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[发明专利]基底无微粒处理装置-CN201080023332.1无效
发明人：马丁·安尼斯;克里斯托夫·克莱森;乌尔里希·奥尔登多夫;托马斯·西博尔德 -专利权人：萨米列弗有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及在洁净室条件下在微环境内根据微技术的基底无微粒处理的装置。本发明的任务是提供一种基底处理装置，所述基底处理装置无摩擦地工作，因此无微粒。
基底微粒处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202011316620.8在审
发明人：出贝求;中谷公彦;中川崇;早稻田崇之;桥本良知 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为提高蚀刻的控制性。通过将非同时进行下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻：(a)向在衬底的表面露出的基底供给改性剂，在基底的表面形成改性层的工序；和(b)向改性层供给含卤素气体，使改性层与含卤素气体反应以产生含卤素自由基，使该含卤素自由基与基底反应的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]具有改善的处理能力的新颖等离子体系统-CN200880008256.X有效
发明人：肯尼思·B·K·蒂奥;纳林·L·鲁佩辛格 -专利权人：艾克斯特朗股份公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于基底处理的等离子体系统包括：导电电极(b、bb)，在其上能够保持一个或多个基底(d)；第二导电电极(a)，与保持电极的基底相邻但分开地放置在远离保持基底的一侧的一侧上；和气体混合物分发淋浴头(e)，远离导电电极地放置在保持基底的一侧，以便以均匀的方式来供应用于处理基底所需要的气体混合物(f)；使得在保持基底的导电电极与第二导电电极之间启动并建立的等离子体配置包封保持基底的电极，远离通过淋浴头中的开口(ee)来激活并分发气体混合物的淋浴头，从而提供处理的均匀性、产出和可靠性的优点。
具有改善处理能力新颖等离子体系统

[发明专利]分析前基底处理的系统和方法-CN201980041176.2在审
发明人：杨金龙;袁谢安玫;李振威;加百列·耶稣·塞缪尔·佩拉斯·莫拉莱达;乔纳森·M·卡塞尔 -专利权人：基美健有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：ATD系统是一站式且可能是低成本的系统，其可使用非接触和/或机械方法从基底上的病理学家数字标记或笔标记对基底进行切割，以提取福尔马林固定的石蜡包埋的(FFPE)组织样品：(a)仅将一个或多个ROI作为要保存的区域；(b)去除或分解非目标区域(RONI)中的核酸内容物，并将所有组织样品从标准显微镜基底收集到特定容器中。
分析基底处理系统方法

[发明专利]一种地毯基底处理方法-CN202110699737.7有效
发明人：黄涛;王越;刘秀青;王学军 -专利权人：阳信瑞鑫毛制品有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： D06H7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种地毯基底处理方法，包括以下步骤：通过固定机构对地毯基底的中间部分进行固定处理，通过修剪设备对地毯基底的边角线进行修剪处理，通过上胶设备将胶水涂覆在边角线上，通过加压机构对边角线和胶水进行压实处理，使胶水和边角线充分贴合固定，通过烘干机对压实后的边角线进行最终的烘干处理，当边角线烘干完成后，通过拉伸机构对地毯基底的边角线进行拉伸处理，从而对边角线的受力程度进行测量处理。本发明能够使边角线处于齐平状态，对覆胶后的边角线进行压实固定处理，能够使边角线和胶水有效的固定在一起，从而能够提高边角线的牢固度，能够有效的检测处地毯基地边角线的牢固程度。
一种地毯基底处理方法

[实用新型]基底支撑组件-CN201120107777.X有效
发明人：管长乐;李东三;刘利坚 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基底支撑组件，其可解决现有的基底固定组件不能同时达到良好的密封和控温效果的问题。本实用新型的基底支撑组件包括用于支撑基底的支撑件，所述支撑件在用于放置基底的位置边缘处具有凹槽；位于所述凹槽中的密封圈，在未承载基底时所述密封圈的上沿高于所述支撑件的上表面；还包括位于所述凹槽中的用于支撑所述密封圈的弹性结构本实用新型可用于在等离子体刻蚀等基底处理工艺中固定基底。
基底支撑组件

[发明专利]弹性体集中阀-CN201780039560.X在审
发明人： N·西拉;S·R·奎克;M·罗布斯;J·邱 -专利权人：小利兰·斯坦福大学托管委员会
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B67D7/08 文献下载
摘要：提供了一种流体阀，该流体阀包括第一平面基底、弹性体和第二平面基底，该第一平面基底具有光滑表面或带有特征的表面，该弹性体设置在第一基底上，该第二平面基底设置在弹性体的另一侧；其中第二基底具有光滑表面或特征，其中第一基底和第二基底比弹性体更硬；其中第一基底、第二基底或弹性体具有流体通道，其中当第一基底或第二基底处于第一热状态或第一压缩状态时通道打开，其中当第一基底或第二基底处于第二热状态或第二压缩状态时通道闭合或部分闭合
基底压缩状态热状态闭合光滑表面流体阀流体通道通道打开

