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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910052450.8在审
发明人：畑佐启太;竹田洋之;高萩智 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体元件；第一导体，经由第一焊料层而接合于半导体元件的上表面；及第二导体，经由第二焊料层而接合于第一导体的上表面。第一导体具备在与第一导体的上表面相邻的侧面沿着半导体元件、第一导体及第二导体的层叠方向设置的至少一个槽。
导体半导体元件半导体装置上表面接合焊料层层叠方向制造侧面

[发明专利]半导体装置、接面电路及制造半导体装置的方法-CN202210233305.1在审
发明人：张任远;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体装置、接面电路及制造半导体装置的方法，半导体装置包括第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒，其中第二半导体晶粒包括接合至第一半导体晶粒的侧表面，使得第二半导体晶粒垂直于第一半导体晶粒。半导体装置还包括接面电路，用于将第一半导体晶粒连接至第二半导体晶粒。
半导体装置电路制造方法

[实用新型]一种同轴连接器及通讯设备-CN200820005022.7无效
发明人：彭安楠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01R24/02 文献下载
摘要：一种同轴连接器包括外导体与内导体，所述的外导体套于内导体外侧且在外导体与内导体间设有绝缘体；且所述的外导体与内导体均为一体结构。可见，采用本实用新型的实施例的同轴连接器由于内导体与外导体均为一体化的结构形式，可以同时避免内导体焊接短路或开焊，以及外导体容易脱落失效的缺陷。
一种同轴连接器通讯设备

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN201110254450.X在审
发明人：齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910093770.8在审
发明人：筑山慧至;青木秀夫;川户雅敏;三浦正幸;福田昌利;本间庄一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：布线衬底；第一半导体衬底设置在布线衬底的上方，且在表面形成着第一半导体电路的存储器衬底；第二半导体衬底设置在第一半导体衬底与布线衬底之间，比第一半导体衬底厚，且在表面形成着第二半导体电路的存储器衬底；凸块设置在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间，将第一半导体衬底与第二半导体衬底电连接；第一粘接性树脂设置在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间，粘接第一半导体衬底与第二半导体衬底；密封树脂形成在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间、第二半导体衬底与布线衬底之间及第一半导体衬底与第二半导体衬底的周围，将第一半导体衬底与第二半导体衬底密封。
衬底半导体布线半导体电路半导体装置表面形成存储器粘接性树脂密封树脂凸块设置导体电连接粘接密封制造

[发明专利]半导体装置以及其控制方法-CN202110207897.5在审
发明人：诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子;罇贵子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式涉及半导体装置及其控制方法。半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层、选择性地设置在第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层、选择性地设置在第二半导体层上并与第三半导体层并排的第二导电型的第四半导体层及第二导电型的第五半导体层第一半导体层位于第二半导体层与第五半导体层之间。第四半导体层在与第二半导体层的上表面平行的平面内，第四半导体层的面积具有比第三半导体层的面积大的面积。半导体装置还具备：控制电极，设置在从第三半导体层的上表面至第一半导体层中的深度的沟道的内部；第一电极，与第三半导体层电连接；及第二电极，与第四半导体层电连接。
半导体装置及其控制方法

[发明专利]半导体器件-CN201310027193.5无效
发明人：内城竜生 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高元件的耐性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，具有第1半导体区域和第2半导体区域沿着相对第1半导体层与第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；第4半导体层，具有第3半导体区域和第4半导体区域沿着第1方向交替排列的构造；以及第5半导体层，设置于所述第3半导体区域上以及所述第4半导体区域上。第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体层和第4半导体层的界面与第5半导体层的下端之间的第1长度比界面与第2半导体层的上端之间的第2长度长。
半导体器件

[实用新型]车辆温差电力系统及包含该系统的汽车-CN201020691866.9有效
发明人：康飞;胡亮;艾维全;童荣辉;赵玉超;饶志明;李琳;邱鹏;柳鸣;刘永;何国民;邵铂然;王琪;李丽 -专利权人：上海汽车集团股份有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：所述系统包括设置在所述车辆发动机舱内的温差发电机以及与所述温差发电机电性连接的蓄电池；所述温差发电机包括电性连接的第一导体组和第二导体组，所述第一导体组和第二导体组均包括第一导体及与所述第一导体材料不同的第二导体；所述第一导体组中，第一导体与第二导体串行连接，所述第二导体组中，第一导体与第二导体串行连接；所述第一导体组与所述第二导体组串行连接；其中，所述第一导体组中第一导体与第二导体的连接部及第二导体组中第一导体与第二导体的连接部，和所述第一导体与所述第二导体的连接部分别设置在发动机舱内不同的温差面。
车辆温差电力系统包含系统汽车

