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[实用新型]基于TE10模‑TM01模变换结构的高功率机械式微波移相器-CN201720864434.5有效
发明人：张健穹;刘庆想;梁源;李相强;王邦继 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于TE10模‑TM01模变换结构的高功率机械式微波移相器，包括矩形波导TE10模传输段和实现TEM‑TM01模式的转换的同轴‑圆波导传输段；所述同轴‑圆波导传输段包括同轴的内导体组件和外导体组件；所述内导体组件包括依次连接的圆锥台转同轴内导体、内导体增大段、内导体渐变增大段、第一内导体和第二内导体；所述圆锥台转同轴内导体设于所述矩形波导内并靠近所述封闭端；所述第二内导体可沿所述第一内导体的内壁滑动；所述外导体组件包括外导体增大段、外导体渐变增大段和圆波导外导体，所述外导体增大段与所述内导体增大段同轴并与所述矩形波导连接；还包括控制所述第二内导体底部与所述第一内导体底部之间距离的控制结构。
基于 te10 tm01 变换结构功率机械式微波移相器

[实用新型]一种电缆导体-CN201921332636.0有效
发明人：李保安;赵景印;张成斌;褚露露;龚朝晖;林文强 -专利权人：成都普天电缆股份有限公司;成都中菱无线通信电缆有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01B7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电缆技术领域，具体涉及一种电缆导体，所述电缆导体包括绞合导体和包覆于绞合导体外表面的编织导体层。所述绞合导体采用复合式导体单元的方式，所述绞合导体包括若干第一导体单元绞合，所述第一导体包括若干第二导体单元绞合，根据选择面积一直复合到第x导体单元，第x导体单元包括若干根导体单丝束线而成。每组若干导体单元的排列方式都是最多排4层，排列方式为n层，n=2,3,4，从内到外依次设置为第1,2,3,4层，中心第1层设置1个第x导体单元，第2层设置6个第x导体单元，第3层设置12个第x导体单元，第4层设置18个第x单元导体，第n1层围绕着第n1‑1层形成一圈均匀排列。
一种电缆导体

[实用新型]卡连接器-CN202121122753.1有效
发明人：钟轩禾;林昱宏;林永常;叶博文;叶子维;叶语仑 -专利权人：维将科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01R13/6581 文献下载
摘要：本实用新型公开一种卡连接器，包括依序排列之第一讯号传输导体、检测讯号传输导体、第一电源传输导体、命令复归传输导体、单线协议传输导体、第二电源传输导体、第一电源接地传输导体、隔离接地部、第一差分讯号传输导体、第二差分讯号传输导体、功能传输导体、第二电源接地传输导体、第三电源接地传输导体、第三差分讯号传输导体、第四差分讯号传输导体、第四电源接地传输导体、第五电源接地传输导体、第二讯号传输导体、及第三讯号传输导体本技术方案能够避免高频讯号与低频讯号间产生共模噪声，而达到共面波导效应，端子讯号不易降伏与溃缩，配合传输导体组外侧的包覆结构，则具有免铁壳即可裸插的功能。
连接器

[发明专利]半导体装置-CN201480003356.9有效
发明人：陈爽清;市川裕章 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明提供一种使中间电位导体板与正侧导体板相对，且使中间电位导体板与负侧导体板相对，从而可靠地降低电感的半导体装置。该半导体装置包括绝缘基板(11)，该绝缘基板(11)搭载有构成三电平功率转换电路的至少4个半导体元件；配置有该绝缘基板的底板(3)；所述底板上的与所述半导体元件内的一个半导体元件相连的直流正侧电位的正侧导体板(21)；所述底板上的与所述半导体元件内的另一个半导体元件相连的直流负侧电位的负侧导体板(22)；以及所述底板上的与所述半导体元件内的剩余两个半导体元件相连的中间电位的中间电位导体板(23)，所述正侧导体板及所述负侧导体板配置在所述中间电位导体板的附近并与其相对
半导体装置

[发明专利]天线元件、阵列天线、通信单元、移动体以及基站-CN201980042778.X在审
发明人：玉北司;平松信树;吉川博道;中俣克朗 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01Q23/00 文献下载
摘要：天线元件构成为包含第1导体及第2导体、第3导体、第4导体、与第3导体电连接的供电线以及与供电线连接的滤波器。第1导体及第2导体沿第2平面扩展，在与第2平面相交的第1方向上分离地配置。第3导体沿包含第1方向的第1平面扩展，位于第1导体以及第2导体之间。第4导体沿第1平面扩展，与第1导体以及第2导体电连接，且与第3导体分离地配置。滤波器与第4导体重叠地配置。
天线元件阵列通信单元移动以及基站

[发明专利]制动杆以及变速器-CN202080044046.7在审
发明人：猫塚光;平松信树;吉川博道;桥本直 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B62M25/08 文献下载
摘要：天线包含：第1导体、在第1方向上与第1导体对置的第2导体、第3导体、第4导体、和构成为与第3导体电磁连接的供电线。第3导体位于第1导体与第2导体之间，构成为将第1导体与第2导体进行电容性连接，并沿着第1方向扩展。第4导体与第1导体以及第2导体连接，并沿着第1方向扩展。第4导体与长条部对置。
制动以及变速器

