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[发明专利]CVD薄膜及其刻蚀处理方法-CN201611079865.7有效
发明人：李松举;李成;祝汉泉;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提出一种CVD薄膜及其刻蚀处理方法，其中刻蚀处理方法包括：在CVD腔室内通入点火介质并点火，所述CVD腔室内放置有CVD薄膜；在所述CVD腔室内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体的等离子体对所述CVD上述CVD薄膜及其刻蚀处理方法，通过在CVD腔室内通入刻蚀气体对CVD薄膜进行刻蚀，使得薄膜的成膜和刻蚀均能通过CVD设备实现，减少产品在不同岗位之间的流通次数，从而能提高生产效率。
cvd 薄膜及其刻蚀处理方法

[发明专利]制造多个单晶CVD合成金刚石的方法-CN202310886790.7在审
发明人： C·J·H·沃特;D·J·特维切;J·L·科林斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种制造多个单晶体CVD合成金刚石的方法，该方法包括：用多晶CVD金刚石材料的层涂覆载体基底；将多个单晶金刚石基底结合到载体基底上的多晶CVD金刚石材料层；在所述多个单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料以形成多个单晶CVD金刚石；和将所述多个单晶CVD金刚石从载体基底上的多晶CVD金刚石材料层以及在所述多个单晶CVD金刚石之间生长的任何多晶CVD金刚石材料分离，以便产生多个单独的单晶CVD金刚石。
制造多个单晶 cvd 合成金刚石方法

[发明专利]制造多个单晶CVD合成金刚石的方法-CN201680068394.1在审
发明人： C·J·H·沃特;D·J·特维切;J·L·科林斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种制造多个单晶体CVD金刚石的方法，该方法包括：用多晶CVD金刚石材料的层涂覆载体基底；将多个单晶金刚石基底结合到载体基底上的多晶CVD金刚石材料层；在所述多个单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料以形成多个单晶CVD金刚石；和将所述多个单晶CVD金刚石从载体基底上的多晶CVD金刚石材料层以及在所述多个单晶CVD金刚石之间生长的任何多晶CVD金刚石材料分离，以便产生多个单独的单晶CVD金刚石。
单晶多晶基底单晶金刚石材料层材料分离基底结合金刚石单晶体生长涂覆制造合成

[发明专利]消除CVD-ZnSe缺陷的方法-CN202011582585.4在审
发明人：王和风;于金凤;刘羊 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，其包括步骤：S1：对CVD‑ZnSe晶片进行研磨抛光，得到CVD‑ZnSe抛光片；S2：将CVD‑ZnSe抛光片用酒精擦拭表面，然后置于热等静压炉的装料框中，在CVD‑ZnSe抛光片的上下表面分别放置隔离垫片，然后合炉；S3：对热等静压炉抽真空并通入氩气，控制热等静压炉内的热压压力为100‑200Mpa，升高炉体温度至热压温度达到500‑800℃，然后对CVD‑ZnSe抛光片热等静压；S4：热等静压完成后，将热等静压炉降至室温并泄压恢复常压；S5：CVD‑ZnSe抛光片经过热等静压处理后成为CVD‑ZnSe晶片，取出CVD‑ZnSe晶片；S6：对CVD‑ZnSe晶片研磨抛光获得无缺陷的CVD‑ZnSe晶片。本公开的消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，有效消除了云雾缺陷，提高了CVD‑ZnSe抛光片的光学透光率。
消除 cvd znse 缺陷方法

[发明专利]用于CVD设备的方法及相应的CVD设备-CN202010775283.2有效
发明人：吴科俊;陈金元;胡宏逵 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供用于CVD设备的方法及相应的CVD设备。所述方法首先将托盘的温度控制成不高于第一预设温度，并将完成制绒清洗的硅片放置到所述托盘中；然后将承载有硅片的托盘传送至CVD设备的CVD反应腔，并在所述CVD反应腔中通过CVD工艺在硅片上形成CVD膜；接着将承载有完成CVD工艺的硅片的托盘传送出CVD反应腔。
用于 cvd 设备方法相应

