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[发明专利]一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法-CN201810786559.X在审
发明人：王体虎;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;刘军;陈海宝;李英;马英红;张宝顺 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体涉及一种棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法。本发明提供的棒状多晶硅和颗粒多晶硅的联合生产方法，采用包括三氯氢硅的原料制备棒状多晶硅，将制备棒状多晶硅的尾气中产生含有的二氯二氢硅作为颗粒硅制备步骤的原料，同时，所述颗粒多晶硅制备步骤所得的尾气中包含有用于制备所述棒状多晶硅的原料三氯氢硅相较于传统的单独棒状多晶硅或颗粒多晶硅生产工艺，本发明所述方法可以联合生产棒状多晶硅和颗粒多晶硅，具有工艺流程短、工艺共容、产业化成本低的优势。本发明产生的两种多晶硅产品具有强烈互补性，可以提升晶体生长环节的生产效率。本发明所述方法是一种绿色节能的多晶硅生产方法。
棒状多晶硅颗粒多晶硅联合生产制备三氯氢硅多晶硅种棒尾气制备技术领域多晶硅产品多晶硅生产二氯二氢硅晶体生长生产效率原料制备工艺流程产业化传统的晶体硅颗粒硅生产工艺互补性节能环节

[发明专利]一种颗粒硅籽晶制备系统及方法-CN201710858756.3有效
发明人：张宝顺;王生红;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘，导致物料损失的问题，提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
多晶硅多晶硅块颗粒硅籽晶多晶硅棒制备系统液滴球形液滴熔融制备破碎表面张力作用制备技术领域多晶硅颗粒分散装置激光破碎冷却凝固破碎装置熔融装置熔融状态无接触式物料损失激光器高球形硅粉尘硅籽晶晶体硅中颗粒球度加热破损引入

[发明专利]生产颗粒状多晶硅的方法-CN201480072665.1有效
发明人： R·豪斯维特;R·恩格鲁贝尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种在流化床反应器中生产颗粒状多晶硅的方法，包括在流化床中借助气流使硅颗粒流体化，所述流化床借助加热装置加热至850‑1100℃的温度，加入含硅反应气体，并在硅颗粒上沉积硅，从反应器排出产生的颗粒状多晶硅，并包装颗粒状多晶硅，其中在从反应器排出颗粒状多晶硅直至包装颗粒状多晶硅的过程中，利用针对漏斗流设计的容器多次转移颗粒状多晶硅。
生产颗粒状多晶方法

[发明专利]测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法-CN200710094460.5有效
发明人：范建国;蔡丹华;季峰强;刘培芳;董智刚;徐皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法，包括下列步骤：提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接收反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；比较入射前偏振光与反射后偏振光的偏振状态变化，获得半球形颗粒多晶硅层的厚度。本发明能精确测量出半球形颗粒多晶硅层的厚度，由于半球形颗粒多晶硅层的厚度与最终的电性参数有很强的相关性，因此能使后续的电性容易控制。
测量半球形颗粒多晶厚度方法

[发明专利]制造多晶硅的装置和方法-CN200910176775.3无效
发明人：朴斗镇 -专利权人： TSTI技术株式会社
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造多晶硅的装置和方法，其能够通过采用激光束对硅烷气体进行热分解来沉积多晶硅颗粒，缩短制造多晶硅所需要的时间段，并且能够通过直接地沉积多晶硅颗粒并熔化多晶硅颗粒来制造铸块，而不需要使用额外的晶体种子，其中，所述装置还包括反应室；气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及多晶硅颗粒接收器，用于接收并储存多晶硅颗粒。
制造多晶装置方法

[发明专利]一种多晶硅颗粒制备系统及制备方法-CN201310086173.5有效
发明人：李波;宫有圣;汤川·理查德 -专利权人：浙江精功新材料技术有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅颗粒制备系统，解决了现有技术的多晶硅颗粒易在流化床反应器内壁沉积，制得的多晶硅颗粒粒径不均匀，多晶硅晶种利用率低，多晶硅细粉损失率大的问题，其包括倾斜设置的旋转式流化床、一级旋风分离器、二级旋风分离器、载气过滤器、物料预热储罐及尾气缓冲罐，旋转式流化床中间的反应筒体部分可相对两端的封头转动，且旋转式流化床中设置有折流挡板，本发明能有效抑制多晶硅颗粒易在流化床反应器内壁沉积，提高多晶硅晶种利用率，降低多晶硅细粉损失率。本发明还公开了一种多晶硅颗粒制备方法，该制备方法工艺过程稳定，操作连续性好，多晶硅晶种利用率高，多晶硅生产效率高，且得到的多晶硅颗粒粒径均匀。
一种多晶颗粒制备系统方法

[发明专利]一种颗粒硅籽晶及其制备方法-CN201710498274.1在审
发明人：张建国;高志明;张宝顺;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种颗粒硅籽晶及其制备方法。颗粒硅籽晶的制备方法包括熔融步骤将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；分散步骤将熔融多晶硅分散为多晶硅液滴；冷却步骤将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。该方法避免了传统破碎方法得到颗粒硅籽晶时产生硅粉尘的缺陷，并且制得的颗粒硅籽晶具有较高的纯度和球度。
一种颗粒籽晶及其制备方法

[发明专利]由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法-CN96110663.8无效
发明人：约翰·Ｄ·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-07-24 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方式足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。$#!
多晶炉料制备熔硅熔料方法

