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[发明专利]单晶的制造方法及退火晶片的制造方法-CN200580043234.3无效
发明人：星亮二;柳町隆弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
制造方法退火晶片

[发明专利]一种单晶炉晶晃稳定夹持装置-CN202211104885.0在审
发明人：曹建伟;傅林坚;朱亮;叶钢飞;倪军夫;石明智;李玉刚 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本申请涉及单晶炉领域，尤其是涉及一种单晶炉晶晃稳定夹持装置，包括：夹持机构，所述夹持机构至少具有两组，所述夹持机构以单晶炉的中轴线呈中心对称布置，每组夹持机构均包括：第一杆，所述第一杆位于单晶炉的内腔中，且所述第一杆连接于单晶炉的内壁；其中，所述第一杆具有夹持部，每个所述第一杆的夹持部之间形成夹持区，所述夹持区用于容置软轴，使得软轴受限于所述夹持区。
一种单晶炉晶晃稳定夹持装置

[实用新型]一种单晶炉提拉头动平衡校验装置-CN201820011386.X有效
发明人：万喜增;胡卫红;杨高林 -专利权人：浙江中晶科技股份有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型提供种单晶炉提拉头动平衡校验装置，包括标准平板、放置板、籽晶提拉部固定组件、旋转防倾斜保护组件以及悬浮式支撑组件；籽晶提拉部固定组件设置于放置板上，该籽晶提拉部固定组件包括下连接板、支撑件以及籽晶提拉部放置件；旋转防倾斜保护组件包括三组沿放置板周向均布的防倾斜保护件；悬浮式支撑组件包括一端与标准平板相连接其另一端与所述放置板点接触的缓冲调节件、大小调节件；通过设置籽晶提拉部固定组件对籽晶提拉部进行固定，并配合悬浮式支撑组件的点接触对籽晶提拉部固定组件进行籽晶提拉部转动过程中高精度的动平衡校验，解决了籽晶提拉部会因质量分布不均匀而造成转动的不平稳影响单晶硅的均匀性的技术问题。
提拉部籽晶固定组件放置板悬浮式支撑防倾斜动平衡校验装置单晶炉提拉头保护组件标准平板点接触本实用新型动平衡校验单晶硅大小调节缓冲调节下连接板质量分布周向均布转动过程组件包括保护件不均匀放置件均匀性支撑件转动不平配合

[实用新型]一种单晶炉用的对中调节装置-CN201821628048.7有效
发明人：王维 -专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，公开了一种单晶炉用的对中调节装置，包括底板；调平座板设置在底板的上方并与底板纵向相对设置并且间隔开，在调平座板的外边沿构造有纵向调节孔；焊接波纹管；座板支撑设置在底板和调平座板之间并位于焊接波纹管的外侧该对中调节装置具有使得提拉头、软轴以及坩埚轴的对中性好和单晶的产率高的优点。
座板调平对中调节装置底板单晶炉焊接波纹管纵向调节孔部件设置横向通孔板支撑外边沿止挡部本实用新型底板纵向内部构造平面调节相对设置纵向调节纵向位置对中性上端面坩埚轴上端产率搭接单晶软轴提拉开口支撑

[实用新型]一种制备高纯金属细晶棒的装置-CN202122692885.4有效
发明人：李清宇;何志达;朱刘 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备高纯金属细晶棒的装置，包括：单晶炉；设置在所述单晶炉底部的坩埚；设置在所述单晶炉侧壁上的手套真空盲板；设置在所述单晶炉内部侧壁上的原料放置架；设置在所述单晶炉内部侧壁上的晶体放置架本实用新型提供的制备高纯金属细晶棒的装置在单晶炉上安装手套真空盲板和放置架，可以对炉内进行加料和剪晶棒操作，因此可以连续生产，不用每次提拉后停炉装料，这样就可以大幅提高生产效率。
一种制备高纯金属细晶棒装置

[发明专利]一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置-CN202111654433.5在审
发明人：张辉;金竹;夏宁;刘莹莹;马可可;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置，生产装置包括立柱、主炉室、复投装置，立柱侧面安装有至少两个带提拉头装置的副室，主炉室内部设有坩埚和加热组件，复投装置包括料仓，料仓安装在主炉室上，料仓上设有加料口、加料管，加料管末端伸入主炉室内并对准坩埚，料仓顶部和副室底部均设有翻板阀，提拉头装置驱动籽晶棒下降打开翻板阀后伸入主炉室的坩埚内，驱动籽晶棒上升直至籽晶棒回收至副室内，立柱旋转预定角度后各副室依次与料仓对接，并按以下方法生产：首次装料与化料；提拉；取棒与冷却；换室与连续拉制；停炉和清炉。本发明具有连续生产多根氧化镓单晶棒，方便加料，无需重复加热等优点。
一种籽晶连续生长氧化镓单晶生产方法装置

[发明专利]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200810202606.8无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，不设观察窗，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本发明的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[实用新型]用提拉法生长铝酸锂晶体的装置-CN200820155745.5无效
发明人：周圣明;林辉;王军;滕浩 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩埚内熔体界面的观察本实用新型的优点是可以保证保温罩腔内温场的均匀性、对称性，可以有效抑制提拉法生长铝酸锂晶体过程中的组分挥发，可实现大尺寸高质量铝酸锂晶体生长。
用提拉法生长铝酸锂晶体装置

