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[发明专利]一种正面采用Ag浆电极的TOPCon电池及其制备方法-CN202310758897.3在审
发明人：毛卫平;金竹;周晓炜;陈桂栋;杨阳;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种正面采用Ag浆电极的TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池领域，以N型晶硅为基底，其正面依次设置有p型掺杂层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，其背面依次设置隧穿氧化层、n型掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；正面金属电极穿透正面减反射层、钝化层与p型掺杂层形成欧姆接触；背面金属电极穿透背面减反射层与n型掺杂多晶硅层形成欧姆接触；正面金属电极采用印刷烧结形成的Ag浆电极，Ag浆电极中不含Al粉。采用Ag浆印刷烧结形成导电性良好的金属电极，并针对Ag浆与p型掺杂区接触性能较差的问题，通过光辅助微导处理降低金属Ag浆电极与p型掺杂层之间的接触电阻，从而提升电池FF和转换效率。
一种正面采用 ag 电极 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法-CN202310887359.4在审
发明人：毛卫平;陈桂栋;金竹;周晓炜;邓日尧;杨阳;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法，属于钝化接触电池领域，以第一导电类型晶体硅为基底，正面设置正面隧穿介质层、第一导电类型掺杂多晶硅层、正面减反射层、正面金属电极；背面设置背面隧穿介质层、第二导电类型掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极；正面金属电极穿透正面减反射层，并通过正面金属接触层与第一导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触；背面金属电极穿透背面减反射层，并通过背面金属接触层与第二导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触。本发明的有益效果是：正背面采用掺杂多晶硅钝化接触，避免TOPCon电池正面金属电极与发射极掺杂层直接接触导致的金属接触复合，提升了电池开路电压和转换效率。
一种双面掺杂多晶钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种p型背结TOPCon电池及其制备方法-CN202310758901.6在审
发明人：毛卫平;金竹;周晓炜;陈桂栋;杨阳;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型背结TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池领域，以p型晶硅为基底，其正面依次设置有局部p型掺杂层、掺杂钝化层、正面减反射层、正面金属电极；背面依次设置有隧穿氧化层、n型掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；正面金属电极穿透正面减反射层、掺杂钝化层与局部p型掺杂层形成欧姆接触；局部p型掺杂层为Al、B共掺杂层；正面金属电极为采用印刷烧结形成的Ag浆电极，Ag浆中不含Al粉。以p型晶硅为基底，并采用Ag浆印刷烧结形成导电性良好的金属电极，并针对Ag浆与p型掺杂区接触性能较差的问题，通过光辅助微导处理降低金属Ag浆电极与p型掺杂层之间的接触电阻，从而提升电池FF和转换效率。
一种型背结 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种除颤辅助设备-CN202310714260.4在审
发明人：胡小漫;金竹 -专利权人：中国人民解放军陆军军医大学第二附属医院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A61N1/39 文献下载
摘要：本发明涉及医疗辅助器械领域。目的在于提供一种除颤辅助设备，包括储料盒、支撑机构和涂覆机构；所述储料盒通过支撑机构与涂覆机构连接；所述支撑机构包括设置在储料盒顶部的立杆，所述立杆的上端设置有连接盒，立杆的中段设置有输送泵，所述输送泵通过设置在立杆内部的连接管与连接盒连通；所述涂覆机构包括涂覆盘和用于驱动涂覆盘转动的驱动组件，所述涂覆盘包括管状的盘颈和设置在盘颈一端的盘体；所述盘颈远离盘体的一端伸入连接盒内，并与连接盒构成转动配合；所述盘体内设置有偏平的盘腔，所述盘腔与盘颈的内腔连通；所述盘体的盘面上设置有若干与盘腔连通的出料孔。本发明能够方便快速的进行除颤膏的涂抹，同时能够保证涂抹的均匀度。
一种辅助设备