[实用新型]一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条-CN201720096043.3有效
发明人：陈继锋;李卫 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B24D15/00 文献下载
摘要：一种成核面镜面抛光的CVD多晶金刚石磨条，属于CVD金刚石磨粒磨条技术领域。热丝CVD、直流喷射CVD法或者微波CVD法生长的金刚石膜原料片被研磨至磨粒厚度尺寸公差范围内，有成核面及生长面。CVD多晶金刚石磨条是热丝CVD、直流喷射CVD、或者是微波CVD法生长的金刚石膜。CVD多晶金刚石磨条是条状和粒状、或者是方片状、三角状以及其他异形金刚石膜坯料。本实用新型的优点是可以解决CVD多晶金刚石磨粒磨条的质量检测，金刚石膜的成核面经过镜面抛光后，微小的缺陷和裂纹都将清晰可见，而且很容易区分成核面和生长面，这将有助于剔除不合格的磨粒磨条，提高修整工具的合格率
一种成核面镜面抛光 cvd 多晶金刚石磨

[发明专利]一种提高CVD钻石硬度的方法-CN202010260758.4在审
发明人：赵芬霞;刘宏明 -专利权人：湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料科学技术领域，且公开了一种提高CVD钻石硬度的方法，包括以下步骤：S1、硬件准备并对相关硬件设施进行安装，首先准备能够发出辐照剂量达到3E19‑1E20cm^(‑2)高能粒子束的电子枪，也需要准备旋转平台和固定CVD钻石的夹具，同时把钻石夹具与旋转平台的顶端连接，之后把旋转平台和电子枪都安装在工作位置上；S2、原材料挑选，在众多大小不一的CVD钻石中挑选形状规则，大小适中的CVD钻石，并把CVD钻石固定在钻石夹具中该提高CVD钻石硬度的方法，能够有效提高CVD钻石硬度，提高了CVD钻石工业使用时使用效果，同时能够提高CVD钻石的使用寿命，避免发生设备经常更换CVD钻石的问题。
一种提高 cvd 钻石硬度方法

[实用新型]CVD设备支撑轴动密封结构及CVD设备-CN202123029139.3有效
发明人：宋德鹏;陈占领 -专利权人：山东力冠微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CVD设备支撑轴动密封结构及CVD设备，其中CVD设备支撑轴动密封结构包括：支架；水冷套，立式地安装在CVD设备的炉门下端；密封部，安装在水冷套的下端，该密封部包括自润滑密封件；其中，密封部用于坩埚支撑轴的导引密封，水冷套的套管用于坩埚支撑轴穿过而进入CVD设备的真空腔室。基于本实用新型的CVD设备支撑轴动密封结构能够有效适应CVD设备工作环境。
cvd 设备支撑密封结构

[发明专利]一种生产超薄CVD金刚石单晶片的方法-CN202010231735.0在审
发明人：赵芬霞;刘宏明 -专利权人：湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及CVD金刚石技术领域，且公开了一种生产超薄CVD金刚石单晶片的方法，具体包括以下步骤：S1、根据需求筛选合适尺寸的CVD金刚石片，配置除油液，将筛选出来的CVD金刚石片放置在除油液中进行除油，清洗完成后使用去离子水喷淋冲洗CVD金刚石片；S2、将清洗完成后的CVD金刚石片放入烘干箱中进行快速烘干，使CVD金刚石片的表面的水分快速消失；S3、将激光器固定在数控机床上，将CVD金刚石片放置在基底上该生产超薄CVD金刚石单晶片的方法，有效的降低了超薄CVD金刚石单晶片的厚度下限，能够加工出更薄的超薄CVD金刚石单晶片，还有效的提高了超薄CVD金刚石单晶片的生产效率。
一种生产超薄 cvd 金刚石晶片方法

[发明专利]一种CVD管路及具有其的CVD装置-CN202110586029.2在审
发明人：王明;刘勇;孙晨立;凡世明;江汉;徐志军 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示了一种CVD管路及具有其的CVD装置。所述CVD管路用于供应待在CVD工艺中使用的气体，所述CVD管路壁设置加热装置。由于Alkyl H2管路气体的气动阀会经常开关，造成Alkyl H2管路内壁上会有MO源附着，故本发明于CVD管路壁上增加加热装置，能够保证CVD管路的壁温到达一定的温度，从而MO源始终保持稳定的状态，不会在CVD管路的壁上附着，并且，也不会在某一节点载气带入现有技术中可能附着的MO源，从而保证产品表面涂层分布均匀。
一种 cvd 管路具有装置

