条件下交替通入/关断ⅢA族源和ⅤA族源，在硅衬底上外延生长III‑V族化合物形核层本发明在初始形核阶段采用低温生长，能够有效抑制界面的起伏，获得光滑平整的界面，提高外延薄膜的结晶质量；能够抑制异质生长阶段的反相畴，减少孪晶、堆垛层错，降低位错密度。
外延生长方法结构光电器件

[发明专利]一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法-CN201510714846.6在审
发明人：刘明权;陈董良;王禄宝 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，（2）再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，（3）对形核源层做适当的钝化处理，（4）坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层烘干得坩埚成品；本发明工艺控制条件要求低，高效形成稳定性高，降低坩埚杂质扩散对硅锭质量的影响、晶体内部位错密度低，可有效提升坩埚自身的功能性和降低高质量硅锭的制造成本
一种杂质扩散低位密度 g6 高纯高效坩埚制备方法

[发明专利]Bi@MAX核壳结构、高可靠无铅焊料及其制备方法-CN202210008986.1有效
发明人：刘玉爽;刘哲学;姚函妤;陶学伟;于皓;王捷;朱一鸣;王金婷;曹璐;李小雪 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明公开了Bi@MAX核壳结构，包括MAX相微纳颗粒和Bi颗粒，MAX相微纳颗粒包覆在Bi颗粒表面。本发明还公开了Bi@MAX核壳结构的制备方法。本发明还公开了包含Bi@MAX核壳结构的高可靠无铅焊料及其制备方法。本发明将MAX相微纳颗粒包裹在Bi金属颗粒表面，制成Bi@MAX核壳结构，然后将其添加到Sn基合金基体中，形成Bi@MAX/Sn基合金复合焊料。在焊接过程中，Sn基合金基体中不含Bi元素，能够避免晶须的快速形核。而在焊料使用过程中，Bi元素会通过MAX相颗粒间的界面及MAX相中的A原子层缓慢释放到基体中，抑制Sn晶须的形核过程，有效发挥Bi元素在低温下对Sn晶须的抑制作用。
bi max 结构可靠焊料及其制备方法

[发明专利]一种果树竖向渗灌装置及其使用方法-CN202210950515.2在审
发明人：李梦然;李庆军;马建 -专利权人：山东滨州国家农业科技园区管理服务中心（滨州黄河三角洲高效生态产业现代技术研究院）;中国科学院沈阳应用生态研究所
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： A01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种果树竖向渗灌装置及其使用方法，属于果树灌溉技术领域，包括梭形的渗灌管体；渗灌管体上部设有向外的翻边，并形成进水口；渗灌管体的管壁上设有若干个出水口；渗灌管体外侧设有基质层；基质层由若干个打孔的枣核填充而成根据果树根系分布的密度和位置，渗灌管体呈梭形管状结构，根系密集的区域管体粗，根系稀疏的区域管体细，可有效提高水的利用效率；通过进水口可收集雨水，也可人工注水；打孔的枣核填充形成基质层，可以将新根通过小孔吸引到枣核内
一种果树竖向渗灌装置及其使用方法