[发明专利]一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法在审
| 申请号： | 201710734375.4 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107528000A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;潘志伟;陈亮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法属于微电子有机器件领域。本发明分别采用rubrene和C60作为p型和n型材料制备rubrene/C60异质结双极场效应管，提高AOFET中的电子和空穴的载流子迁移率。本发明制备了一种新的双极有机场效应管，场效应管均有较高的电子和空穴迁移率。所述制备方法仅为常规的蒸镀、PVT、退火等工艺，便于实现且价格低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 rubrene c60 双层 异质结 制备 双极型 有机 场效应 方法 | ||
【主权项】：
一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法，其特征在于：(1)以p+‑Si/SiO2为栅极/栅介质层，并兼做衬底；将衬底分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗后干燥；(2)采用真空蒸发法在SiO2/Si衬底上蒸镀Au电极；(3)运用管式炉通过PVD法在蒸镀有Au电极的SiO2/Si衬底上生长厚度为130‑150nm的P型有源层rubrene；管式炉加热区最高温度在260‑300℃之间调节；(4)采用真空蒸发法在P型有源层rubrene上蒸镀厚度为130‑150nm的N型有源层C60；C60的蒸发温度控制在350‑450℃之间。
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- 黄永安;江海霞;丁亚江 - 华中科技大学
- 2016-04-27 - 2018-11-02 - H01L51/40
- 本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方法，包括：(1)在基板上制备有机半导体薄膜；(2)利用电流体直写工艺，在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维；(3)通过电流体直写制备与之垂直的平行介电纤维；(4)在基板上真空沉积金属；(5)在介电纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应晶体管的源极、漏极和栅极。本发明极大地简化了晶体管的制备工艺步骤，同时降低了制造成本。
- 半导体图案化-201780010729.9
- E·斯皮奇利 - 弗莱克因艾伯勒有限公司
- 2017-02-09 - 2018-10-23 - H01L51/40
- 一种技术，包括：形成堆叠，所述堆叠包括用于提供一个或多个晶体管的半导体沟道的半导体层(10)，以及绝缘层(12)；以及，对所述堆叠进行图案化以便在单个工艺中形成以下两者：(i)用于将所述堆叠的一侧上的导体层级连接到所述堆叠的相对侧上的导体层级的一个或多个互连孔(16)，以及(ii)用于减少经由所述堆叠的一侧上的导体元件之间的半导体的泄漏路径的一个或多个泄漏减少沟槽(14)。
- 一种半导体层和TFT的制备方法、TFT、阵列基板-201610128473.9
- 孟虎 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2016-03-07 - 2018-09-11 - H01L51/40
- 本发明实施例提供一种半导体层和TFT的制备方法、TFT、阵列基板，涉及显示技术领域，可解决现有技术中利用液相法制备的半导体层存在的迁移率低的问题，以及利用气相法制备的半导体层存在的半导体纯度不高、衬底受限、金属性CNT占比较高等问题。该半导体层的制备方法，包括：在衬底上形成二氧化硅薄膜，通过构图工艺处理，在待形成的半导体层的相对两侧形成侧壁；对侧壁进行氨基化处理，使侧壁的表面形成氨基硅氧烷单层自组装；对碳纳米管溶液进行羧基化，并将羧基化的碳纳米管溶液制作在形成有侧壁的衬底表面，形成碳纳米管薄膜；利用刻蚀工艺去掉除侧壁之间的其它部分的碳纳米管薄膜，形成半导体层。用于制备半导体层。
- 一种结晶性溶剂调控的结晶性有机薄膜晶体管的制备方法-201810177328.9
- 王丽娟;张梁;谢强;朱阳阳;孙强;孙丽晶 - 长春工业大学
- 2018-03-05 - 2018-08-17 - H01L51/40
- 本发明设计了一种结晶性溶剂调控的结晶性有机薄膜晶体管的制备方法，即在常用的有机溶剂如氯仿溶剂的基础上，通过添加结晶性溶剂1,3,5‑三氯苯（TCB），红荧烯有机薄膜晶体生长从无序变为有序的生长方法。通过将溶于氯仿溶剂的TCB溶液滴涂于Si/SiO2衬底基板，趁其刚形成结晶时，迅速滴加溶于氯仿溶剂的红荧烯半导体层。TCB会先在衬底基板上形成一层均匀有方向性的衬底修饰层。红荧烯分子在TCB修饰层上聚集生长，形成与TCB衬底方向相同的具有高度有序性的红荧烯有机半导体层。在红荧烯半导体层上蒸镀电极，最终形成有机薄膜晶体管。本发明成膜性能较好，操作简单，成本低廉，节约能源，在有机光电子器件领域有广泛的应用前景。
- 一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法-201611219319.9
- 路建美;贺竞辉 - 苏州大学
- 2016-12-26 - 2018-08-14 - H01L51/40
- 本发明公开了一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法；制备包括以下步骤：将六水合二氯化镍水溶液滴入胺盐有机溶液中，然后调节体系pH值为7；然后搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；将有机无机杂化聚合物饱和溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件。本发明利用有机小分子和无机金属化合物通过配位作用形成一维有机无机杂化聚合物，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好；因此本发明还公开了上述有机无机杂化聚合物在制备电存储器件中的应用。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
