“C·耶格”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管-CN201811436630.8有效
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;C·耶格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管。一种电路配置包括：具有输出的栅极驱动器电路，其被配置为输出三个不同的电压电平；以及绝缘栅双极型晶体管，包括：栅极端子，连接到栅极驱动器电路的输出；晶体管单元，具有电连接到栅极端子的栅极电极；以及辅助单元，其包括：势垒区，其被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间，势垒区和电荷载流子转移区形成pn结，并且势垒区和漂移区形成单质结；控制结构，包括控制电极，控制电极电连接到栅极端子或者经由电压移位器电耦合到栅极端子，并且其中控制结构被配置为在反型状态中在漂移区和势垒区中形成反型层，并且在非反型状态中，在漂移区和势垒区中不形成反型层。
半导体器件具有势垒区绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]用于具有磨蚀性的或侵蚀性的混合物的液体的闭合式离心泵通道叶轮-CN202080069329.7在审
发明人： F·乔晨;C·耶格;W·麦辛格;S·施密特;R·维策尔 -专利权人： KSB股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： F04D29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有磨蚀性的或侵蚀性的混合物的液体的闭合式离心泵通道叶轮，其由承载盘和盖盘以及一个或多个布置在它们之间的叶片组成，其特征在于，至少一个叶片在相对于承载盘和/或盖盘的界面区域中具有关于骨架线不对称的叶片轮廓形状。
用于具有磨蚀侵蚀混合物液体闭合离心泵通道叶轮

[发明专利]单叶片轮-CN202080066301.8在审
发明人： A·克里斯特;C·耶格;R·维策尔 -专利权人： KSB股份有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： F04D29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于泵的单叶片轮（3），所述泵用于输送混有固体的混合物的液体，所述单叶片轮（3）具有叶轮本体（11），其中在所述叶轮本体（11）中在第一盖盘（14）与第二盖盘（15）之间布置有叶片（13），其中所述叶片（13）的壁的厚度在其延伸的范围内变化，并且其中在所述叶片（13）与所述盖盘（14、15）之间形成有通道。按照本发明，支撑本体（12）至少部分地布置在所述叶轮本体（11）中，所述支撑本体具有相对于叶轮本体（11）而提高的密度。
叶片

[发明专利]用于污水泵的叶轮进口边缘的刮除元件-CN202080057382.5在审
发明人： C·耶格;M·卡明斯基;E·穆勒;N·佩蒂特 -专利权人： KSB股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： F04D29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于输送载有固体物质的污水的污水泵，其具有螺旋形壳体，该螺旋形壳体具有入口；具有叶轮，该叶轮具有至少一个叶片，其中，配属于各个叶片的进口边缘从叶轮轮毂反向弯曲地向外延伸；具有至少一个用于刮除所述进口边缘的污物的指部，其中，所述指部布置在入口内壁处，并且向所述叶轮的旋转轴线R的方向伸展，并且其中，设置至少一个、构造在所述壳体的吸入侧的内壁中的槽，并且所述叶轮的进口边缘与朝向该进口边缘的上部的指部面相对于所述旋转轴线R的垂直的投影面具有从5°至75°的角α。
用于污水泵叶轮进口边缘元件

[发明专利]包括场阻止区的功率半导体二极管-CN202111074092.4在审
发明人： H-J·舒尔茨;C·耶格;M·杰里内克;D·施洛格;B·斯托伊布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提出功率半导体二极管，其包括具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体本体。半导体二极管还包括第一导电类型的阳极区。功率半导体二极管还包括第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布包括最大峰。功率半导体二极管还包括第一导电类型的注入区。注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围是从200nm至1500nm。
包括阻止功率半导体二极管

[发明专利]带有润滑和冷却系统的泵装置-CN202080053061.8在审
发明人： T·彭斯勒;C·耶格;D·齐格斯;H·博尼茨 -专利权人： KSB股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： F04D29/046 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于输送介质的泵装置（1），所述泵装置带有由液压壳体（3）和壳体盖（4）构成的流动腔室（13）、能围绕转动轴线（A）以能转动的方式驱动的泵轴（13）、紧固在泵轴（13）的位于流动腔室（14）之内的端部（15）处的转动轮（16）以及轴承座（5）。根据本发明设置了带有构造在轴承座（5）中的油循环输送的润滑和冷却系统。
带有润滑冷却系统装置

