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[发明专利]消除炉管负载效应的半导体制造方法-CN201310625679.9在审
发明人：江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层-氮化层-氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述产品晶圆和控制晶圆之间及所述产品晶圆和虚拟晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。本发明所述消除炉管负载效应的半导体制造方法消除了在同一批次的栅氧工艺中控制晶圆或虚拟晶圆对产品晶圆产生的负载效应，避免不同的产品晶圆上栅氧厚度出现差异，进而降低了不同产品晶圆上形成的产品的电性偏差。
消除炉管负载效应半导体制造方法

[发明专利]SiC衬底处理方法及结构、晶圆加工方法-CN202211165888.5在审
发明人：梁祺;魏丹珠;迟延庆 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种SiC衬底处理方法及结构、晶圆加工方法，其中，SiC衬底处理方法包括：在缺陷SiC衬底上设置补偿膜得到第一SiC衬底；补偿膜用于保护缺陷SiC衬底进行晶圆正面各加工工艺，得到缺陷SIC衬底对应的晶圆产品；在第一SiC衬底上进行晶圆产品加工工艺，得到缺陷衬底对应的初始晶圆产品；在初始晶圆产品上清洗补偿膜得到第二晶圆产品，并对第二晶圆产品的缺陷处SiC衬底进行削减得到缺陷SIC衬底对应的目标晶圆产品。通过在缺陷SiC衬底上设置补偿膜，实现该缺陷SiC衬底进行晶圆正面各加工工艺，在晶圆加工工艺中得到部分晶圆中间产品或者全部晶圆产品。不仅提升缺陷SiC衬底的利用率，而且提升晶圆产品的良率。
sic 衬底处理方法结构加工

[发明专利]非产品晶圆控制系统及方法、存储介质及电子设备-CN202110334261.7有效
发明人：姜威;钟如洁;陈建志;黄德龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本公开是关于一种非产品晶圆控制系统、非产品晶圆控制方法、计算机可读存储介质及电子设备。该非产品晶圆控制系统包括：监控模块：用于监控非产品晶圆所处的状态；统计模块：用于统计所述非产品晶圆的使用信息；控制模块：用于接收生产指令，并根据所述非产品晶圆所处的状态和所述使用信息对所述非产品晶圆进行控制本公开实现了非产品晶圆的自动化控制管理的目的。
产品控制系统方法存储介质电子设备

[发明专利]用于检测探针卡的特殊晶圆版图排布法及其晶圆的制作-CN201110344193.9无效
发明人：辛吉升;桑浚之 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测探针卡的特殊晶圆版图排布法及其晶圆的制作，其排布方法，包括：1)定义需要在晶圆上实现的产品的个数；2)根据产品个数，把晶圆划分成与产品个数相对应的区域，在每个区域中制作一个产品的IO PAD阵列，形成特殊的晶圆图形；该特殊晶圆的制作，包括：1)根据特殊晶圆版图排布方法，形成特殊的晶圆图形；2)按照晶圆图形的不同区域进行不同产品的生产，获得含有不同产品的一枚特殊晶圆。本发明能对探针卡进行有效地检查和分析，提高了专用检测晶圆的使用率，降低了成本。
用于检测探针特殊版图排布及其制作

[发明专利]一种晶圆类产品电镀上下料设备-CN202110746454.3在审
发明人：续振林;李山水;李毅峰;朱石宝;陈妙芳 -专利权人：厦门柔性电子研究院有限公司;厦门钜德电子科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆类产品电镀上下料设备，包括工作台、晶圆盒装载装置、晶圆机器人、晶圆校准器、翻转机械手、安装拆卸机构、电镀挂具以及晶圆治具；晶圆机器人、晶圆校准器、翻转机械手以及安装拆卸机构均设于工作台上，电镀挂具则设在安装拆卸机构上；晶圆盒装载装置、晶圆校准器和翻转机械手处于晶圆机器人的晶圆取料手臂的操作范围内；安装拆卸机构处于翻转机械手的操作范围内，在上料操作时，是将晶圆类产品连同所述晶圆治具锁附在电镀挂具上，并在下料操作时，是将晶圆类产品连同晶圆治具从电镀挂具上解锁并取下。本发明可实现产品的自动上下料操作，设备操作及控制更灵活，效率高。
一种类产品电镀上下设备

