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- [发明专利]特高纯度的多晶硅物理提纯方法-CN201110109237.X无效
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余业芳
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余业芳
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2011-04-23
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2012-05-30
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C01B33/037
- 特高纯度多晶硅物理提纯方法，其工艺步骤为：A、粗炼：将硅矿石和石油焦投入治炼炉中，按常规多晶硅生产工艺制得多晶硅粗品；B、熔炼：将多晶硅粗品经熔炼炉熔炼；C、过滤除杂：熔炼后的多晶硅再经双层坩埚过滤除杂及结晶除杂；D、炉外精炼：除杂后的多晶硅再经炉外拉丝精炼后铸锭即为99.99995％的特高纯度多晶硅。优点是：它可生产出99.99995％的特高纯度多晶硅，且在整个生产过程中不添加任何化学试剂。提纯过程中只产生硅渣和报废的石墨坩埚，产生的硅渣可以外卖，报废的石墨坩埚供应商可以回收后加工再生产石墨坩埚。
- 纯度多晶物理提纯方法
- [发明专利]一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法-CN201711067237.1在审
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王姗
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成都蜀菱科技发展有限公司
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2017-11-02
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2018-02-23
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C01B33/035
- 一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法，属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为10.03～0.20.05～0.3以得到混合料；使氢气与混合料接触并发生还原反应本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅，以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量，同时能有效的降低企业处理废弃物二氯二氢硅、四氯化硅的成本，减少硅的损耗，提高利用率
- 一种多晶生产料及方法
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