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[实用新型]单晶炉等径提拉装置-CN90210905.7无效
发明人：李晋忠 -专利权人：李晋忠
申请日： 1990-04-21 - 公布日： 1990-10-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型是等径提拉生长单晶的一种装置。由浮力提拉部分和上称重法浮筒式电子秤二部分构成。结构简单，造价低。提拉的爬行量＜1μm。微电机作为电子秤的负载，克服了上称重法电子秤旋转噪音大的问题。
单晶炉径提拉装置

[发明专利]一种双副室单晶硅筒生长炉及单晶硅生长方法-CN201910561717.6在审
发明人：陈亚雄;许颖;陈景鹏 -专利权人：深圳市全普科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双副室单晶硅筒生长炉，包括主室，主室连接有真空泵，主室内安装有坩埚，主室的顶部对称设置有两个与主室连通的副室，主室内表面安装有加热装置；副室顶部通过转盘安装有提拉电机，提拉电机通过提拉线连接有夹持机构本发明能够改进现有技术的不足，提高提拉法制作晶体硅筒靶材的良品率。
副室主室提拉单晶硅夹持机构导流筒生长炉电机冷却水循环管单晶硅生长对称设置加热装置室内安装室内表面晶体硅良品率提拉线真空泵靶材转盘籽晶坩埚连通改进

[发明专利]一种单晶硅棒加工装置-CN201910723239.4在审
发明人：骆仕斌 -专利权人：阳江职业技术学院
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公布了一种单晶硅棒加工装置，包括上炉盖、下炉盖、拉升旋转机构、提拉杆、抽气管、导流筒、石英坩埚、加热器、电机柱，所述上炉盖内设置有沿提拉杆杆壁向下对晶棒进行降温的冷却机构以及防止热量散发的挡热组件，其中冷却机构包括套设在提拉杆外的引流板以及安装风冷器的安装底座，上炉盖的炉体上设置有进风孔，引流板上开设有降温口以及使挡热组件进入对其形成封闭结构的安装槽；所述挡热组件包括密封在安装槽上的隔板和提供压紧力的弹簧，所述提拉杆上设置有在尾部生长状态时抬升隔板的拉块；本发明的目的是提供一种单晶硅棒加工装置，旨在形成环形气流，保证晶棒在同一区域能够均匀冷却，提高晶棒的加工质量。
提拉杆单晶硅棒加工装置热组件上炉盖晶棒隔板冷却机构安装槽引流板加热器安装底座封闭结构环形气流均匀冷却热量散发生长状态石英坩埚同一区域旋转机构抽气管导流筒电机柱风冷器进风孔下炉盖压紧力弹簧杆壁拉块拉升炉体抬升密封加工保证

[实用新型]一种教学用拉晶炉模型-CN202122837437.9有效
发明人：卢静;刘睿强;李庆;黄伟 -专利权人：重庆电子工程职业学院
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G09B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种教学用拉晶炉模型，解决了现在还没有专门用于教学的拉晶炉模型，一般都是现场教学，设备无法移动，且内部结构观察不清，工艺认知不方便的技术问题，本实用新型包括炉体和炉体内部的炉腔，所述炉腔中设置有坩埚，所述坩埚中设置有灯体，所述坩埚的上方设置有底部开口的中空晶棒，所述中空晶棒连接有提拉轴，所述提拉轴延伸至所述炉体外且可沿炉腔上下移动。本实用新型具有结构小巧，内部结构暴露便于观察且能模拟提拉法生长单晶硅工艺等优点。
一种教学用拉晶炉模型

[发明专利]可竖移止晃的提拉机构及其使用方法-CN202210342263.5有效
发明人：陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可竖移止晃的提拉结构及其使用方法，提拉结构包括：籽晶夹，籽晶夹用于固定籽晶，籽晶夹的至少部分外周面为回转形的配合面；软轴，软轴下端连接籽晶夹，软轴构造成能够牵引籽晶夹旋转和升降；限位件，限位件为一个且环绕籽晶夹设置，或者限位件为多个且环绕籽晶夹分布，限位件构造成能够绕软轴的旋转轴线旋转，且限位件在第一位置和第二位置之间可竖向移动，限位件的朝向软轴的旋转轴线的至少部分表面为限位面；在第一位置时限位件的限位面位于配合面的上方本发明的提拉机构，能够快速稳定籽晶夹的晃动，减少对晶棒生长的影响。
可竖移止晃机构及其使用方法

[发明专利]晶体生长悬浮提拉炉-CN201911036220.9在审
发明人：邾根祥;朱沫浥;王伟;安唐林 -专利权人：合肥科晶材料技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶生长悬浮提拉炉，包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构；水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接，不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构，坩埚升降机构锈钢腔室密封连接，坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接，不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接，抽真空组件安装在支架上，本发明相对于以往的晶体生长炉结构小，各方面功能可以精确控制，适合用研究所和各大院校针对金属晶体的研究，各个控制部分采用模块化，可自由进行选择，为金属单晶生长的研究提供了更大的可能性。
坩埚升降机构不锈钢抽真空组件水冷铜坩埚腔室晶体生长炉单晶生长滑动连接金属单晶金属晶体控制装置腔室密封腔室内部射频电源提拉机构整体电路模块化水冷机提拉炉上端锈钢支架悬浮研究院校生长自由