[发明专利]用于传输矩形波形的交流电流的多导体电缆-CN200680041879.8有效
发明人： C·斯图德 -专利权人：史蒂德尔德拉特－卡贝尔威克公开有限公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01B9/04 文献下载
摘要：一种用于传输具有至少近似矩形波形的交流电流的多导体电缆，它包括绞合成双导体电缆或四导体电缆的单导体电缆(9)。该单导体电缆(9)分别具有一个细线的柔性的内导体(1)和一个同心地围绕内导体(1)布置的细线的、由一些单个导体形成的配对导体(4)。在内导体(1)和配对导体(4)之间或围绕配对导体地各设有一个绝缘系统(2，3；6，7)。由此由该多导体电缆的同轴结构获得优点，其中各个内导体和配对导体有利地具有精确相同的电导。
用于传输矩形波形交流电流导体电缆

[发明专利]半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法-CN201810309530.2在审
发明人：柳田正道;松浦伸悌 -专利权人：力祥半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括：准备半导体晶圆的预备步骤；去除半导体晶圆的厚度部分的去除步骤；以及分割半导体晶圆的分割步骤。在去除步骤中，以半导体晶圆的第二表面部分隆起的凸肋状部位作为对准标记，使得切割刀能与半导体晶圆对齐。本发明公开的半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法可简化处理与切割半导体晶圆的对准步骤。
半导体晶圆半导体装置去除制造第二表面对准标记简化处理预备步骤切割刀凸肋状对齐分割隆起切割对准

[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管(TFT)架构-CN201880056985.6在审
发明人： J·哈丁 -专利权人：弗莱克因艾伯勒有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种装置，包括：层的堆叠，所述层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
液晶显示器薄膜晶体管 tft 架构

[发明专利]穿戴装置-CN202211374030.X在审
发明人：黄金鼎;洪壐剀;王俊凯;谢国豪 -专利权人：和硕联合科技股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01Q1/44 文献下载
摘要：一种穿戴装置，包括一导体底壳、一导体框、一绝缘件及一电路板。导体框设置于导体底壳的上方，且分离于导体底壳，导体框作为一天线，且包括一馈入端及一第一接地端。绝缘件设置于导体底壳与导体框之间，且阻断导体底壳导通导体框。电路板设置于导体框内，且分离于导体底壳而设置于该绝缘件与该导体框之间，馈入端与第一接地端电性连接至电路板。
穿戴装置

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200510093867.7无效
发明人：畑雅幸;别所靖之;野村康彦;庄野昌幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
半导体激光装置及其制造方法

[实用新型]一种新型射频同轴负载-CN201720328621.1有效
发明人：赵亮 -专利权人：苏州泰莱微波技术有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01P1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型射频同轴负载，包括外导体、绝缘介质、内导体、片状电阻、圆形实心密封垫、后盖、外导体环形面、外导体台阶孔和内导体外侧面；本装置的装配关系为将绝缘介质装入外导体、再将内导体装入绝缘介质、放入片状电阻、片状电阻的前端面应刚好同时接触上外导体的外导体环形面和内导体的内导体外侧面，再装入圆形实心密封垫，后盖，其中后盖的外径与外导体的外导体台阶孔为过盈配合，装入时需要压配。
一种新型射频同轴负载

[实用新型]一种气体绝缘金属封闭开关设备的拐弯导体-CN201620654952.X有效
发明人：张建成;刘斯乐;陈文 -专利权人：湖南长高电气有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02B13/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气体绝缘金属封闭开关设备的拐弯导体，包括壳体以及位于壳体内的进线导体和出线导体组件，所述进线导体与出线导体组件连接，所述出线导体组件包括基准导体、定位轴、用于调节出线角度的活动导体以及用于定位活动导体和基准导体相对位置的限位组件，所述活动导体上设有出线接头，所述定位轴与所述基准导体固定连接，所述活动导体套设于所述定位轴上，本实用新型具有结构简单、出线角度可调、可降低制造成本等优点。
一种气体绝缘金属封闭开关设备拐弯导体

[实用新型]一种射频同轴连接器插座-CN202021013254.4有效
发明人：刘庆宇 -专利权人：江苏和飞航天电子有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01R24/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及射频同轴连接器领域，公开了一种射频同轴连接器插座，包括外导体和中心导体，所述中心导体位于外导体内部，所述外导体和中心导体之间设置有绝缘填充物，所述外导体包括外导体外固件和外导体内套件，所述外导体内套件贴合在外导体外固件内部，所述外导体外固件为金属外固定件，所述外导体内套件为镀金金属材质套件。
一种射频同轴连接器插座

[发明专利]半导体装置-CN201510075482.1在审
发明人：生野徹 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体装置具备：第1、第2、第3半导体区域；第1、第2电极；设置在第1半导体区域上并具有第4半导体区域和第5半导体区域的第1整流元件；设置在未设置第2半导体区域并且未设置第1整流元件的第1半导体区域上并具有第6半导体区域和第7半导体区域的第2整流元件；设置在第1半导体区域的上侧、与第3半导体区域电连接、与第1整流元件的第4半导体区域中的任一第4半导体区域及第2整流元件的第6半导体区域的任一第6半导体区域电连接的第3电极；以及设置在第1半导体区域的上侧、与第2电极电连接、与第1整流元件的任一第4半导体区域以外的第4半导体区域及第2整流元件的任一第6半导体区域以外的第6半导体区域电连接的第4电极。
半导体装置