专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]全棉色织布-CN201010556853.5无效
  • 张宏德 - 海安县联发张氏色织有限公司
  • 2010-11-24 - 2012-05-30 - D03D15/00
  • 本发明提供了一种全棉色织布,由经纱和纬纱交织而成,经纱选用45S粉色C60/T40、45S浅湖色C60/T40、45S中兰色C60/T40、45S水紫色C60/T40、45S绿卡色C60/T40、45S玫红色C60/T40、45S淡黄色C60/T40、45S水兰色C60/T40、45S丈兰色C60/T40、45S湖绿色C60/T40和45S白色C60/T40,纬纱选用45S粉色C60/T40、45S加白色C60/T40、45S玫红色C60/T40、45S淡黄色C60/T40、45S紫兰色C60/T40、45S米黄色C60/T40、45S丈兰色C60/T40和45S湖兰色C60/T40。
  • 色织布
  • [发明专利]60和碳70混合物的分离纯化-CN93112394.1无效
  • 蔡瑞芳;黄祖恩;陈健 - 复旦大学
  • 1993-04-02 - 1998-06-24 - C07C7/14
  • 本发明是一种C60C70混合物的分离纯化方法。目前已有的C60C70分离纯化都用色谱法,费用大、分离量小、速度慢、不能满足人们对C60发展的需求。本发明将复结晶法和活性碳吸附法结合起来用于分离纯化C60C70混合物、用这种方法能大量、快速、廉价地制备纯度达99.5%的C60,满足C60研制,发展的需要,是一种很有应用推广价值的C60/C70混合物分离纯化的方法
  • 6070混合物分离纯化
  • [发明专利]一种水介质中C60纳米晶体颗粒浓度测定的方法-CN201210458210.6无效
  • 张波;何义亮;于叶 - 上海交通大学
  • 2012-11-14 - 2013-02-27 - G01N21/33
  • 本发明公开了一种水介质中C60纳米晶体颗粒浓度测定的方法,具体包括以下步骤:在含有表面活性剂的nC60水悬浮液中加入纯冰醋酸脱稳;用甲苯萃取脱稳后的水悬浮液中的C60;搅拌水悬浮液;冰冻搅拌后的水悬浮液;用紫外可见分光光度计测定冰冻后的水悬浮液上层甲苯溶液的吸光度;将测得的吸光度根据标准曲线计算样品中的C60浓度;计算所得的C60浓度与C60的标准浓度之比作为C60在浓度测定中的回收率。本发明采用冰醋酸作为脱稳剂消除了在含有表面活性剂条件下C60浓度测定过程中产生的乳化和泡沫现象,能够保证C60浓度测定的正常进行,同时能够取得更高的C60回收率。
  • 一种介质c60纳米晶体颗粒浓度测定方法
  • [发明专利]水溶性环糊精-C60超分子包合物的制备方法-CN200610016993.7有效
  • 高翔;张奕 - 中国科学院长春应用化学研究所
  • 2006-07-07 - 2007-01-24 - A61K47/40
  • 水溶性环糊精-C60超分子包合物的制备方法,首先制备C60负离子溶液,然后加入环糊精进行包合反应,最后再用碘把反应得到的负离子包合物氧化为中性状态,从而形成环糊精-C60超分子包合物。利用本发明可以形成水溶性很好的α-、β-和γ-环糊精-C60超分子包合物,从而促进水溶性C60在生物以及医药方面的应用。本发明利用C60在形成负离子之后,其极化率以及电荷密度增大,因此与环糊精之间的分子间作用力增强的特性,可以制备其它方法不能合成出的α-和β-环糊精-C60超分子包合物。本发明方法不仅可以应用于环糊精-C60超分子化学,对于以其它大环分子为主体的超分子合成都有一定的意义。
  • 水溶性环糊精c60分子包合物制备方法
  • [发明专利]锑诱导碳60薄膜生长方法及碳60薄膜-CN97107221.3无效
  • 徐文涛;侯建国 - 中国科学技术大学
  • 1997-12-04 - 2002-10-16 - C23C16/26
  • 本发明提供了一种锑(Sb)诱导C60薄膜生长方法及C60薄膜。本发明方法是在常规的C60薄膜生长方法中引入表面活性剂锑(Sb)。采用本发明方法生长出的C60薄膜可以为分形晶体、枝晶或单晶构成的多晶膜,也可以为[111]取向的单晶薄膜。本发明能在普通真空设备中使C60薄膜内生长出C60分形晶体、枝晶和单晶,也能生长出[111]取向的单晶薄膜。本发明方法生长出的C60晶体尺寸大,质量好。
  • 诱导60薄膜生长方法

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