[发明专利]垂直功率半导体器件及制造方法-CN202110382152.2在审
发明人： H-J·舒尔策;C·耶格;M·耶利内克;D·施勒格尔;B·施托伊布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提出了一种垂直功率半导体器件（100）。该垂直功率半导体器件（100）包括半导体本体（102），其具有第一主表面（104）和沿着垂直方向（y）与第一主表面（104）相对的第二主表面（106）。垂直功率半导体器件（100）还包括半导体本体（102）中的漂移区（108）。漂移区（108）包括铂原子（109）。垂直功率半导体器件（100）还包括漂移区（108）与第二主表面（106）之间的半导体本体（102）中的场停止区（110）。场停止区（110）包括多个杂质峰（P1、P2）。多个杂质峰（P1、P2）中的第一杂质峰（P1）具有比多个杂质峰（P1、P2）中的第二杂质峰（P2）更大的浓度（c）。第一杂质峰（P1）包括氢，而第二杂质峰（P2）包括氦。
垂直功率半导体器件制造方法

[发明专利]半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块-CN202011133037.3在审
发明人： V·范特里克;R·巴布斯克;C·耶格;C·R·缪勒;F-J·尼德诺斯泰德;F·D·普菲尔施;A·菲利波;J·施佩希特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯(510)包括半导体本体(100)。半导体本体(100)包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)。第一有源部分(191)包括第一源极区(111)。第二有源部分(192)包括第二源极区(112)。栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中。栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)。第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接。第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接。间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度。连接结构(390)电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。
半导体管芯半导体器件以及绝缘双极晶体管模块

[发明专利]用于制造用于检测测量气体空间中的测量气体的至少一个特性的传感器的传感器元件的密封装置的方法-CN201510736652.6有效
发明人： C·耶格;J·莫拉特;M·罗森兰德;B·维尔德 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造用于传感器(10)的传感器元件(30)的密封装置(42，46)的方法，所述传感器用于检测测量气体空间中的测量气体的至少一个特性，尤其用于检测在测量气体中气体组份的份额或者测量气体的温度。所述方法包括以下步骤：提供陶瓷材料，所述陶瓷材料至少具有氮化硼和三氧化硼，其中三氧化硼相对于陶瓷材料的份额为2.0％至6.0％(重量)；将所述陶瓷材料成形压合成密封装置(42，46)并且热处理所述密封装置(42，46)。
用于制造检测测量气体空间中的至少一个特性传感器元件密封装置方法

[发明专利]用于感测测量气体室中的测量气体的至少一个特性的传感器-CN201910826551.6在审
发明人： M·阿林格尔;B·劳陶伊;C-E·D·格里斯;C·耶格;G·舍戴;J·施蒂尔;J·鲁特;M·罗森兰德;M·科季内克;P·拉费尔施泰特尔;S·弗兰克;T·帕斯图斯卡 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G01N27/406 文献下载
摘要：本发明提出一种用于感测测量气体室中的测量气体的至少一个特性、尤其用于感测测量气体中的气体组分的分量或测量气体的温度的传感器(10)。传感器(10)包括传感器元件(20)、壳体(12)和保护套筒(42)。壳体(12)至少部分地由所述保护套筒(42)包围并且具有纵向孔(16)，在该纵向孔中布置有所述传感器元件(20)。传感器(10)还具有接触部保持件(44)和弹簧夹(46)。接触部保持件(44)构造成用于保持所述传感器元件(20)。弹簧夹(46)构造成用于固定所述接触部保持件(44)。弹簧夹(46)在所述壳体(12)和所述保护套筒(42)之间这样弹性变形地布置，使得所述弹簧夹(46)将第一预紧力施加到所述接触部保持件(44)上。
用于测测气体中的测量至少一个特性传感器

