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[发明专利]风能设备地基和风能设备-CN201480046173.5有效
发明人：诺贝特·赫尔舍 -专利权人：乌本产权有限公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： E02D27/42 文献下载
摘要：本发明提出一种具有多个混凝土成品地基区段(210)的风能设备地基。地基区段具有多个第一和第二套管(216，217)，所述第一和第二套管用于容纳用于将地基区段(210)撑住的张力缆绳。
风能设备地基

[发明专利]横向双极结型晶体管及其形成方法-CN202011023288.6在审
发明人：杨广立 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种横向双极结型晶体管及其形成方法，所述横向双极结型晶体管包括：衬底；基区，位于所述衬底中；发射区，位于所述基区中；集电区，位于所述衬底中，且位于所述基区的一侧并与所述基区相连，所述集电区中形成有拾取区；场板结构，位于所述基区和所述拾取区之间的集电区的部分表面，包括依次层叠分布的介质层和场板层。
横向双极结型晶体管及其形成方法

[发明专利]一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构-CN202310880487.6在审
发明人：马奔;于海龙;王伟;沈逸凡;尹志军 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构，所述基区位于集电区和发射区之间，采用P型掺杂的InGaAs外延层或P型掺杂的InGaAsSb外延层，且在由集电区向发射区的外延过程中，P型掺杂的浓度由低到高渐变本发明可在基区厚度较薄的情况下，通过基区材料组分和P型掺杂浓度的双缓变，最大程度地使基区能带倾斜，产生最大的内建电场，提升器件的频率性能。
一种提高磷化铟异质结晶体频率性能结构

[发明专利]SiGe异质结双极晶体管的制作方法-CN200910201754.2有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiGe异质结双极晶体管的制作方法，该方法结合浅槽隔离工艺模块中的所用材料和工艺，形成将外基区提高的高P型掺杂的多晶硅，然后利用选择性外延工艺形成锗硅异质结双极晶体管区的内基区，最后利用介质膜作为发射极和外基区之间的隔离层，淀积发射极而形成具有抬高外基区，外基区与发射极之间是自对准的锗硅异质结双极晶体管。
sige 异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制造方法-CN201810756210.1有效
发明人：李思敏 -专利权人：北京优捷敏半导体技术有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅门极可关断晶闸管，为在N+型SiC衬底上面设有的PNPN四层SiC结构，其上层为多条由复数个重复排列的上管P型发射区组成的条带，中层由上管N型基区、上管N型浓基区和上管N型浓基区汇流条组成，上管N型浓基区与上管N型浓基区汇流条相交或平行，上管N型汇流条的上表面与门极金属层连接。
一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201310426420.1有效
发明人：鸟居克行 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：所述半导体装置具有p型集电区；n型漂移区，其配置于集电区上；p型基区，其配置于漂移区上；n型发射区，其配置于基区上；栅氧化膜，其配置于从发射区的上表面延伸而贯穿发射区以及基区的槽的底面及侧表面；以及栅电极，其隔着栅氧化膜与基区相对地嵌入到槽的内部，其中，基区的下表面的位置在与栅氧化膜接触的区中比离开栅氧化膜的区浅。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]锗硅HBT器件及制造方法-CN201210004445.8有效
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成，基区由形成于有源区上的P型锗硅外延层组成，发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成。基区的尺寸小于有源区的尺寸，通过在基区周侧的有源区上方形成金属接触来引出集电极。本发明能大大缩小器件的面积、减小器件的基区-集电区的结电容、提高器件的频率特征，集电区不需要成本昂贵的外延工艺，能降低工艺成本。本发明公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。
锗硅 hbt 器件制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201110225181.4有效
发明人：王颢 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的多个埋层，所述埋层设置于所述基区内且位于所述阱区的下方。本发明的绝缘栅双极晶体管的基区有利于降低绝缘栅双极晶体管的导通电阻，进而降低饱和导通压降和降低导通功耗，增强集电极电流，提高器件的负载能力。
绝缘双极晶体管

[发明专利]异质结双极型晶体管-CN99109641.X无效
发明人：沈光地;邹德恕;陈建新;杜金玉;吴德馨;高国;徐晨;韩金茹;董欣;罗辑;魏欢;周静;孙泽长;袁颖;赵立新 -专利权人：北京工业大学
申请日： 1999-07-02 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。
异质结双极型晶体管

[实用新型]一种浪涌防护器件-CN201721057477.9有效
发明人：张猛;梁令荣 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：该浪涌防护器件包括N型衬底；位于所述N型衬底双面、通过外延而形成的P型基区；形成于所述P型基区中的P型环，所述P型环位于所述P型基区的外围；位于所述P型基区的表面的N型注入区，所述N型注入区上设置有短路孔在本实用新型中，将P型基区与N型注入区、短路孔集成，利用P型环的调整作用，实现低残压、低成本、高浪涌能力，使得器件能在性能上能够有更加优越的性能，在成本上有更好的竞争力。
浪涌防护器件本实用新型短路孔衬底低成本残压浪涌外围

[发明专利]一种BJT器件结构及其制作方法-CN202010729800.2在审
发明人：郭新;周晓君;王海涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱、将P阱隔离为发射区下方的P阱和基区的P阱；发射区下方的P阱上设有第一N+区；基区的P阱上设有P+区；第一N+区上表面设有环绕第一N+区边缘的SAB环形层，该SAB环形层向外延伸至第一STI区上表面；第一N+区上表面、SAB环形层内设有至少一个SAB块型结构；环绕基区的集电区，集电区与所述基区之间设有将基区和集电区相互隔离的第二STI区；集电区由位于衬底上的本发明通过发射极区域增加SAB区域，电流的集边效应会使部分发射极电流聚集在SAB区域硅表面处，中和部分基区电流，降低基区复合电流，达到增加双极型晶体管电流增益的效果。
一种 bjt 器件结构及其制作方法

[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管-CN202110873522.2在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：包括：集电极结构，包括：自下而上依次生长形成的集电极、P+集电极区以及N+缓冲区；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。
一种新型绝缘极性晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201410356503.2有效
发明人：张炜;韩雁;张斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、背N+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、P‑缓冲层、栅电极和集电极，N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，N+扩散残留层和N+缓冲层从N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N‑基区上设置了N+残留层，有效地提高了N型正面的离子掺杂浓度，有效地提高了器件对电流的处理能力，从而降低了器件的导通饱和压降；而在背面依上而下设置的N+缓冲层、P‑缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区构成了嵌入的NPN晶体管，起到了一个少子的快速通道的作用，帮助少子能尽快地扫出N‑基区，从而减少了器件的关断时间与关断损耗。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种场限环-负斜角复合终端结构-CN201310695943.6有效
发明人：王彩琳;王一宇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及阳极；有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设有阴极；p⁺基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；在终端区的n^-衬底内，在主结外侧设了至少一个
一种场限环斜角复合终端结构

[发明专利]一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管-CN201310122747.X有效
发明人：唐龙谷;冯江华;吴煜东;陈勇民;陈芳林 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
一种晶闸管阴极具有结构换流