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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]气溶胶产生装置及其微波加热装置-CN202111579843.8在审
发明人：梁峰;杜靖;张益 -专利权人：深圳麦时科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H05B6/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种气溶胶产生装置及其微波加热装置，所述微波加热装置包括基片集成波导结构以及同轴连接器；所述同轴连接器包括内导体和外导体，所述基片集成波导结构包括依次排布的第一金属层、介质基片层和第二金属层，所述第一金属层与所述内导体连接，所述第二金属层与所述外导体连接。
气溶胶产生装置及其微波加热

[发明专利]半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质-CN202011120582.9在审
发明人：梁赛嫦;杨发森;吴佳蒙;史波;肖婷 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
半导体器件塑封选取方法装置终端设备存储介质

[发明专利]半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质-CN202210047617.3在审
发明人：邢勇军;黄新宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质。半导体器件的测试方法包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据跨导和栅极电压，获得跨导与栅极电压的关系曲线；根据跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值采用本公开的半导体器件的测试方法，通过所获得峰值跨导值和与其相邻的跨导值的比值小于预设值，可以准确确定最大跨导值，以能准确根据最大跨导值来确定半导体器件的阈值电压。
半导体器件测试方法装置设备存储介质

[发明专利]夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备-CN202110703943.0在审
发明人：禹仲范;金秀赫;李炳昊;林泰焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开提供夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备。半导体制造设备可包括配置成拾取半导体芯片的夹头结构。夹头结构可包括保持器、板、吸引构件和边缘接触部。保持器可配置成向下接收真空。吸引构件可与板接触以使用从板接收的真空拾取半导体芯片。边缘接触部可包括具有第一长度的突出部，该突出部从保持器的底表面的边缘部突出以与板接触。
夹头结构包括半导体制造设备

[发明专利]一种基于光敏半导体材料的磁场探测装置-CN202111352394.3在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及基于光敏半导体材料的磁场探测装置。绝缘弹性层设置在衬底层上，光敏半导体部设置在绝缘弹性层上的中部，第一导电部和第二导电部分别设置在绝缘弹性层上的两端，半导体材料部的两端分别与第一导电部和第二导电部固定连接，第一导电部和第二导电部的高度大于光敏半导体部的高度
一种基于光敏半导体材料磁场探测装置

[发明专利]一种具有多分支电流带结构的离子回旋加热天线-CN202111675609.5在审
发明人：张伟;梁启超;秦成明;张新军;刘鲁南;朱光辉;王永胜;杨桦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多分支电流带结构的离子回旋加热天线，包括有馈口内导体、馈口外导体、多个电流带托板、多个四分支电流带、天线外壳、法拉第屏蔽。所述馈口内导体与所述电流带托板连接，电流带托板与四分支电流带连接，四分支电流带末端与天线外壳连接，天线外壳与馈口外导体连接。其中，四分支电流带以并联的方式与电流带托板连接。
一种具有分支电流结构离子回旋加热天线

[发明专利]三维存储器及其制备方法和三维存储器系统-CN202111648352.4在审
发明人：谢景涛;颜丙杰;王迪;周文犀;陈阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法和三维存储器系统，三维存储器包括：堆叠层、下沟道牺牲结构和第一虚拟沟道结构，堆叠层位于半导体层上且包括：台阶部；核心部，位于所述台阶部的相对两侧；以及堆叠墙，桥接所述核心部且连接所述台阶部的靠近所述半导体层的一部分；下沟道牺牲结构贯穿所述堆叠墙并设置在所述半导体层中；第一虚拟沟道结构贯穿所述台阶部并设置在所述半导体层中，第一虚拟沟道结构的径向尺寸大于所述下沟道牺牲结构的径向尺寸。
三维存储器及其制备方法系统