[实用新型]一种晶圆类产品电镀上下料设备-CN202121488353.2有效
发明人：续振林;李山水;李毅峰;朱石宝;陈妙芳 -专利权人：厦门柔性电子研究院有限公司;厦门钜德电子科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆类产品电镀上下料设备，包括工作台、晶圆盒装载装置、晶圆机器人、晶圆校准器、翻转机械手、安装拆卸机构、电镀挂具以及晶圆治具；晶圆机器人、晶圆校准器、翻转机械手以及安装拆卸机构均设于工作台上，电镀挂具则设在安装拆卸机构上；晶圆盒装载装置、晶圆校准器和翻转机械手处于晶圆机器人的晶圆取料手臂的操作范围内；安装拆卸机构处于翻转机械手的操作范围内，在上料操作时，是将晶圆类产品连同所述晶圆治具锁附在电镀挂具上，并在下料操作时，是将晶圆类产品连同晶圆治具从电镀挂具上解锁并取下。本实用新型可实现产品的自动上下料操作，设备操作及控制更灵活，效率高。
一种类产品电镀上下设备

[发明专利]晶圆产品源漏退火工艺的监控方法-CN202011291535.0在审
发明人：姜兰;成鑫华;沈耀庭 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法，包括：步骤一、在当前晶圆上设置多个测试单元，在当前晶圆上完成晶圆产品的源漏注入，源漏注入也同时注入到测试单元中；步骤二、采用应力记忆技术形成一层应力氮化硅；步骤三、进行源漏退火工艺；步骤四、去除应力氮化硅层；步骤五、测试多个测试单元的方块电阻并形成当前晶圆上的测试单元方块电阻面内分布并进而得到源漏退火工艺在当前晶圆上的当前晶圆温度面内分布；步骤六、根据当前晶圆温度面内分布调整晶圆产品的源漏退火工艺以提高下一晶圆温度面内分布的均匀性本发明能及时对源漏退火工艺的温度面内分布进行监控，能提高晶圆产品的电阻和工作电流的均匀度，提高晶圆产品良率。
产品退火工艺监控方法

[发明专利]一种晶圆可接受测试的晶圆影像程式生成方法-CN201410060626.1有效
发明人：王靓;莫保章 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆可接受测试的晶圆影像程式生成方法，包括如下步骤对于一个产品、一个产品流程、一个探针卡，建立对应该产品不同金属层的晶圆影像程式；对各金属层的晶圆影像程式进行分析，获得各金属层晶圆影像程式的共通项与不同项；将各金属层的晶圆影像程式的共通项进行合并，形成该产品最终的晶圆影像程式，该产品最终的晶圆影像程式包括一组共通项和各金属层晶圆影像程式的不同项，本发明减少了晶圆影像程式的数量，便于检索和管理，同时遇到需要修改共通项的时候，只需修改合并的一个晶圆影像程式的相应项目，不需要修改所有金属层的晶圆影像程式，减轻了修改的工作量，也降低了多个修改造成的漏改和改错等错误的风险。
一种可接受测试影像程式生成方法

[实用新型]一种晶圆扩膜装置-CN202221365715.3有效
发明人：曾志东;郭海兵;李林稳;林昌达;刘阳 -专利权人：深圳华工量测工程技术有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆生产技术领域，具体涉及一种晶圆扩膜装置，包括基座、晶圆托板、扩膜板、顶升驱动机构、压板以及下压驱动机构；晶圆托板固定于基座上，所顶升驱动机构固定于晶圆托板的底面上，扩膜板与顶升驱动机构连接；晶圆托板上设置有与扩膜板相配合的扩膜孔；压板设置于晶圆托板的上方，压板与下压驱动机构连接，压板上设置有用于避让扩膜板的避让孔。本实用新型将晶圆产品放到晶圆托板上的指定位置后，通过下压驱动机构驱动压板向下将晶圆产品压紧在晶圆托板上，然后通过顶升驱动机构驱动扩膜板穿过扩膜孔向上顶升晶圆产品，使已经划好片的晶圆间隙扩大；该装置结构简单，且通过下压驱动机构和压板配合能够实现晶圆产品的自动固定。
一种晶圆扩膜装置

