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[发明专利]一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子级多晶硅的方法-CN201510916659.6在审
发明人：宋东明;韩小月;陈丽娟;耿志萍;王金;王岭;赵生艳;李俊朝;赵桂洁;蔡永明;陆大军;马启坤;任玖阳;周万礼 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备多晶硅的系统和方法。本发明提出的制备多晶硅的系统和制备多晶硅的方法是利用还原回收的三氯氢硅来生产高品质电子级多晶硅产品，高品质电子级多晶硅的产量大而稳定，同时也实现了高品质电子级多晶硅产品和太阳能级以上多晶硅产品的专职区隔生产，以保障不同品质多晶硅产品的生产，以此来满足不同品质多晶硅产品的需要。
一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子多晶方法

[发明专利]太阳能级多晶硅产品及其生产方法-CN201810335325.3在审
发明人：齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：太阳能级多晶硅产品及其生产方法。该多晶硅产品包括硅芯和围绕硅芯长成的多晶硅体。在该多晶硅棒产品的横截面上，多晶硅体形成大致椭圆形，硅芯则形成基本居中位于椭圆形内的大致矩形。本发明的椭圆棒多晶硅产品物理性能好，有利于后续高效运输，并能以更经济的方式生产。
硅芯太阳能级多晶硅多晶硅产品多晶硅体大致矩形多晶硅棒物理性能椭圆生产运输

[发明专利]多晶硅破碎方法-CN202310495908.3在审
发明人：闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎方法，该方法包括：(1)将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅；(2)将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅；(3)将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅；(4)将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力，从而使多晶硅容易破碎，提高多晶硅破碎的产品收率，延长设备破碎机构的使用寿命，并降低维护成本。
多晶破碎方法

[发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
发明人：陶志波;陈伏宏 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。
一种单元蚀刻方法

[发明专利]一种多晶硅生产的控制方法、系统-CN202011526351.8在审
发明人：王文;范协诚;张兆东;冯留建;赵鹏;张霞飞;谢瑞;宋高杰 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司;新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产的控制方法，包括：对多晶硅生产设备进行优化控制，以获取优化后的设备参数；根据优化后的设备参数对所述多晶硅生产设备进行改进；对改进后的多晶硅生产设备的多晶硅生产过程进行优化控制，以获取目标多晶硅产品相应的，还公开一种多晶硅生产的控制设备。该控制方法和设备可实现准确控制多晶硅生产的过程，提高产品质量。
一种多晶生产控制方法系统

[发明专利]多晶硅薄膜成膜方法-CN202010423940.7在审
发明人：袁宿陵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜成膜方法，首先在要形成多晶硅薄膜的介质层上，先通过低工艺温度形成第一层多晶硅薄膜；然后在第一层多晶硅薄膜上，逐渐升温，提高到更高的工艺温度，在升温的过程中形成第二层多晶硅薄膜；本发明所述的多晶硅薄膜的工艺方法，主要是通过在多晶硅沉积过程中增加温度变化，首先形成半球形晶粒的多晶硅薄膜，然后再边升温边淀积剩余膜厚的多晶硅薄膜，减少炉管内的多晶硅晶格大小差异，得到一种均匀性更好的多晶硅膜层，降低产品硅片间高阻值电阻的差异，提高产品的良率。
多晶薄膜方法