[发明专利]软件定义的硅实现和管理-CN202080062519.6在审
发明人： K·K·巴特法-沃尔库特;A·贝伦特;V·奇卢库里;M·鲍德温;V·斯里尼瓦桑;V·罗斯;M·奥里奥尔;J·奇尔克祖克;B·格托瓦尔斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本文公开的示例半导体器件包括可配置成用于提供一个或多个特征的电路系统。公开的示例半导体器件还包括许可处理器，用于基于经由网络从第一远程企业系统接收的许可来激活或停用一个或多个特征中的至少一个特征。公开的示例半导体器件进一步包括分析引擎，用于向第一远程企业系统或第二远程企业系统中的至少一个报告与半导体器件的操作相关联的遥测数据，该分析引擎用于响应于基于许可的一个或多个特征中的至少一个特征的激活或停用而报告遥测数据
软件定义实现管理

[发明专利]微刻结构、半导体器件模块及其塑封方法-CN202111314035.9在审
发明人：袁忠发;晁苏洋 -专利权人：联合汽车电子有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种微刻结构包括：多个形成在半导体器件模块覆金属基板非功能区域的微刻单元，所述微刻单元形成为凹陷结构。本发明还公开了一种具有所述微刻结构的半导体器件模块，以及所述半导体器件模块的塑封方法。本发明通过激光刻蚀工艺在半导体器件模块覆金属基板非功能区域的微刻单元，微刻单元结构增加了树脂与金属表面的接触面积，同时由于微刻蚀结构的锚定作用，可以显著增强界面强度，既不影响注塑EMC的流动性，又可以获得较佳的粘结强度
结构半导体器件模块及其塑封方法

[发明专利]半导体处理装置-CN202111076005.9在审
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；第二腔室部。第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并在晶圆边缘处共同形成边缘微处理空间，容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽借助边缘微处理空间，本发明能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。
半导体处理装置

[发明专利]一种半导体生产用清洗设备-CN202111235430.8在审
发明人：鲁强 -专利权人：鲁强
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体生产用清洗设备，所述半导体生产用清洗设置包括：底板和所述底板上表面两侧呈竖直设置的两个支撑柱，所述支撑柱用于对所述半导体生产用清洗设置中零部件起到支撑与固定；驱动部件，所述驱动部件包括安装架且固定在两个所述支撑柱之间，本发明在夹持部件旋转的时固定在旋转杆上的行星齿与固定集水腔上的太阳齿啮合，在太阳齿不动的情况下，夹持部件在围绕集水腔旋转的同时自身也在转动，能够配合集水腔上的雾化喷口喷出的清洗液，达到对半导体板更好的清洗效果
一种半导体生产清洗设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004519.5在审
发明人：赵起越;石瑜 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、第一和第二电极、第一栅极电极、第一和第二场板。所述第一场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一栅极电极之间的区延伸到所述第一栅极电极的正上方的区。所述第二场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一场板之间的区延伸到所述第一场板的正上方的区。所述第二场板与所述第一栅极电极水平地间隔开。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有制冷功能的头盔-CN202111413335.2在审
发明人：赵彦涛;韩丽伟;胡先同;李利;李岩峰;王华东;颜克松;邢新博 -专利权人：中国人民解放军总医院第四医学中心
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： A42B3/04 文献下载
摘要：其设置于所述头盔本体的内侧以与所述头盔本体的内壁围成腔室，所述头盔本体上开设有贯通所述腔室的进气口和出气口；风扇，其设置于所述头盔本体的出气口处，所述风扇用于向所述腔室内吸气，以使得所述腔室内形成从所述进气口流向所述出气口的气流；半导体制冷片，其设置于所述隔板上，且使所述半导体制冷片的吸热端朝内，所述半导体制冷片的散热端朝向所述腔室；控制模块，其设置于所述头盔本体上，所述控制模块配置成：用于向所述风扇以及所述半导体制冷片通电并控制两者的运行
具有制冷功能头盔

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011094813.3在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、栅极结构及自对准接触结构，其中：衬底包括源极和漏极；栅极结构形成于衬底上，且位于源极和漏极之间；自对准接触结构形成于衬底上，并在垂直于衬底的方向上包括依次连接的第一接触结构、第二接触结构及第三接触结构本公开的半导体器件及其形成方法可减小接触电阻，降低工艺难度。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管-CN202111434901.8在审
发明人：高巍;陕晏玮;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管具有结型场效应管区、金属氧化物半导体电容结构、正向二极管区、反向二极管区。
一种反向恢复电荷金属氧化物半导体二极管

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