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[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202110793576.8在审
发明人：藤井干;久保田浩史;相宗史记 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制将衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。
半导体制造装置方法

[发明专利]一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法-CN201611053447.0有效
发明人：胡延强;张树芳;苗晓亮;邱婷;白帆;张陈明 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法，将钙钛矿前驱液A3Bi2I9采用旋转涂膜法涂覆在表面洁净的基底上；将基底处于极性溶剂气氛中于100‑110℃下进行退火处理；退火处理一段时间后在基底上制得所述的二维钙钛矿纳米片。本发明通过利用极性溶剂实现对薄膜的后处理‑‑溶解‑再结晶，制备出来的二维钙钛矿纳米片不仅形状均一，大小均匀，而且相比目前已报导的制备铅基钙钛矿纳米片的方法，更加简便易行，制备的单层或者少层的二维钙钛矿纳米片的厚度最小达到
一种卤化物钙钛矿纳米及其制备方法

[发明专利]一种利用仿生结构制备传感器电极保护薄膜的方法和应用-CN202210180780.7有效
发明人：于翔;高伟;孙一博;郭振华 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用仿生结构制备传感器电极保护薄膜的方法和应用，传感器电极保护薄膜为掺硼金刚石薄膜；步骤包括：电极基底处理；清洗去除电极基底表面油污；金刚石种晶处理；气相沉积薄膜：利用热丝化学气相沉积系统在电极基底表面沉积总厚度为2.8‑6μm的电极保护薄膜；真空退火；氟化处理。
一种利用仿生结构制备传感器电极保护薄膜方法应用

[发明专利]提高微晶玻璃基底上薄膜电极引出线工作稳定性的方法-CN201910757696.5在审
发明人：吴慎将;周文炳;苏俊宏;李党娟;徐均琪;王佳;杨利红;时凯 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H05B3/03 文献下载
摘要：本发明属于玻璃基底发热涂层材料技术领域，具体涉及一种提高微晶玻璃基底上薄膜电极引出线工作稳定性的方法。其不但保证了微晶电极与引出线接触良好，还使得抗拉强度增强。本发明采用的步骤为：首先是基底处理，使用绿光或紫外激光装置，在微晶玻璃基底需要设置引出线位置进行强激光辐照和刻蚀，形成类灌胶孔形状的特定刻蚀孔；然后进行真空薄膜电极沉积，或者印刷涂敷金属电极，使得金属电极延伸到刻蚀孔内
微晶玻璃刻蚀孔基底电极引出线工作稳定性上薄膜引出线材料技术领域涂敷金属电极紫外激光装置强激光辐照引出线位置表面涂敷氮气氛围低温烘烤电极沉积发热涂层基底处理接触稳定金属电极金属焊接金属接线膨胀系数烧结固化真空薄膜玻璃粉玻璃基灌胶孔电极刻蚀绿光熔接微晶印刷延伸保证

[发明专利]处理室表面移除金属污染物-CN201980065594.5在审
发明人：游正义;萨曼莎·西亚姆华·坦;徐相俊;袁格;西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C21C5/44 文献下载
摘要：一种用于清洁衬底处理室的表面的方法包含：a)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、以及亚硫酰氯(SOCl2)；b)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；c)将所述等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空；d)供应包含氟物质的第二气体；e)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；以及f)将该等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空
处理表面金属污染物

[发明专利]用于电化学电池的干粉涂层的系统和方法-CN202080035667.9有效
发明人：丹尼斯·帕尔斯 -专利权人：蜻蜓能源公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B05D1/06 文献下载
摘要：一种用于在基底上形成颗粒层的系统，所述系统可以包括至少一个喷洒器和至少两个掩蔽件，所述至少两个掩蔽件配置成选择性地在基底的第一区域和第二区域中掩蔽基底。所述至少一个喷洒器可以配置成在基底处喷洒颗粒，其中所述至少两个掩蔽件保持第一区域和第二区域基本上没有沉积的材料。可以采用加热器来在颗粒通过所述至少一个喷洒器被喷洒到基底上时对基底进行加热。
用于电化学电池干粉涂层系统方法

[发明专利]一种直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法-CN202111251304.1有效
发明人：王凤云;徐沛龙;朱鑫旭;丛浩菲 -专利权人：青岛大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于场效应晶体管制备技术领域，涉及一种直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法，先分别配制纯In静电纺丝前驱体溶液、纯Sn静电纺丝前驱体溶液和ITO静电纺丝前驱体溶液；再采用静电纺丝技术在高κ基底上制备附有NFs的高κ基底；最后将附有NFs的高κ基底处理后蒸镀一层60～100nm Al薄膜作为源、漏电极得到相应的晶体管，制备的In2O3
一种直径调控制备性能金属纳米纤维场效应晶体管方法

