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[发明专利]多晶硅生产-CN201180035407.2无效
发明人：科里施纳库马尔·M·嘉亚卡;乌尔班·R·库尔特根 -专利权人：瑞科硅公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：使用这样的CVD反应器系统从富含硅的气体生产多晶硅。
多晶生产

[发明专利]多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备-CN202011061643.9在审
发明人：安重镒;李相遇;金成基;熊文娟;崔恒玮;田光辉;蒋浩杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。
多晶生产设备清洗方法装置

[发明专利]一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法-CN201810786559.X在审
发明人：王体虎;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;刘军;陈海宝;李英;马英红;张宝顺 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体涉及一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法。本发明提供的棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法，采用包括三氯氢硅的原料制备棒状多晶硅，将制备棒状多晶硅的尾气中产生含有的二氯二氢硅作为颗粒硅制备步骤的原料，同时，所述颗粒多晶硅制备步骤所得的尾气中包含有用于制备所述棒状多晶硅的原料三氯氢硅相较于传统的单独棒状多晶硅或颗粒多晶硅生产工艺，本发明所述方法可以联合生产棒状多晶硅和颗粒多晶硅，具有工艺流程短、工艺共容、产业化成本低的优势。本发明产生的两种多晶硅产品具有强烈互补性，可以提升晶体生长环节的生产效率。本发明所述方法是一种绿色节能的多晶硅生产方法。
棒状多晶硅颗粒多晶硅联合生产制备三氯氢硅多晶硅种棒尾气制备技术领域多晶硅产品多晶硅生产二氯二氢硅晶体生长生产效率原料制备工艺流程产业化传统的晶体硅颗粒硅生产工艺互补性节能环节

[发明专利]一种多晶硅质量控制评价方法及装置-CN202211345920.8在审
发明人：杨帅;侯雨;高静;银波;朱晓明;甘新业;候春霞;王新月;李云鹏 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅质量控制评价方法及装置，涉及多晶硅质量控制技术领域。该方法包括获取多晶硅生产系统的生产参数信息，所述生产参数信息包括一下至少一项：所述多晶硅生产系统在预设时间段内的原料输入量，以及，多晶硅生产过程中所述多晶硅生产系统的过程能力指数、半成品的合格率、杂质粒子数量；根据所述生产参数信息，得到所述多晶硅质量控制的评价结果。本发明的方案，根据多晶硅生产系统的生产参数信息，从多晶硅生产的各个流程对多晶硅的质量控制进行评价，提升了多晶硅生产系统的稳定性。解决了多晶硅的质量控制主要集中于冷氢化工序以及原料工序等物料及气系统进行生产的优化控制，对多晶硅的质量控制不完善且不稳定的问题。
一种多晶质量控制评价方法装置

[发明专利]一种多晶硅生产的控制方法、系统-CN202011526351.8在审
发明人：王文;范协诚;张兆东;冯留建;赵鹏;张霞飞;谢瑞;宋高杰 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司;新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产的控制方法，包括：对多晶硅生产设备进行优化控制，以获取优化后的设备参数；根据优化后的设备参数对所述多晶硅生产设备进行改进；对改进后的多晶硅生产设备的多晶硅生产过程进行优化控制，以获取目标多晶硅产品相应的，还公开一种多晶硅生产的控制设备。该控制方法和设备可实现准确控制多晶硅生产的过程，提高产品质量。
一种多晶生产控制方法系统

[发明专利]一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子级多晶硅的方法-CN201510916659.6在审
发明人：宋东明;韩小月;陈丽娟;耿志萍;王金;王岭;赵生艳;李俊朝;赵桂洁;蔡永明;陆大军;马启坤;任玖阳;周万礼 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备多晶硅的系统和方法。本发明提出的制备多晶硅的系统和制备多晶硅的方法是利用还原回收的三氯氢硅来生产高品质电子级多晶硅产品，高品质电子级多晶硅的产量大而稳定，同时也实现了高品质电子级多晶硅产品和太阳能级以上多晶硅产品的专职区隔生产，以保障不同品质多晶硅产品的生产，以此来满足不同品质多晶硅产品的需要。
一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子多晶方法

[发明专利]太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-CN201710756829.8在审
发明人：相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
太阳能级多晶硅电子级多晶硅氢气氯硅烷太阳能级生产尾气初级提纯电子级提纯粗制联产生产期间生产能力

[发明专利]改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法-CN201610629901.6有效
发明人：赵丽丽 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法，涉及改良西门子法生产多晶硅的方法。本发明解决现有改良西门子法多晶硅生产条件受热力学的限制，存在能耗高、转换效率低、生产成本高的问题。方法将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。或将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，利用补料管路分别连接每个多晶硅还原炉设备的入口，得到串联设备，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。
改良西门子多晶还原尾气回收循环再利用生产制造方法