[发明专利]一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法-CN201810786559.X在审
发明人：王体虎;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;刘军;陈海宝;李英;马英红;张宝顺 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体涉及一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法。本发明提供的棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法，采用包括三氯氢硅的原料制备棒状多晶硅，将制备棒状多晶硅的尾气中产生含有的二氯二氢硅作为颗粒硅制备步骤的原料，同时，所述颗粒多晶硅制备步骤所得的尾气中包含有用于制备所述棒状多晶硅的原料三氯氢硅相较于传统的单独棒状多晶硅或颗粒多晶硅生产工艺，本发明所述方法可以联合生产棒状多晶硅和颗粒多晶硅，具有工艺流程短、工艺共容、产业化成本低的优势。本发明产生的两种多晶硅产品具有强烈互补性，可以提升晶体生长环节的生产效率。本发明所述方法是一种绿色节能的多晶硅生产方法。
棒状多晶硅颗粒多晶硅联合生产制备三氯氢硅多晶硅种棒尾气制备技术领域多晶硅产品多晶硅生产二氯二氢硅晶体生长生产效率原料制备工艺流程产业化传统的晶体硅颗粒硅生产工艺互补性节能环节

[发明专利]一种多晶硅破碎系统及方法-CN202310525062.3在审
发明人：刘逸枫;谢锋;黄文君;宋佳波;李川;辛安才;黄鹏;赵元果;李杰;李崎材;卓冬辰 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎系统及方法，涉及多晶硅破碎技术领域，多晶硅破碎系统，包括：料车，料车内盛放有硅棒；上料台，上料台位于料车旁；多晶硅破碎装置，多晶硅破碎装置位于上料台后方，对上料后的硅棒进行破碎；输送装置，输送装置的输送前端位于多晶硅破碎装置的出料口下方，输送多晶硅破碎装置出料口排出的破碎后的块状硅料并对其进行冷却；硅料自动添加装置，硅料自动添加装置位于输送装置旁，其内装有硅料，并将硅料自动添加至输送装置上，与输送装置输送的多晶硅破碎装置破碎的块状硅料混合。硅料自动添加装置弥补多晶硅破碎装置破碎产品因人为搭配造成的个别产品差异和产品减值，同时改善人为添加操作的可操作性和均匀性。
一种多晶破碎系统方法

[发明专利]生产电子级多晶硅的方法-CN202110405133.7有效
发明人：吴锋;黄金发;陈卓;张天雨;王海豹 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了生产电子级多晶硅的方法。该方法包括：(1)在多晶硅还原炉内设置多圈硅棒，其中，内圈硅棒采用低电阻硅芯，中圈硅棒和/或外圈硅棒采用高电阻硅芯；(2)向所述内圈硅棒施加第一电压、以高压击穿的方式通电，并向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第一阶段反应，在所述内圈硅棒上沉积得到第一多晶硅产品；(3)向所述中圈硅棒和/或外圈硅棒施加第二电压，持续向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第二阶段反应，在所述中圈硅棒和/或外圈硅棒上沉积得到第二多晶硅产品该方法可显著降低多晶硅产品中的杂质含量，生产得到高品质的多晶硅产品。
生产电子多晶方法

[发明专利]用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法-CN201810270884.0有效
发明人：许邦泓;杨尚勇;黄永发;蔡孟霖 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和多晶硅层；步骤二、形成硬质掩模层；步骤三、光刻定义出多晶硅栅和多晶硅迭层测量图形的形成区域；多晶硅迭层测量图形的形成区域中仅在各多晶硅线条表面覆盖光刻胶；步骤四、依次对硬质掩模层和多晶硅层进行刻蚀形成多晶硅栅和多晶硅迭层测量图形；步骤五、采用光刻胶回刻工艺去除多晶硅栅和各多晶硅线条表面的硬质掩模层本发明能防止在多晶硅迭层测量图形表面产生硬质掩模层的残留，从而能改善接触孔的套准测量效果，也从而能根据接触孔的套准测量进行尺寸补偿，从而能防止产品报废，最后能提高产品良率。
用于接触对准多晶硅迭层测量图形制造方法