[实用新型]一种CVD金刚石与PCD金刚石复合刀具-CN201020144767.9有效
发明人：陈继锋 -专利权人：北京希波尔科技发展有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： B23B27/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CVD金刚石与PCD金刚石复合刀具。一种CVD金刚石与PCD金刚石复合刀具，聚晶金刚石PCD片的表面有CVD金刚石膜层为复合式化学气相淀积与聚晶金刚石CVD-PCD复合片，复合式化学气相淀积与聚晶金刚石CVD-PCD复合片焊接在硬质合金基体上组成CVD金刚石与PCD金刚石复合刀具；CVD金刚石膜层的厚度为0.01-0.3毫米；CVD金刚石膜层为刃口。本实用新型产品适用于原有的CVD金刚石膜产品以及PCD产品的应用领域；加工性能好、耐磨性高。
一种 cvd 金刚石 pcd 复合刀具

[发明专利]模块化且易配置的反应器外罩以及相关的功能模块-CN200980120417.9有效
发明人： R·T·小贝尔特拉姆 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种改进的CVD反应器子系统，其包括模块化的反应器外罩和功能模块。模块化的反应器外罩可容纳市售的冷壁CVD反应室，功能模块可被设置在反应器外罩上以使反应室具备执行CVD处理所必需的功能。优选的功能模块包括用于向CVD反应室提供热量的模块以及用于测量CVD反应室内部状况的模块。本发明还提供用于配置这种CVD反应器子系统的方法，特别是配置子系统使其最优地执行特定的CVD处理的方法，以及用于执行这种配置的配套元件。有利地，本发明允许单一CVD反应器子系统被重新配置和重新设置，使其可以最优地执行几种不同的CVD处理。
模块化配置反应器外罩以及相关功能模块

[发明专利]一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法-CN202111435268.4在审
发明人：王巧;罗林;邹平;刘涵 -专利权人：重庆忽米网络科技有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明涉及CVD设备加工技术领域，具体涉及一种用于CVD设备的晶圆沉积加工方法，包括：在CVD反应室内设置预热位置；沉积加工之前，在CVD反应室的预热位置对晶圆进行预热；预热完成之后，将晶圆放置于加工机台上进行沉积加工本发明的晶圆沉积加工方法能够降低晶圆CVD沉积加工时破片率，从而能够辅助提高CVD设备的利用率。
一种用于 cvd 设备沉积加工方法

[发明专利]气化器和气化供给装置-CN03123649.9无效
发明人：高松勇吉;十七里和昭;岩田充弘;桐山晃二;浅野彰良 -专利权人：日本派欧尼株式会社
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供即使在减少随CVD原料供给的载气的供给量来进行气化供给时，也能够防止气化室内固体CVD原料的析出和附着，并且能够以所需的浓度和流量极为有效地气化供给的气化器和气化供给装置。制作CVD原料供给部分至少具有CVD原料流路和载气流路，并具备CVD原料的流路产生CVD原料的压力损失的机构的气化器。制作在液体流量控制部分和气化器之间具备产生CVD原料压力损失的机构的气化供给装置。
气化供给装置

[发明专利]一种拼接CVD金刚石单晶的方法-CN202010252432.7在审
发明人：赵芬霞;刘宏明 -专利权人：湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及人造钻石技术领域，且公开了一种拼接CVD金刚石单晶的方法，包括以下步骤：步骤一、准备工具和原料，准备适量的CVD金刚石单晶籽晶，准备X射线衍射谱仪、激光切割机、研磨机和CVD金刚石生长机；步骤二、使用X射线衍射谱仪对多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向进行精确确定；步骤三、根据步骤一中多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向，使用激光切割机依次对多个CVD金刚石单晶籽晶进行激光切割；步骤四、使用研磨机对步骤三中多个激光切割后的CVD金刚石单晶籽晶的切割面进行研磨光滑。该拼接CVD金刚石单晶的方法，通过CVD金刚石在生长过程中会自动修复晶格缺陷的原理解决大块CVD金刚石单晶难以生产的问题。
一种拼接 cvd 金刚石方法

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