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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]动态随机存取存储器及其程序化方法-CN202110108574.0在审
发明人：陈朝阳;董明圣 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存取存储器及其程序化方法，其分为两个阶段。在第一阶段中，击穿该动态随机存取存储器的记忆单元的电容，以使该动态随机存取存储器成为一次可程序化存储器。在第二阶段中，降低被击穿的电容的阻值，以使该记忆单元的状态资料可以更容易被判读。因此本发明可提供一种小面积的一次可程序化存储器。
动态随机存取存储器及其程序化方法

[发明专利]存储器装置的控制方法-CN202011220703.7在审
发明人：柯昱州;郑世宏;陈俊嘉 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置的控制方法，所述存储器装置的控制方法利用一反相资料来标记储存在一记忆区块中的资料为反相状态或非反相状态，以使该记忆区块在写入资料时，该记忆区块中变更资料状态的位元数量不会大于该记忆区块的总位元数的一半，减少能量消耗。本发明的控制方法还可以利用该反相资料来标记具有不佳位元的记忆区块以及选择修复该具有不佳位元的记忆区块的备用区块。
存储器装置控制方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其操作方法-CN202010842743.9在审
发明人：董明圣;林文钦 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器，所述磁阻式随机存取存储器包括多个输入输出单元，每个输入输出单元可以同时读写多个存储单元，因此该磁阻式随机存取存储器读写列到列延迟时间tCCD(Column to Column Delay)可以相当于或快于动态随机存取存储器，进而得到与动态随机存取存储器相同或更快的数据速率(data‑rate)。
磁阻随机存取存储器及其操作方法

[发明专利]存储器的修复电路及方法-CN202010381917.6在审
发明人：林金溪 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器的修复方法，是将多个一般位元分为多个第一群组，并将多个多余位元分为多个第二群组，当任一个第一群组中具有不佳位元时，选择一个第二群组来取代该第一群组。由于是以群组为修复单位，因此修复电路较为简单且面积较小，处理速度也更快。
存储器修复电路方法

[发明专利]单次可程序化位元的形成方法-CN202010461119.4在审
发明人：柯昱州 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开一种单次可程序化位元的形成方法，首先，提供一薄膜存储器装置，其包含至少一个存储器元件与一晶体管，且存储器元件电性串联晶体管。接着，在一交流电流的复数周期中，施加交流电流于存储器元件与晶体管，并限制提供给存储器元件的功率，且导通晶体管，以改变存储器元件的电阻，直到存储器元件的电阻发生不可逆改变为止。本发明利用双极性电流对薄膜存储器装置施压，并限制提供给存储器装置的功率，以达到较低崩溃电压，同时缩小崩溃后的电阻分布范围。
单次可程序化位元形成方法

[发明专利]一种存储器电路及其存储器修补方法-CN202010673163.1在审
发明人：邱创隆 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器电路及其存储器修补方法。所述存储器电路，包括一第一存储器阵列以及一第二存储器阵列，所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列是各自独立的，所述第一存储器阵列包括多个一般位元，所述第二存储器阵列包括多个备用位元，所述第一存储器阵列中的不佳位元的位址储存在第二存储器阵列中，所述存储器电路根据所述位址让多个所述备用位元的其中一个取代不佳位元。
一种存储器电路及其修补方法

[发明专利]重新排序存储器位元的方法及重新排序电路以及累加电路-CN201911416116.2在审
发明人：林金溪 -专利权人： 珠海南北极科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种重新排序存储器位元的方法，其中包括：提供多个位元修补资料分别对应多个存储器位元以供标记对应的存储器位元是否为不佳位元；根据该多个位元修补资料产生多个选择信号；根据该多个位元修补资料及该多个选择信号或根据该多个选择信号从该多个存储器位元中选取多个良好的存储器位元并分别耦接至该存储器的多个输入输出端。
重新排序存储器位元方法电路以及累加

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