[发明专利]由多个磁导体组成的磁导体结构-CN201810070341.4在审
发明人：蔡明球;詹其哲 -专利权人：富达通科技股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01F38/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁导体结构，用于一线圈模块，该线圈模块包含一线圈，该磁导体结构包含一底层磁导体、一内磁导体及一外磁导体。该底层磁导体设置于该线圈的一面，该底层磁导体是由多个第一磁导体组合而成。该内磁导体设置于该线圈的内侧，该内磁导体是由多个第二磁导体组合而成。该外磁导体设置于该线圈的外侧，该外磁导体是由多个第三磁导体组合而成。 1
磁导体导体磁导体结构内磁外磁线圈模块

[发明专利]一种离相封闭母线导体端子的制作方法-CN201910815315.4在审
发明人：包龙卿;黄如根;秦传俭;黄奎 -专利权人：山东达驰阿尔发电气有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01R43/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种离相封闭母线导体端子的制作方法，其包括以下步骤：导体端子下料尺寸及材质的确定；导体端子的下料及加工；机加工后导体端子表面毛刺的处理；导体端子的卷环加工；导体端子搭接面的镀银处理；导体端子与导体的焊接本发明通过导体端子材料及规格的选择，导体端子下料及加工方法，导体端子的卷环加工，导体端子表面的镀银处理，导体端子与导体的焊接等方法，加工精度高，制作简单，导电性能好。
导体端子加工导体镀银处理焊接离相封闭母线表面毛刺导电性能机加工搭接下料制作

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201811602460.6有效
发明人：许平 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含一半导体层、一第一导体、一第二导体以及一熔丝。该第一导体设置于该半导体层之上。该第二导体设置于该第一导体之上。该熔丝设置于该第一导体以及该第二导体之间，其中该熔丝包含一导电部以及由该导电部所围绕的一不导电部，该导电部接触该第一导体以及该第二导体，且该不导电部接触该第二导体。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]断路器-CN95107358.3无效
发明人：加藤和彦;嶋野辉美;山崎李行;西川清;五十岚昂 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-06-08 - 公布日： 2000-05-24 - 主分类号： H01H73/00 文献下载
摘要：有电源侧第一固定导体，负荷侧第二固定导体，介于这两固定导体之间的中间固定导体，还有第一动导体和第二动导体分别置于每个电源侧和负荷侧固定导体与中间固定导体之间，与每一个导体组成串联电气通道，其中，分／合机构基本上同时打开在第一固定导体和中间固定导体之间以及在中间固定导体和第二固定导体之间的动导体
断路器

[实用新型]串联偶极天线-CN200920218253.0有效
发明人：罗培彰;蔡济安;黄荣益 -专利权人：普翔电子贸易(上海)有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01Q9/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联偶极天线，其包含：一讯号线、一接地导体、第一辐射导体、一绕线、第二辐射导体；该绕线介于第一、二辐射导体之间，该第一辐射导体介于接地导体与绕线之间，以使第一辐射导体分别连接讯号线的导体与绕线，第二辐射导体一端连接绕线，一寄生导体位于该第一辐射导体与接地导体之间，以使寄生导体的一端与接地导体连接。
串联天线

[实用新型]电动汽车交直流充电电缆-CN201220050192.3有效
发明人：喻敏;关勇 -专利权人：无锡鑫宏业特塑线缆有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01B7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了电动汽车交直流充电电缆，包括快充导体、地线导体、慢充导体、信号导体，所述快充导体、地线导体、慢充导体、信号导体均套接有绝缘层，所述快充导体、地线导体、慢充导体、信号导体共同外侧从内向外依次包裹有包绕层、中被、屏蔽层、编织层、阻水带和护套，所述各导体之间及导体和包绕层之间均填充有填充物。
电动汽车直流充电电缆

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910227977.X在审
发明人：蔡宏奇 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一第二半导体层与一第二半导体层、以及一第一连结导体、一第二连结导体与一第三连结导体。该第二半导体层设于该第一半导体层之上。该第一连结导体设于该第一半导体层之上。该第二连结导体设于该第二半导体层之上。该第三连结导体包括由该第一连结导体与该第二连结导体形成的一硅化物材料。
半导体结构及其制造方法

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