[实用新型]一种晶圆外观检测设备-CN202121991248.0有效
发明人：肖治祥;许锐;朱涛;饶兴 -专利权人：苏州精濑光电有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆外观检测设备，属于晶圆检测技术领域，其通过料盒、取料工位、校准工位、检测工位和检测组件的对应设置，能快速实现待测晶圆的存放、取料、校准和检测，利用待测晶圆取料后、检测前的校准作业，可以有效保证晶圆外观检测的准确性，提升晶圆检测的效率。本实用新型的晶圆外观检测设备，其结构简单，设置简便，能准确实现晶圆产品的快速取放料和检测作业，提升晶圆产品检测的精度和效率，降低晶圆产品的检测成本和应用成本，具有较好的实用价值和应用前景。
一种外观检测设备

[发明专利]晶圆晶边清洗装置及晶圆晶边清洗方法-CN201811061241.1在审
发明人：邢磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆晶边清洗装置及晶圆晶边清洗方法，清洗装置包括：晶圆卡盘；位置传感装置，设置于晶圆卡盘上，用于感测晶圆的边缘的至少三个边缘位置坐标；数据处理终端，用于接收各边缘位置坐标，并基于各边缘位置坐标换算出圆心位置坐标，继而将圆心位置坐标与晶圆卡盘中心的位置进行比对，以基于比对结果判断是否继续进行晶圆的晶边光刻胶清洗。本发明可以实时监测晶圆与晶圆卡盘之间的位置关系，判断晶圆是否发生偏移，及时发现缺陷并进行处理，从而在晶圆晶边清洗工艺之前及时调整晶圆的位置，保证在晶圆清理时具有精确的洗边宽度，提高洗边效果，改善了晶圆边缘脱落缺陷，提高产品性能及产品良率。
晶圆晶边清洗装置方法

[实用新型]晶圆承载盘-CN202020227335.8有效
发明人：张小永;周祖武;高毅;李佳 -专利权人：北京市塑料研究所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆制造技术领域，尤其涉及晶圆承载盘，包括盘体，盘体构造有用于水平承载晶圆的承载部以及用于取放晶圆的取放部，取放部与承载部连通。本实用新型盘体上水平设置承载部，采用平铺方式承载晶圆，相较于传统竖向密集放置晶圆的承载装置，本实用新型的平铺承载部更有利于装载晶圆，通过与承载部连通的取放部取装片更加方便，便于观察检测，避免晶圆表面受损，降低了晶圆的在装载和取放过程中的碎片率，在生产晶圆产品过程中，提供更便于生产车间使用的承载盘，提高产品成品率及生产效率等。而且根据晶圆等产品的生产流程及操作习惯，通过对承载部尺寸精细设计可以避免晶圆与外界接触，提高产品品质。
承载

[发明专利]晶圆切割工艺-CN201811340329.7有效
发明人：沈珏玮;李荣 -专利权人：紫光宏茂微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆的正面刻有纵向割道和横向割道，在晶圆的正面贴附研磨胶膜，对晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度，在已减薄后的晶圆的背面贴附背面胶膜，将晶圆通过背面胶膜贴设至晶圆架上，晶圆架用于限制晶圆的移动，去除晶圆架上的晶圆的研磨胶膜，在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻，以在晶圆的正面形成多个参考凹槽，多个参考凹槽围绕形成多边形区域，根据纵向割道和横向割道对晶圆进行切割，本发明公开的晶圆切割工艺可准确的标记出正面参考点的位置，提高晶圆的切割准确度，避免不合格芯片产品掺杂到合格产品中。
切割工艺

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201410748850.X有效
发明人：钟汇才;赵超;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造方法，采用了TSV模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构，其中，TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构，用于提供产品晶圆之间的电连接，形成3D互连。TSV模板晶圆由半导体晶圆减薄而得，降低了刻蚀和填充难度；通过在TSV模板晶圆上设置连接部件，便于上下两片产品晶圆的互连，降低了对准难度，并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。
半导体器件制造方法

[发明专利]提高晶圆上源漏极退火时工作电流均匀性的方法-CN201010555991.1有效
发明人：王祥升;彭东海;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高晶圆上源漏极退火时工作电流均匀性的方法，该方法对产品晶圆上各个区域的工作电流进行测量，得到产品晶圆边缘区域与中心区域具有差异的工作电流，这样通过对产品晶圆的边缘温度的补偿，得到产品晶圆表面一致的工作电流采用本发明的方法大大提高了产品晶圆上源漏极退火时工作电流均匀性。
提高晶圆上源漏极退火工作电流均匀方法

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