[发明专利]处理边缘环的方法、基底处理系统和图像传感器-CN201910131541.0在审
发明人：李仔雨;金建佑;金善昈;金应秀;尹宝拉;李炫定;赵泰逸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了处理边缘环的方法、基底处理系统和图像传感器。在所述方法中，利用传送机器人将第一边缘环从处理模块内的基底支撑件去除。然后，利用传送机器人将第二边缘环放置在基底支撑件上。
边缘环传送机器人图像传感器基底支撑件图像信息无线图像传感器基底处理系统处理模块圆盘形去除对准分析

[发明专利]传感器装置和方法-CN201780086932.4有效
发明人： T·穆鲁加萨斯;R·卡德加;A·V·克拉里塞克;C·卡拉和;H·Y·郑;N·O·V·普兰克;J·特拉凡斯-赛迪克;N·艾代米尔 -专利权人：新西兰植物与食品研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供了一种传感器装置，其包括与基底处于电连通的昆虫气味受体(OrX)，其中所述传感器装置被配置成检测所述基底的电特性的变化。本发明还提供了传感器装置部件，其包括与基底处于电连通的昆虫气味受体(OrX)。本发明还提供了用于制造和使用所述传感器装置和传感器装置部件的方法。本发明还提供了使用所述传感器检测分析物的方法。
传感器装置方法

[发明专利]基底处理装置、器件制造系统、以及器件制造方法-CN201510964816.0有效
发明人：加藤正纪 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G03F7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种基底处理装置、器件制造系统、以及器件制造方法，该基底处理装置，将反射性光掩膜图案像投影曝光于感应基底，具备：光掩膜保持构件，保持光掩膜图案；投影光学系统，将从设定于光掩膜图案上一部分照明区域产生的反射光束往感应基底投射
基底处理装置器件制造系统以及方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010704261.7在审
发明人：早稻田崇之;中川崇;中谷公彦;出贝求;桥本良知 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于，在抑制对基底的表面造成损伤的同时提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)向在表面露出有非含氧的第1基底、含氧的第2基底及非含氧及氮的第3基底的衬底供给处理气体，在第3基底的表面形成保护膜的工序；(b)向在第3基底的表面形成保护膜后的衬底供给含氟气体而使第2基底的表面以氟封端的方式改性的工序；以及(c)向使第2基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，在第1基底的表面上选择性地形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]具有导电结构的安全证件和/或价值证件及其制备方法-CN200980152232.6有效
发明人： O.穆特;M.哈格曼;M.珀施克;P.弗莱舍尔;E.韦弗林豪斯 -专利权人：联邦印刷厂有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基底上制备能传导电流的层的方法，具有以下方法步骤：a)在基底上涂覆由第一制剂形成的涂层，该制剂含有有机粘合剂、水性溶剂或有机溶剂和颗粒，b)对具有涂层的基底进行干燥方法阶段，从而除去溶剂，c)用第二制剂将该具有干燥的涂层的基底处理成自催化的无电流的金属涂层。
具有导电结构安全证件价值及其制备方法

[发明专利]包括聚焦环的半导体基底处理设备-CN202010074502.4在审
发明人：宣钟宇;宋仁哲;尹洪珉;林智贤;友安昌幸;韩济愚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。
包括聚焦半导体基底处理设备

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010015642.4在审
发明人：中川崇;早稻田崇之;中谷公彦;出贝求 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于，使半导体器件的制造工序简化。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使第1基底及第2基底中的一者的基底的表面以F封端的方式改性的工序；和(b)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]气体喷射装置和使用其的基底处理设备-CN201080038519.9有效
发明人：李晶桓;朴又永;咸兑昊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种气体喷射装置和使用其的基底处理设备。该气体喷射装置包括多个气体喷射单元，多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方，基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底，多个气体喷射单元相对于基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到基底上其中，多个气体喷射单元中的每一个均包括：顶板，顶板中设置有构造成引入处理气体的入口；以及喷射板，喷射板布置在顶板下方以沿基底支承部件的半径方向在喷射板与顶板之间限定气体扩散空间，喷射板具有在气体扩散空间下方的多个气体喷射孔，以将经入口引入并在气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到基底上。在多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中，处理气体在多个点引入气体扩散空间。
气体喷射装置使用基底处理设备