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[发明专利]一种刻蚀副产物智能自清洁方法-CN201811026563.2有效
发明人：聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀副产物智能自清洁方法，适用于对半导体干法刻蚀工艺过程，提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备，还包括以下步骤：步骤S1，工艺控制系统于干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前，采集干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数；步骤S2，工艺控制系统根据第一工艺参数，获得对干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数；步骤S3，工艺控制系统根据第二工艺参数对干法刻蚀设备执行自清洁工艺；步骤S4，干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺，待干法刻蚀工艺执行完毕后返回步骤本发明的技术方案有益效果在于：减少刻蚀过程中因聚合物累积造成的刻蚀缺陷颗粒源，改善晶圆批次作业的首枚效应问题。
一种刻蚀副产物智能清洁方法

[发明专利]干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法-CN202011044728.6在审
发明人：易芳;孟凡顺;杨伟杰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法，通过在干法刻蚀机台的冷却台的上方设置通入吹扫气体的供气管道，并在冷却台的下方设置抽气管道，将经过干法刻蚀工艺的晶圆传送至所述冷却台，并对晶圆通入吹扫气体吹扫，将干法刻蚀工艺带出来的反应气体吹扫干净，防止干法刻蚀工艺反应生成的聚合物或副产物会与空气中的水蒸气反应，引发缺陷产生，并防止已经完成干法刻蚀工艺晶圆上的气体残留，与未完成干法刻蚀工艺晶圆上的光刻胶发生反应，进而影响刻蚀形貌；该方法无需使用缓存台运转，避免了因缓存台不足影响机台的WPH，有利于提高生产效率。
刻蚀机台半导体器件制造方法

[发明专利]用于多产品混合生产的刻蚀工艺方法-CN202011354242.2有效
发明人：马莉娜;姚道州;肖培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多产品混合生产的刻蚀工艺方法，包括如下步骤：步骤一、对刻蚀工艺腔进行第一次腔体清洗，以去除累积在刻蚀工艺腔中的聚合物。步骤二、将被刻蚀晶圆传输到刻蚀工艺腔中进行干法刻蚀，干法刻蚀以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀的刻蚀气体参数按照各个产品自身要求设置。步骤三、进行第二次晶圆清洗以保证混合生产中所有晶圆在干法刻蚀完成后所积累的聚合物被去除。本发明能在同一刻蚀工艺腔中实现对干法刻蚀中的聚合物要求不同的各种产品进行刻蚀且不会影响产品质量。
用于产品混合生产刻蚀工艺方法

[发明专利]一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法-CN201310743899.1有效
发明人：陆敏;田亮;张昭;杨霏 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
一种陡直光滑侧壁形貌 sic 刻蚀方法

[发明专利]分裂栅沟槽功率器件的制造方法-CN202110453510.4在审
发明人：杨伟杰;孟凡顺;易芳 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种分裂栅沟槽功率器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中形成有第一沟槽，所述第一沟槽内形成有分裂栅和介质层，所述介质层覆盖所述衬底、环绕所述分裂栅并填满所述第一沟槽；执行第一干法刻蚀工艺以去除部分所述介质层；以及，执行第二干法刻蚀工艺，继续去除部分所述介质层以形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁与底壁的夹角为钝角。第二干法刻蚀工艺采用低电容耦合功率，以在第二干法刻蚀工艺中减轻垂直方向上所述介质层的刻蚀量，并且在第二干法刻蚀工艺引入刻蚀气体CO，增加所述第二干法刻蚀工艺过程中的聚合物，以增大所述介质层侧壁的角度；在所述有梯度的介质层侧壁的第二沟槽中形成栅极
分裂沟槽功率器件制造方法

[发明专利]刻蚀工艺方法-CN201711097030.9有效
发明人：郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀工艺方法，包括步骤：步骤一、确定干法刻蚀工艺腔中的刻蚀速率分布并找出干法刻蚀速率最低的区域位置。步骤二、确定湿法刻蚀工艺设备中的刻蚀速率分布并找出湿法刻蚀速率最高的区域位置。步骤三、对晶圆产品片的被刻蚀材料层进行如下刻蚀：步骤31、进行干法刻蚀。步骤32、将晶圆产品片转动一固定角度使晶圆产品片上的干法刻蚀速率最低的区域定位在后续湿法刻蚀中湿法刻蚀速率最高的区域。步骤33、进行湿法刻蚀。本发明能提高刻蚀的面内均匀性，能防止被刻蚀材料残留，提高产品良率。
湿法刻蚀刻蚀干法刻蚀晶圆产品刻蚀材料刻蚀工艺区域位置干法刻蚀工艺面内均匀性产品良率工艺设备区域定位转动残留

[发明专利]电阻式随机存储器的形成方法-CN201510131863.7有效
发明人：张海洋;刘盼盼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存储器的形成方法，包括：以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺刻蚀上电极层，直至暴露出介电材料层表面，所述第一干法刻蚀工艺的刻蚀气体为CH₄；继续以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀介电材料层，直至暴露出下电极层表面，所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H₂。本发明避免刻蚀工艺对上电极层以及介电材料层造成刻蚀污染，使得刻蚀后的上电极层侧壁以及介电材料层侧壁清洁，进而提高形成的电阻式随机存储器的电学性能。
电阻随机存储器形成方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法-CN202110032009.0有效
发明人：杨伟杰;孟凡顺;易芳 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明提供的一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，通过执行第一干法刻蚀工艺以去除部分所述栅极材料层，以及执行第二干法刻蚀工艺以形成栅极，其中，所述第一干法刻蚀工艺为各向异性刻蚀；所述第二干法刻蚀工艺为各向同性刻蚀；各向同性刻蚀工艺，减少了垂直方向上的刻蚀作用，极大缓解了多晶硅上表面的凹陷，增大了多晶硅栅极的剩余厚度，减轻了后续连接孔刻穿多晶硅栅极的风险，同时由于各向同性刻蚀较小的偏置电压，反应离子气体对多晶硅表面的轰击作用变弱
屏蔽沟槽功率器件制造方法

