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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法-CN200810172305.5无效
发明人：柳寅喆 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基底处理单元以及使用上述单元的基底处理装置和方法。在这种基底处理单元中设置有两根喷嘴臂，在每一根喷嘴臂上安装了若干光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴。而且还设置有等待口，在处理过程中使用的喷嘴臂可以暂时安放在这个等待口中。上述有机溶剂提供给在处理过程中不使用的光致抗蚀剂液喷嘴，而不提供给在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴。
化学品供应装置使用基底处理方法

[发明专利]一种露天矿内排土场软弱基底逐阶段优化处理方法-CN202111653774.0在审
发明人：贾兰;房林浩;蔡雪婷;高世松;姜聚宇;王东;曹兰柱 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种露天矿内排土场软弱基底逐阶段优化处理方法，涉及露天矿边坡稳定控制领域，从提高露天矿内排土场边坡稳定性角度出发，针对内排土场软弱基底处理问题，提出了一种新的在内排土场发展的全生命周期内逐阶段进行基底处理的优化方法，克服了因内排土场基底盲目处理而造成经济和时间的浪费的问题，可用于解决露天矿软弱基底内排土场的边坡稳定控制问题，对实现露天矿安全、高效生产提供技术支持，具有重要的实际意义、理论价值和广阔的应用前景。
一种露天矿内排土场软弱基底阶段优化处理方法

[发明专利]阀及使用该阀的基底处理设备和方法-CN200810167470.1有效
发明人：郑惠善;秋永浩 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： F16K3/314 文献下载
摘要：提供了一种具有用于处理溶液的传感器的阀，使用了该阀的基底处理设备，以及基底处理方法。所述阀包括主体、进口、出口、闸门和传感器。所述主体中设有通道，用于基底的处理溶液流经所述通道。所述进口与所述通道的一端相连，处理溶液通过所述进口流入所述主体。所述出口与所述通道的另一端相连，处理溶液通过所述出口排放至所述主体外。所述闸门用于在所述进口和通道相连的区域打开或关闭所述通道。所述传感器与主体配合以接触流经所述通道的处理溶液并检测处理溶液的成分。
使用基底处理设备方法

[发明专利]涂装镀覆钢材-CN201280040561.3有效
发明人：汤浅健正;下田信之;森本康秀;末宗义广;大桥徹;稻田贤治 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C23C2/12 文献下载
摘要：本涂装镀覆钢材具备钢材和被覆在该钢材表面上的被覆物，所述被覆物按照靠所述钢材近的顺序具有镀层、所述镀层表面上的涂装基底处理层和所述涂装基底处理层表面上的有机被膜层，所述镀层含有Al、Zn、Si及Mg作为构成元素且Al含量为25～75质量%，Mg含量为0.1～10质量%，所述镀层含有0.2～15体积%的Si-Mg相，所述Si-Mg相中的Mg相对于所述镀层中的Mg总量的质量比率为3%以上且100%以下，所述涂装基底处理层含有有机树脂和有机硅化合物
镀覆钢材

[发明专利]在传输中自动晶圆定中方法及设备-CN202210281765.1在审
发明人： B.殷;J.T.穆拉;V.曾;A.高利克;N.斯派克 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种基底处理设备，基底处理设备包括：具有传输臂的晶圆传输设备，传输臂包括端部执行器；臂姿态确定性特征，臂姿态确定性特征与基底传输设备构成整体并且被设置为使得基底处理设备的静态检测传感器在传输臂径向运动的情况下在传输中检测至少一个臂姿态确定性特征的至少一个边缘
传输自动晶圆定中方法设备

[发明专利]在传输中自动晶圆定中方法及设备-CN201680053111.6有效
发明人： B.殷;J.T.穆拉;V.曾;A.高利克;N.斯派克 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F7/00 文献下载
摘要：一种基底处理设备，基底处理设备包括：具有传输臂的晶圆传输设备，传输臂包括端部执行器；臂姿态确定性特征，臂姿态确定性特征与基底传输设备构成整体并且被设置为使得基底处理设备的静态检测传感器在传输臂径向运动的情况下在传输中检测至少一个臂姿态确定性特征的至少一个边缘
传输自动晶圆定中方法设备

[发明专利]包含恶臭减少组合物的基底-CN201580051700.6在审
发明人： G·M·弗兰肯巴赫;J·A·荷林谢德;S·A·霍伦扎伊克 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： A61L9/01 文献下载
摘要：本发明涉及包含恶臭减少组合物的基底以及制备和使用此类基底的方法。此类恶臭减少组合物不过度干扰包含此类恶臭减少组合物的加香或未加香基底和经此类基底处理的加香或未加香部位的气味。
包含恶臭减少组合基底

[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202310458682.X在审
发明人：中谷公彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有：下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给氨基硅烷系气体，从而使氨基硅烷系气体所含的硅吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；(b)通过向使硅吸附于一者的基底的表面后的衬底供给含氟气体，从而使吸附于一者的基底的表面的硅与含氟气体反应，使一者的基底的表面改性的工序；和(c)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序
衬底处理方法半导体器件制造装置记录介质

[发明专利]隔板制造方法以及隔板-CN200780008314.4有效
发明人：渡边祐介;饭冢和孝 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：对隔板(20)表面上的待形成该树脂层的树脂涂敷部位预先实施基底处理，使其与树脂的结合力提高。在树脂层由含NH基树脂形成的情况下，作为基底处理是对隔板(20)的表面进行使其析出氢氧化物的处理。
隔板制造方法以及

[发明专利]使用液体二氧化碳干燥半导体基底的方法和设备-CN201680057166.4在审
发明人：伊恩·J·布朗;华莱士·P·普林茨;安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗;五师源太郎;江头佳祐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。
基底液体二氧化碳清洗方法和设备干燥半导体干燥基基底处理系统置换分配

[发明专利]半导体设备的制造方法-CN02152955.8有效
发明人：山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。
半导体设备制造方法

[发明专利]用于半导体器件的制造方法-CN200610005816.9有效
发明人：山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。
用于半导体器件制造方法

[发明专利]具有非平面基底表面的基底处理方法-CN201080023330.2有效
发明人：乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;尹赫云 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。
具有平面基底表面处理方法

[发明专利]一种基底处理方法-CN02817030.X无效
发明人：爱德文·麦勒·沙森;赖安·爱戈兰德 -专利权人：艾斯创新有限公司
申请日： 2002-09-02 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：一种处理基底的方法，该方法包括：提供一与基底接触的电解液，和一个或多个靠近基底并与电解液接触的电极阵列；改变至少一个电极以产生活性氧化还原物质，该活性氧化还原物质修整靠近该至少一个电极的基底；该电解液可使该活性氧化还原物质被第二氧化还原物质所抑制
一种基底处理方法

[发明专利]电子相机-CN200610099691.0无效
发明人：后藤孝夫 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种电子相机包括：传感器基底，成像元件安装在该传感器基底处；主基底，除了成像元件以外的电子部件安装在该主基底上，该主基底包括开口，传感器基底设置在该开口处；和接收单元，电子单元可拆卸地装载到该接收单元中，接收单元延伸跨过主基底处的开口并固定到主基底上，从而增强主基底。
电子相机

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