[发明专利]双特异性T细胞活化性抗原结合分子-CN201910633487.X在审
发明人： M·巴卡克;T·霍弗;R·霍斯;C·耶格;C·克莱因;E·默斯纳;P·乌马纳;T·魏因齐尔 -专利权人：罗切格利卡特公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C07K16/46 文献下载
摘要：本发明涉及双特异性T细胞活化性抗原结合分子。本发明一般涉及用于T细胞活化和对特定靶细胞重定向的新颖双特异性抗原结合分子。另外，本发明涉及编码此类双特异性抗原结合分子的多核苷酸，和包含此类多核苷酸的载体和宿主细胞。本发明进一步涉及用于生成本发明双特异性抗原结合分子的方法，以及在疾病治疗中使用这些双特异性抗原结合分子的方法。
特异性抗原结合分子抗原结合分子多核苷酸成本发明疾病治疗宿主细胞靶细胞重定向

[发明专利]沟槽晶体管器件-CN201510137104.1有效
发明人： A·菲利波;J·G·拉文;C·耶格;F·沃尔特;F·D·普菲尔施;A·维莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的各个实施例涉及一种沟槽晶体管器件。该晶体管器件包括：在半导体本体中在第一与第二沟槽之间的半导体台式区域；在半导体台式区域中的第一导电类型的本体区域和第二导电类型的源极区域；在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域；以及栅极电极，其在第一沟槽中与本体区域相邻，并且通过栅极电介质与本体区域介电绝缘。本体区域将源极区域与漂移区域分开，并且延伸至半导体台式区域的与源极区域相邻的表面。本体区域包括邻接半导体台式区域的表面和第一沟槽的表面区域。表面区域具有比本体区域的将源极区域与漂移区域分开的部分更高的掺杂浓度。
沟槽晶体管器件

[发明专利]双特异性T细胞活化性抗原结合分子-CN201480005567.6有效
发明人： M·巴卡克;T·霍弗;R·霍斯;C·耶格;C·克莱因;E·默斯纳;P·乌马纳;T·魏因齐尔 -专利权人：罗切格利卡特公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明一般涉及用于T细胞活化和对特定靶细胞重定向的新颖双特异性抗原结合分子。另外，本发明涉及编码此类双特异性抗原结合分子的多核苷酸，和包含此类多核苷酸的载体和宿主细胞。本发明进一步涉及用于生成本发明双特异性抗原结合分子的方法，以及在疾病治疗中使用这些双特异性抗原结合分子的方法。
特异性抗原结合分子多核苷酸抗原结合分子成本发明疾病治疗宿主细胞靶细胞重定向

[发明专利]用于传感器的传感器元件的密封元件和其制造方法-CN201811357474.6在审
发明人： C·耶格;J·莫拉特;M·罗森兰德;S·内斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提出用于传感器的传感器元件的密封元件以及制造方法，传感器用于感测测量气体室中的测量气体的特性。密封元件构造用于将传感器元件密封在传感器的壳体的纵向孔中。密封元件具有至少一个层结构，其中，层结构包括以下层：至少一个第一层，其中，第一层包括至少一种陶瓷材料，其中，陶瓷材料至少具有氮化硼和氧化硼，其中，氧化硼相对于陶瓷材料的含量为2.0％重量百分比至6.0％重量百分比或6.0％重量百分比至10.0％重量百分比；至少一个另外的第一层和至少一个另外的第二层，其中，另外的第一层和另外的第二层分别包括至少一种氧化物陶瓷材料，其中，第一层布置在另外的第一层与另外的第二层之间；其中，层结构的层彼此挤压。
第一层重量百分比密封元件传感器传感器元件陶瓷材料层结构氧化硼测量氧化物陶瓷材料氮化硼气体室纵向孔感测壳体密封制造挤压

[发明专利]具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件-CN201610180420.1有效
发明人： C·耶格;R·巴布斯克;F·J·涅德诺斯塞德;H-J·舒尔策;A·维莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。
具有种类发射极双极型晶体管器件

1
2
下一页»
尾页
共 23 条