[发明专利]一种超细多晶硅粉末回收再利用方法-CN201810420480.5在审
发明人：赵嘉祥;赵雅婷;赵延武;任允清;康定军;贺祥洋 -专利权人：河南润祥新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：一种超细多晶硅粉末回收再利用方法，依次包括以下步骤：（1）收集多晶硅片在切割过程中产生的多晶硅粉末；（2）对多晶硅粉末进行烘干处理，除去多晶硅粉末中的水分；（3）使用造粒机对多晶硅粉末进行造粒，得到颗粒度为6‑10mm的多晶硅颗粒；（4）将多晶硅颗粒放入以高纯石墨坩埚做导电体的工频感应炉内，并通入高纯氩气做保护气体，对多晶硅颗粒加热至1400℃‑1500℃，保温至多晶硅颗粒完全熔化形成熔融液；（5）打开工频感应炉的炉盖
多晶硅多晶硅颗粒熔融液工频感应炉粉末回收再利用超细回收高纯石墨坩埚熔化保护气体多晶硅片高纯氩气含氧化物烘干处理切割过程铸造模具打渣剂导电体颗粒度块状体造粒机除渣放入炉盖烧损造粒加热保温铸造

[发明专利]一种流化床制备高纯度多晶硅颗粒的方法及流化床反应器-CN200810116150.3有效
发明人：王铁峰;魏飞;王金福;朱杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种流化床制备高纯度多晶硅颗粒的方法及流化床反应器，所述流化床反应器加热区和反应区在结构上相互隔开，该方法包含以下步骤：a)在反应器的加热区，通入不含硅流化气体使加热区的多晶硅颗粒处于流化状态，通过加热装置将多晶硅颗粒加热；b)加热后的多晶硅颗粒输送到反应区，在反应区通入含硅气体，含硅气体在多晶硅颗粒表面发生热分解或还原，产生单质硅并沉积在颗粒表面；c)在反应器下部将部分粒径为0.1～10mm的多晶硅颗粒作为产品取出；d)在反应区上部，加入作为晶种的直径为0.01～1.0mm的多晶硅细颗粒以维持反应器内多晶硅颗粒的量。本发明技术具有反应器器壁硅沉积少、反应器连续操作且运行周期长、能耗低等优点。
一种流化床制备纯度多晶颗粒方法反应器

[发明专利]电荷存储结构的制造方法-CN97119611.7无效
发明人：游萃蓉;卢火铁;孙世伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 1997-09-23 - 公布日： 1999-03-31 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：下电极包括第一多晶硅层覆盖在部分转移FET上,在第一多晶硅层上形成氧化物层,并在氧化物层上形成半球颗粒多晶硅层,其颗粒约为100nm,半球间距离约为100nm。蚀刻氧化物层,形成柱状氧化物层,以半球颗粒多晶硅作为蚀刻掩模,第一多晶硅层为蚀刻终止层。在柱状氧化物层及半球颗粒多晶硅层表面淀积第二多晶硅层,在第二多晶硅层上依序形成电容介电层及电容上电极。
电荷存储结构制造方法

[发明专利]一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法-CN201010609932.8无效
发明人：陈瑞润;丁宏升;黄锋;郭景杰;苏彦庆;李新中;傅恒志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法，它涉及一种多晶硅锭生产方法，以解决现有多晶硅锭的制备主要是在陶瓷或石墨套筒中进行，套筒内壁对多晶硅产生污染，导致多晶硅锭的纯度低的问题。方法：一、先漏入石墨底座上25g颗粒硅；二、抽真空；三、向真空室充入氩气；四、利用感应线圈使冷坩埚内的颗粒硅熔化；五、向冷坩埚内加入颗粒硅，形成颗粒硅熔体驼峰后，停止步进电机，保温8min；六、驱动拉杆向下运动，启动步进电机，使石墨管中的颗粒硅向冷坩埚内加料，冷却器为熔化的颗粒硅提供强冷，使熔化的颗粒硅形成具有定向凝固组织的柱状晶；七、将柱状晶硅锭的多晶层加工去除后即为具有定向凝固组织多晶硅锭。本发明用于制备多晶硅锭。
一种具有定向凝固组织多晶制备方法

[发明专利]一种多晶硅的提纯方法-CN201010295501.9无效
发明人：刘海英;陈文杰;徐云飞 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅的提纯方法。上述多晶硅的提纯方法包括在超声环境中，将多晶硅颗粒浸没于强氧化性溶液中，然后过滤，水洗多晶硅颗粒并干燥；其中，所述多晶硅颗粒的平均粒径不大于1mm，所述强氧化性溶液的pH值为1-6。通过该方法提纯多晶硅可极大的降低其中杂质硼的含量，并且该方法能耗低、效率高。
一种多晶提纯方法

[发明专利]缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法-CN201711480652.X有效
发明人：蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法，包含以下步骤：1）将包含多晶硅层的半导体结构置于化学机械研磨设备中，多晶硅层的表面形成有凸块缺陷；2）使用包含二氧化铈研磨颗粒的研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，以去除多晶硅层表面的凸块缺陷，研磨缓冲液呈弱酸性，以防止多晶硅层的多晶硅在化学机械研磨过程中被氧化而形成二氧化硅。本发明通过使用包含二氧化铈研磨颗粒的酸性研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，由于在酸性环境下所述二氧化铈研磨颗粒去除所述多晶硅的速率非常慢，在去除位于多晶硅层表面的凸块缺陷的同时，可以有效控制去除的多晶硅层的厚度，从而减少多晶硅层的损耗。
研磨去除多晶表面缺陷方法半导体工艺

[发明专利]一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法-CN201710858647.1有效
发明人：鲍守珍;任长春;李凤琴;赵玉英;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板、熔融装置以及喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具有上述的有益。
颗粒硅籽晶制备多晶硅挡板喷射装置液滴熔融装置球度熔融制备技术领域多晶硅料间隔设置冷却凝固熔融状态物料损失晶体硅喷射部加热粉尘

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