[发明专利]一种降低集成电路多层金属间孔链电阻的通孔刻蚀方法-CN201510259350.4在审
发明人：李林;张可为;张博;张耕玮;王一义 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低集成电路多层金属间孔链电阻的通孔刻蚀方法，首先在相邻两层金属的下层金属上生长钛、氮化钛及金属层间氧化层介质，完成平坦化工艺后，涂覆光刻胶，然后曝光、显影形成通孔层的光刻图形；其次完成通孔刻蚀工艺的第一次干法刻蚀，即二氧化硅干法刻蚀，此次刻蚀的终止层为下层金属上的氮化钛；再次完成通孔刻蚀工艺的第二次干法刻蚀，即氮化钛干法刻蚀，此次刻蚀的终止层为下层金属的表面；最后采用干法去胶的工艺，去除非通孔图形区域的光刻胶，完成通孔刻蚀工艺，形成金属的层间通孔。本发明采用二氧化硅及氮化钛两步刻蚀，通过刻蚀通孔底部的氮化钛，能够有效降低金属层间孔链电阻。
一种降低集成电路多层金属间孔链电阻刻蚀方法

[发明专利]干法刻蚀方法-CN201110070085.7无效
发明人：吴智勇;邱华军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于通孔或沟槽制备的干法刻蚀方法，包括：进行第一次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在硅衬底内刻蚀出第一沟槽；接着采用第一次淀积聚合物工艺，在第一沟槽内壁淀积聚合物；而后对聚合物进行干法刻蚀，直至去除第一沟槽底部的聚合物；进行第二次多步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，在第一沟槽内进一步刻蚀硅衬底形成通孔或沟槽。
刻蚀方法

[发明专利]温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机-CN201910548392.8有效
发明人：董磊磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：一种温度控制装置、温度控制方法及使用该温度控制装置的干法刻蚀机。所述温度控制装置包括：传感单元，计算单元，设置单元，控制单元。在本发明所述的干法刻蚀机中，通过检测并收集干法刻蚀机各个部位的温度数据，多端口得出工艺温度值，可以精确反应出干法刻蚀机腔室实时实际状况，便于工程师对各制程进行优化，降低因温度导致的刻蚀停止的风险。
温度控制装置方法刻蚀

[发明专利]沟槽的干法刻蚀方法-CN201110070102.7无效
发明人：吴智勇;刘继全;杨华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽的干法刻蚀方法，其为在干法刻蚀形成沟槽之后，采用选择性外延工艺修复沟槽侧壁的开口。本发明的方法，在沟槽刻蚀之后通过选择性外延工艺，修复了刻蚀带来的侧向开口。
沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种沟槽的形成方法-CN202011106690.0有效
发明人：陶磊;王厚有;冯永波;刘西域 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一氧化层和第一硬掩膜层；进行第一干法刻蚀工艺，所述第一硬掩膜层形成有第一开口，所述第一开口位于所述像素区；沉积第二氧化层，在所述第一开口内形成第一开口阻挡结构；进行第二次干法刻蚀工艺和第三次干法刻蚀工艺，以形成不同深度的像素区的第一沟槽和逻辑区的第二沟槽。通过第二干法刻蚀工艺和第三次干法刻蚀工艺对第一开口阻挡结构、第一氧化层、第一掩膜层和衬底的刻蚀选择比不同，形成不同深度差的像素区第一沟槽和逻辑区第二沟槽。
一种沟槽形成方法

[发明专利]等离子体干法刻蚀工艺的控制方法-CN202011130351.6有效
发明人：李光磊;林永顺;吴庆仁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体干法刻蚀工艺的控制方法，包括步骤：步骤一、选定用于对当前批次晶圆进行等离子体干法刻蚀的反应腔，确定晶圆支撑环随射频时间的消耗而产生的边界逐渐降低区域对晶圆边缘的刻蚀速率的影响；步骤二、将当前批次晶圆放置到反应腔中进行等离子体干法刻蚀工艺，根据步骤一中确定的边界逐渐降低区域对所述晶圆边缘的刻蚀速率的影响，调节等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数，以补偿边界逐渐降低区域对晶圆边缘的刻蚀速率的影响本发明能使晶圆边缘刻蚀深度维持稳定，并能提高反应腔的部件的使用寿命以及增加两次开腔之间的工艺时间，从而降低工艺成本以及提高机台产能。
等离子体刻蚀工艺控制方法

[发明专利]一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法-CN202110919419.7在审
发明人：叶联;马兵;彭泰彦;车东晨;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。本发明提供的方法通过在工艺气体中增加一定比例的氩气以及搭配合适的刻蚀射频功率，能够在保证形貌要求的前提下减少刻蚀残留，从而提高产品的性能和良率。该方法可以运用到大规模量产干法刻蚀AlSiCu产品上，具有良好的市场前景。
一种 ic 生产 alsicu 连接刻蚀方法

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