[实用新型]单晶炉的籽晶提拉旋转机构-CN201020525693.3无效
发明人：陈荣兴 -专利权人：江苏创大光伏科技有限公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉装置领域，尤其是一种单晶炉的籽晶提拉旋转机构。本实用新型的好处是能用简单的结构实现旋转提拉稳定性好，降低设备高度达90％，达到理想的使用效果，大幅度提高了产品的正品率，且结构简单，制作使用成本低，维修和使用简便效果好。
单晶炉籽晶旋转机构

[发明专利]单晶硅的氧浓度推断方法及单晶硅的制造方法-CN201980015966.3有效
发明人：松隈伸;高桥和义;关敏纪;金大基;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。
单晶硅浓度推断方法制造

[发明专利]C偏M向蓝宝石单晶的生长方法-CN201510331362.3有效
发明人：左洪波;杨鑫宏;张学军;李铁 -专利权人：哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种C偏M向蓝宝石单晶的生长方法。该蓝宝石单晶生长方法包括以下阶段升温化料、引晶、放肩、等径、收尾拉脱和降温退火阶段，根据生长晶体重量及晶向要求，籽晶端面晶向为C偏M1°~89°，籽晶直径12~22mm。本发明针对C偏M向晶体特点，在冷心放肩微量提拉法蓝宝石单晶生长炉结构的基础上改进单晶炉，通过对生长工艺进行控制，形成适于生长高品质、无斜肩的C偏M向蓝宝石单晶。
蓝宝石生长方法

[发明专利]硼-镓共掺单晶制备设备及其制备方法-CN202011578046.3有效
发明人：韩庆辉;张晓朋;赵聚来 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳太阳能越南有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种硼‑镓共掺单晶设备及其制备方法，所述设备包括单晶炉，二次加料装置，提拉装置和单独的加料小管，制备方法包括以下步骤：步骤S1：通过二次加料装置向单晶炉加入第一原料，所述第一原料包括以下组分：第一硅料80000‑120000重量份，掺硼合金80‑120重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第一原料，熔化后的第一原料结晶得到第一单晶棒；从石英坩埚内取出第一单晶棒；步骤S2：通过二次加料装置向单晶炉加入第二原料，所述第二原料包括以下组分：第二硅料160000‑200000重量份，掺硼合金160‑200重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第二原料，熔化后的第二原料结晶得到第二单晶棒。
镓共掺单晶制备设备及其方法

[发明专利]一种用于单晶硅生长炉的热屏及单晶硅生长炉-CN202010629650.8在审
发明人：薛忠营;栗展;魏星;李名浩;魏涛;刘赟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高
一种用于单晶硅生长

[发明专利]单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202310473614.0在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶炉及单晶硅的制备方法，属于半导体制造技术领域。所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上部设置有坩埚，所述坩埚的正上方设置有导流筒，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的顶部设有籽晶提拉机构，所述单晶炉还包括本发明的技术方案能够减少制备的单晶硅的缺陷。
单晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]一种大尺寸蓝宝石单晶生长炉的旋转提拉结构-CN201210532820.6无效
发明人：左洪波;杨鑫宏 -专利权人：哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸蓝宝石单晶生长炉的旋转提拉结构。它包括籽晶杆旋转系统、提拉系统和悬臂称重支撑系统，悬臂称重支撑系统设置在籽晶杆旋转系统和提拉系统之间，悬臂称重支撑系统包括称重悬臂和圆柱导轨，籽晶杆旋转系统包括旋转系统、旋转系统伺服电机及减速器、籽晶杆中心位置调整系统、波纹管和设置在波纹管内的水冷籽晶杆，提拉系统包括提拉系统伺服电机及减速器、电磁离合器、丝杆和手动提拉传动组件。本发明结构合理、控制精度高、可靠性和稳定性相对较高，可实现精确提拉和旋转，控制精度达到万分之一以上，机构的抗干扰性及称重精确度都有较大提高。
一种尺寸蓝宝石生长旋转结构

[实用新型]单晶炉热场装置及单晶炉-CN202020086870.6有效
发明人：邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开单晶炉热场装置及单晶炉。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
单晶炉热场装置单晶炉

[发明专利]单晶炉用热场及单晶炉-CN201610177122.7有效
发明人：邓浩;张龙龙;刘培东;张骏凯 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开的单晶炉用热场，包括坩埚及位于其上方的冷却件，还包括护套，护套设置于冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧。本发明公开的单晶炉，包括炉体和如上所述的单晶炉用热场，单晶炉用热场位于炉体内。本发明的单晶炉用热场及单晶炉解决了现有技术拉制单晶时提高拉晶速度与提高单晶质量两者不可兼顾的问题。本发明的单晶炉用热场及单晶炉具有冷却件，可以优化温度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本；并且由于设置了护套，还能确保生长的晶体不受杂质污染、提供具有良好少子寿命的晶体产品。
单晶炉用热场单晶炉