[实用新型]一种多晶硅破碎系统-CN201821544021.X有效
发明人：王体虎;肖建忠;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王生红 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：在本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅破碎系统。本实用新型的多晶硅破碎系统包括了破碎装置，破碎装置包括用于对多晶硅进行加热的加热腔和用于对加热后的多晶硅进行冷却的冷却腔。冷却腔内具有冷却水可以对多晶硅进行冷却。利用本实用新型的实施例的多晶硅破碎系统，可以对多晶硅进行加热并冷却，使多晶硅因冷却导致的晶间应力而破碎。使用本申请中的多晶硅破碎系统减少了传统破碎方法的反复敲击过程中，破碎设备(比如合金锤、反应器)对多晶硅的接触，因此减少了多晶硅受污染的几率，生产的多晶硅品质得到改善。同时该方法减少了破碎多晶硅使用的人力，节约了成本。
多晶硅破碎系统本实用新型冷却加热破碎破碎装置冷却腔多晶硅生产破碎设备反应器加热腔冷却水敲击合金节约申请污染生产

[发明专利]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置及其调节方法-CN201110141514.5有效
发明人：李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 -专利权人：上海森松化工成套装备有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置，所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时，可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象；多晶硅生产前期与后期，通过调节中心出气口与非中心出气口，来控制混合气的出气量，保证混合气在多晶硅本发明实施和操作简单，并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。
多晶 cvd 混合进出调节装置及其方法

[发明专利]一种多晶硅自动破碎生产系统-CN201810555741.4在审
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌;金珍海;史明香 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅自动破碎生产系统。本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统，包括第一运输装置、预破碎装置、第二运输装置、破碎装置、筛分装置以及包装装置。在使用过程中，多晶硅硅棒通过第一运输装置内的预破碎装置将多晶硅棒破碎为预设长度的多晶硅段料，多晶硅段料经过第二运输装置运送至破碎装置进行充分的破碎，破碎为多晶硅块料；多晶硅块料经过筛分装置后进入包装装置本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统实现多晶硅破碎的自动化，破碎效率高，无需较多人工参与，大幅提高产品品质。
多晶硅破碎生产系统运输装置破碎包装装置多晶硅块破碎装置筛分装置预破碎多晶硅硅棒产品品质多晶硅棒人工参与预设自动化运送

[发明专利]多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用-CN201910414330.8有效
发明人：宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及硅制造领域，特别涉及多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用。所述多晶硅选择方法，包括以下步骤：将多晶硅原料切割为多晶硅板；对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样；在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料。该多晶硅选择方法，可以通过肉眼直接观察的方式，判断并选择出较为适合用于直拉法的多晶硅原料，所述方法简单、快速、明确，且判断的准确率高。本发明选择出的多晶硅原料经过直拉法生产单晶硅时，融化速度快，较少出现错乱，解决了由于多晶硅原料筛选不当导致的单晶硅的质量差、生产效率低的问题。
多晶选择方法及其直拉法中的应用

[发明专利]栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法-CN201210268972.X有效
发明人：陈瑜;赵阶喜;罗啸 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化硅；进行离子注入形成栅极多晶硅的掺杂；在第一层多晶硅上形成钨硅层；依次对钨硅层和第一层多晶硅进行刻蚀。本发明中的栅极多晶硅和多晶硅电阻都是采用同一次生长的多晶硅形成，且是一次刻蚀工艺对同一多晶硅进行刻蚀形成栅极多晶硅和多晶硅电阻，所以本发明能减少工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
栅极多晶电阻集成制作方法

[实用新型]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置-CN201120176127.0有效
发明人：李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 -专利权人：上海森松化工成套装备有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置，所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时，可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象；多晶硅生产前期与后期，通过调节中心出气口与非中心出气口，来控制混合气的出气量，保证混合气在多晶硅本实用新型，实施和操作简单，并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。
多晶 cvd 混合进出调节装置

[实用新型]一种用于多晶硅生产的破碎筛分磁选系统-CN202222985976.1有效
发明人：王跃强;时梁 -专利权人：四川博利琦自动化设备有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于多晶硅生产的破碎筛分磁选系统，属于多晶硅加工设备技术领域，以解决现有的多晶硅在加工的过程中需要进行多次的转运，在转运的过程中会有大量粉尘产生，也容易对多晶硅造成污染的问题，包括多晶硅破碎机、多级筛分机和多级磁选机，多级筛分机的底端安装有底座，多晶硅先通过多晶硅破碎机3进行破碎作业，然后经过多级筛分机5的筛分，最后经过多级磁选机7进行磁选除杂作业，由此即可得到所需的多晶硅，由此来减少多晶硅在生产过程中出现的转运次数，从而提高生产的效率，通过除尘结构6对生产过程中产生的粉尘进行收集作业，而且也能够防止最终得到的多晶硅中含有粉尘，从而保证多晶硅的质量。
一种用于多晶生产破碎筛分磁选系统

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