[发明专利]用于区熔的多晶硅棒的预处理方法-CN202210781422.1有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于区熔的多晶硅棒的预处理方法，该方法包括：（1）将机械法套取得到的多晶硅棒进行机械抛光，以便得到表面Ra为0.1~1μm的多晶硅棒；（2）将步骤（1）得到的多晶硅棒进行化学刻蚀，且控制刻蚀深度为30~40μm；（3）对步骤（2）得到的多晶硅棒进行清洗和干燥。该方法得到的多晶硅棒表面均匀致密，平坦度好，多晶硅棒表面隐裂去除的效果好，且不会对多晶硅棒表面造成二次损伤，且多晶硅棒的杂质去除率高，用该多晶硅棒区熔得到的单晶棒良率高且杂质含量稳定，从而能更真实的反映改良西门子法生产的多晶硅棒的非金属杂质含量，进而为下游多晶硅掺杂量的计算提供良好的数据支持，提高多晶硅产品品质。
用于多晶预处理方法

[发明专利]一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法-CN202011349728.7在审
发明人：刘秀勇;陈正嵘;陈广龙;吴长明;王光华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法，包括栅极多晶硅、位于栅极多晶硅两侧且上表面高于栅极多晶硅的第一氧化层；沿第一氧化层的侧壁刻蚀该第一氧化层结构至露出栅极多晶硅头部使第一氧化层的开口呈倒梯形；形成一层覆盖栅极多晶硅头部的第二氧化层，使栅极多晶硅头部的正截面形成正梯形；刻蚀第一、第二氧化层至露出截面结构为正梯形的栅极多晶硅头部为止；在露出的栅极多晶硅头部形成一层栅极氧化层，之后沉积覆盖栅极氧化层的多晶硅层；回刻多晶硅层至露出所述栅极多晶硅头部的栅极氧化层为止。本发明通过增加热氧工艺改善栅极多晶硅头部尖角形貌，从而消除后续再栅极多晶硅之间填充多晶硅导致的裂缝现象，提高产品良率。
一种用于改善 sgt 工艺多晶裂缝方法

[发明专利]制备多晶硅层的方法-CN201310264674.8在审
发明人：叶昱均;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多晶硅层的方法，通过分批多次沉积非晶硅薄膜，并在每次沉积工艺后均进行准分子镭射工艺，不仅能够将非晶硅薄膜完全转化为多晶硅薄膜，并且能够控制多晶硅薄膜的均匀性，若干多晶硅薄膜依次层叠形成一多晶硅层，从而获得均匀性较好的多晶硅层，在提高产品性能的同时，还有效避免了显示器件中色差问题的发生，进而大幅提高了产品的良率。
制备多晶方法

[发明专利]一种多晶硅自动破碎生产系统-CN201810555741.4在审
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌;金珍海;史明香 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅自动破碎生产系统。本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统，包括第一运输装置、预破碎装置、第二运输装置、破碎装置、筛分装置以及包装装置。在使用过程中，多晶硅硅棒通过第一运输装置内的预破碎装置将多晶硅棒破碎为预设长度的多晶硅段料，多晶硅段料经过第二运输装置运送至破碎装置进行充分的破碎，破碎为多晶硅块料；多晶硅块料经过筛分装置后进入包装装置本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统实现多晶硅破碎的自动化，破碎效率高，无需较多人工参与，大幅提高产品品质。
多晶硅破碎生产系统运输装置破碎包装装置多晶硅块破碎装置筛分装置预破碎多晶硅硅棒产品品质多晶硅棒人工参与预设自动化运送

[发明专利]多晶硅CVD炉蜂窝底盘-CN201110201587.9无效
发明人：茅陆荣;程佳彪;黄小华;张华芹;李严州;吴海龙 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，底盘内设有至少一个单元蜂窝，所述单元蜂窝上设有电极棒孔和进气孔。本发明的多晶硅CVD炉蜂窝底盘能保证混合气在电极棒之间辐射均匀，降低多晶硅CVD炉加热功率，降低生产能耗，保证多晶硅CVD炉内流场均匀，提高生产效率和多晶硅产品质量，同时降低多晶硅生产成本。
多晶 cvd 蜂窝底盘

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