[发明专利]衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法-CN201410432238.1有效
发明人：山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法，本发明提供能够抑制副产物的发生并能够提高衬底的面内均匀性的衬底处理装置、衬底处理方法及半导体制造装置的制造方法。所述衬底处理装置具有处理衬底的处理室；气体供给部，具有在所述处理室内将处理衬底的处理气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔；对所述处理室内进行排气的排气部；和控制部，以将从所述气体供给部供给的处理气体供给到所述衬底的周缘部之后
衬底处理装置方法半导体器件制造

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202210543393.5在审
发明人：秋山刚志;高桥朋宏;佐佐木光敏 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是在处理槽(3)中，以含有磷酸的蚀刻液(E)蚀刻具有交替积层的硅氧化膜(Ma)与硅氮化膜(Mb)的衬底(W)的方法。衬底处理方法包含：将衬底(W)浸渍在蚀刻液(E)中的步骤(S1)；及在衬底(W)的蚀刻中，对处理槽(3)内的蚀刻液(E)补充磷酸，使蚀刻液(E)的硅浓度变化的步骤(S2)。
衬底处理方法装置

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN201711252221.8有效
发明人：李永尧;曾威翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露提供一种衬底处理装置和衬底处理方法。所述衬底处理装置包含：可旋转基座，其经配置以固持衬底；驱动机构，其连接到所述可旋转基座；液体浇注喷嘴，其在所述基座上方；温度传感器，其经配置以探测所述衬底处理装置的温度；及控制器，其与所述温度传感器及所述驱动机构通信所述衬底处理方法包含：将衬底提供于处理室的基座上；探测所述处理室的温度；计算所述处理室的所述温度与预定温度之间的温度差；及根据所述温度差确定相对于所述基座的预定旋转速度的旋转速度差。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理装置及其联锁方法-CN202080054134.5在审
发明人：权相教;李栽玩 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及其联锁方法，该衬底处理装置在处理腔中上电极或下电极的温度超过用户设定的范围时生成联锁信号，以阻止将RF功率施加到衬底处理装置。通过根据本发明的衬底处理装置及其联锁方法，在上电极的温度、下电极的温度、温度之差、电极间距离以及各电极的电阻值超出用户设定的范围的紧急状况中，能够生成联锁信号和警报以阻止将RF功率施加到衬底处理装置。
衬底处理装置及其联锁方法

[发明专利]衬底输送机器人和使用该衬底输送机器人的衬底处理设备-CN201510076200.X有效
发明人：玄俊镇;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜;金苍乭 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底输送机器人和用该衬底输送机器人的衬底处理设备，该衬底处理设备可包括真空锁腔室，从外部输送的衬底布置在真空锁腔室中，并且真空锁腔室的内部状态变为真空状态和大气压力状态；衬底处理模块，在衬底处理模块中对衬底执行处理；输送室，衬底在该输送室中被输送，输送室布置在真空锁腔室和衬底处理模块之间；和衬底输送机器人，该衬底输送机器人安装在输送室内并输送衬底。
衬底输送机器人和使用机器人处理设备

[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法-CN200610111072.9有效
发明人：我孙子良隆;广江敏朗 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种衬底处理设备，其在部分地形成于腔室中的化学溶液处理室中进行化学溶液处理。在该化学溶液处理的过程中，该衬底处理设备密封该化学溶液处理室，测量该化学溶液处理室中的压力，并且根据测量值控制化学溶液处理室中的压力。无论该衬底处理设备所处的大气压如何，该化学溶液处理室能够受控至预定的压力。该衬底处理设备还允许对最小需求量的区域进行有效的压力控制。
衬底处理设备方法

[实用新型]用于公路路基、桥梁基底处理加固用定向注浆阀门装置-CN201720305165.9有效
发明人：温园;梁海根;李习春;王铁法;徐艳鹏;孟源;李秋霜 -专利权人：中交一公局厦门工程有限公司;温岭市铭煜建筑机械厂
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： E02D15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于公路路基、桥梁基底处理加固用定向注浆阀门装置，包括阀身及设在阀身的内腔中的单向阀装置，所述的单向阀装置包括隔板、弹簧及固定板条，固定板条固定安装在阀身的内腔中，固定板条设有导向孔
用于公路路基桥梁基底处理加固定向阀门装置

[发明专利]用于使半导体制造设备的用户交互自动化的系统和方法-CN201811055859.7有效
发明人：雷纳·温特古根贝格尔;亨利·陈;黄钟河;文森特·王;大卫·亨姆科尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：接口被配置为接收衬底处理工具的状态，所述衬底处理工具包括被配置为处理衬底的多个处理模块。所述控制器被配置为将所述状态与先前由所述衬底处理工具基于所述状态从所述接口接收的输入关联，并且基于该关联产生输出以控制所述衬底处理工具。
用于半导体制造设备用户交互自动化系统方法