[发明专利]一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法-CN201210188943.2有效
发明人：李国岭;李立本;王丹丹;陈志红;黄东;陈庆东 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法，将Bi2O3和V2O5按1：1的摩尔比混合压制成料块后装入刚玉杯中，在温度800oC下烧结10小时；烧结后装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚，然后放入单晶提拉炉，提拉炉内冲入N2气氛，使炉中氧分压为1%；以<100>方向的YVO4晶体作为籽晶，控制铱坩埚底部温度为960—980oC，生长晶体提拉速度为1mm/h，转速为8rpm；晶体停止生长后，放置24小时，取出，即获得BiVO4单晶。
一种尺寸钒酸铋单晶制备方法

[实用新型]用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置-CN201120503113.5有效
发明人：方峰;高朝阳;邓德辉;郑沉;王学峰 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：该掺杂装置与单晶炉的提拉轴连接，但掺杂单元的轴线不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，该掺杂单元相对于石英坩埚的轴线处于偏心状态。本实用新型的掺杂装置具有两个或三个掺杂单元，每个掺杂单元的轴线均不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，每个掺杂单元相对于石英坩埚的轴线均处于偏心状态。
用于生长掺杂晶体装置

[发明专利]一种单晶提拉炉及其利用单晶提拉炉制造二元或多元合金的方法-CN201110134983.4有效
发明人：程川 -专利权人：程川
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶提拉炉，上保温筒内设置有隔热罩，隔热罩内设置有冷却气喷嘴系统，所述副炉室下端连接有水冷套。同时公开了利用单晶提拉炉制造二元或多元合金的方法，晶体通过置于熔体上方的水冷套、冷却气体喷嘴系统及由隔热保温材料制成的隔热罩使沾取在合金锭下方的薄层熔体快速冷却至低共熔温度以下的温度区而固化。本发明在常规单晶提拉炉的基础上，增设了水冷套、隔热罩、冷却气喷嘴系统，制造的合金锭在每一个细小的区域都非常均匀的合金，并且能够积累得到大体积二元或多元合金锭。
一种单晶提拉炉及其利用制造二元多元合金方法

[实用新型]一种混凝土引气剂用高频振捣设备-CN202221928026.9有效
发明人：闫红光 -专利权人：山西宝路加交通科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： E04G21/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混凝土引气剂用高频振捣设备，涉及混凝土振捣设备领域，包括振动电机、固定设置在振动电机上方的软轴、固定设置在软轴远离振动电机一端的振捣棒，软轴的侧面设置有用于提拉软轴的手提组件，手提组件包括提拉架、活动设置在提拉架内侧下方的两个定向轮、活动设置在提拉架内侧上方的活动轮和活动板、活动设置在提拉架上方内部的压块，活动轮位于两个定向轮的上方，软轴位于活动轮和定向轮之间，活动轮活动设置在活动板的底部中间，压块的底部贯穿提拉架。本实用新型，通过手提组件的设置，使得在对软轴进行提拉或输送时，手部不会和软轴进行接触，避免软轴上的混凝土附着在手上，便于对手部进行防护。
一种混凝土引气剂用高频设备

[发明专利]一种由多晶原料制备铽镓石榴石单的方法-CN202010180146.4在审
发明人：侯田江;马晓 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：base:Sub>3和Tb4O7原料按照预设比例进行配料，混匀后装入模具压制成致密原料块；(2)提拉炉装配：将致密原料块装入安装在单晶提拉炉内温场内的坩埚中，并装好上部温场、籽晶杆及籽晶，用籽晶末端标定坩埚顶部高度，密封装配提拉炉并形成无氧气氛；(3)多晶原料合成：采用中频感应加热，梯度控制其功率，使得致密原料块自下而上、自外而内逐步烧结并最终熔融；(4)下降籽晶：下降籽晶杆使得籽晶杆末端接触多晶原料熔体液面；(5)提拉生长：引晶生长铽镓石榴石晶体，并降温退火获得单晶铽镓石榴石晶体。
一种多晶原料制备石榴石方法

[发明专利]一种提高单晶有效工时利用率的退料处理方法-CN202111653915.9在审
发明人：杨瑞峰;刘学;高磊;王林;樊国庆;武皓洋 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高单晶有效工时利用率的退料处理方法，包括：见埚底单晶等径断苞，向单晶炉内通入氩气，进行原材料预处理；所述原材料预处理的同时控制主加热器功率下降，底加热器功率先上升后下降，进行所述原材料的冷却；拆清所述单晶炉，将热场件进行清洁，并同时取出所述单晶炉内的所述原材料，退料完成。本发明的有益效果是采用停炉工艺来改变传统单晶硅断苞拉料工艺，停炉工艺包括原料预处理及原料冷却工艺流程，整个流程的时间一般为12‑18h，而现有技术中总体时间大概为30‑40h，拉料工艺不仅关系到生产过程的稳定性，而且关系到有效工时利用率的产量指标达成情况，本方案节约因拉料而导致的工时浪费，达到提产降本的经济效益。
一种提高有效工时利用率处理方法

[实用新型]一种单晶生长炉-CN202020215338.X有效
发明人：李海峰;夏俊超;吴思;朱英浩;周鹏飞;涂保 -专利权人：澳门大学
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长设备领域，提供了一种单晶生长炉，包括炉本体和提拉控制机构，炉本体包括耐高压外壳、保温盒体，保温盒体内具有晶体生长内腔，耐高压外壳套设于保温盒体外，耐高压外壳和保温盒体之间以及保温盒体内部充有高压气体，高压气体连通有耐高压气体进气管；提拉控制机构包括穿过耐高压外壳和保温盒体用于与位于晶体生长内腔内的籽晶连接的提拉杆。该单晶生长炉可有效抑制熔体挥发，提高晶体生长质量，适合用于生长具有高挥发性材料以及易与空气或空气中的水蒸气发生反应的材料，如金属、合金等化合物。
一种生长