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310633834.5在审
发明人：金竹;毛卫平;杨阳;周晓炜;张明明;叶风;付少剑;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池技术领域，包括单晶硅片，其背面从内到外依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层为磷掺杂的多晶硅，包括第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域；第二掺杂多晶硅区域厚度、掺杂浓度均小于第一掺杂多晶硅区域。将掺杂多晶硅层分成两个区域，并分别对其厚度、掺杂浓度等进行设计，第一掺杂多晶硅区域具有较高掺杂浓度和厚度，既能避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低金属接触区复合电流，又能保证较低的金属接触电阻；第二掺杂多晶硅区域具有较低的掺杂浓度和厚度，能降低非金属区掺杂多晶硅的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470211.0在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池的制备方法，包括：在隧穿层下表面制备本征非晶硅薄膜；在所述本征非晶硅薄膜下表面制备氧化硅层作为扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面开槽；进行POCl3扩散，在开槽处进行重掺杂，形成第一掺杂多晶硅区域；在未开槽区域进行轻掺杂，形成第二掺杂多晶硅区域。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310624489.9在审
发明人：金竹;毛卫平;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工制备技术领域。所述双掺杂TOPCon电池结构，包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，以及依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂层包括位于硅片正面的第一扩散掺杂层和位于第一扩散掺杂层与正面金属电极之间的第二外延掺杂层。本发明克服了现有技术的不足，既能保证金属接触区的P型掺杂层厚度，有效屏蔽金属区复合，并减小金属区接触电阻；同时又能降低非金属区的掺杂浓度和结深，减小非金属区俄歇尔复合以及寄生光吸收；因此，能有效提升TOPCon电池转化效率。
一种掺杂 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310615723.1在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域。所述TOPCon电池结构包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极和依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极，所述掺杂多晶硅层包括位于背面的第一掺杂多晶硅层和位于背面金属电极与第一掺杂多晶硅层之间的的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层掺杂浓大于第一掺杂多晶硅层。本发明克服了现有技术的不足，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种多晶 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310614951.7在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域。所述TOPCon电池包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，以及依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂多晶硅层包括位于背面金属区下方的第一掺杂多晶硅层和位于背面非金属区下方的第二掺杂多晶硅层；所述第一掺杂多晶硅层为设置在绒面上的磷掺杂的多晶硅层，第二掺杂多晶硅层为设置在抛光面上的磷掺杂的多晶硅层。本发明克服了现有技术的不足，既能降低金属接触区的复合电流密度和接触电阻，同时又能保证非金属区的也具有低的复合电流，从而提升电池转换效率。
一种 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310633163.2在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;周晓炜;叶风;张明明;付少剑;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池技术领域，包括单晶硅片，其背面从内到外依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层包括第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，其中第一掺杂多晶硅区域与背面金属电极接触，第一掺杂多晶硅区域设置在凹槽表面，隧穿氧化层厚度较薄，内扩结深大于第二掺杂多晶硅区域，能可以有效防止电极金属向结区渗透，降低金属区复合电流，可提高电池开路电压。另一方面，第一掺杂多晶硅区域与印刷浆料具有更大的接触面积，可以降低电池接触电阻，同时凹槽可以防止印刷浆料往外拓宽，保证较高的栅线高宽比，降低栅线线电阻，从而提高电池填充因子。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470192.1在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470216.3在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[实用新型]一种基于提拉法的漂浮物去除装置提取杆-CN202222248394.5有效
发明人：张辉;吴丹;金竹;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于提拉法的漂浮物去除装置提取杆，提取杆安装于漂浮物去除装置的底端，提取杆包括提取头以及与连接杆，连接杆的一端与漂浮物去除装置的底端固定，另一端与提取头可拆卸连接，提取头的端部设有底面部与侧屏部。本实用新型通过“捞取”的方式去除漂浮物，漂浮物无需与装置“粘接”，解决因熔体温度过高出现漂浮物无法粘接的问题，提高漂浮物去除成功率，提取头具有侧屏部，准确限制漂浮物尺寸，确保能将漂浮物从保温材料上盖口中提离保温腔，避免熔体温度过低时漂浮物尺寸过大导致提离过程中遮挡保温材料上盖口，使籽晶杆升降不受阻挡，确保后续晶体生长步骤的正常进行，能防止漂浮物在提取过程中滑落。
一种基于提拉法漂浮去除装置提取

[实用新型]一种用于生产有机肥的搅拌设备-CN202222114285.4有效
发明人：金竹;高正宝;赵怀瑾;罗赵福;王莉莉 -专利权人：安徽昶春生物科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B01F27/2322 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生产有机肥的搅拌设备,涉及有机肥生产的技术领域，包括定位板，为U型；横梁板，左、右两端分别与定位板的左、右两端侧壁固定连接；若干组搅拌组件，设置于横梁板上；该搅拌组件包括两个转动盒，分别可转动的设置于横梁板上；两个转动杆，分别与两个转动盒通过轴承可转动连接；若干搅拌杆，均匀的固定连接于转动杆上；本申请具有使用方便、搅拌均匀度低、搅拌盲区少等优点。
一种用于生产有机肥搅拌设备

[实用新型]一种有机肥抛洒机构-CN202222114302.4有效
发明人：金竹;高正宝;赵怀瑾;罗赵福;王莉莉 -专利权人：安徽昶春生物科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： A01C15/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机肥抛洒机构,涉及农业种植的技术领域，包括转动杆，可转动的设置于储料箱内并贯穿出料管；其中，该转动杆上固定连接有螺旋叶片；定位环，位于两个安装板之间，并通过两个连杆与两个安装板固定连接；抛洒桶，贯穿定位环并与定位环通过轴承转动连接；其中，该抛洒桶的上端口正对出料管；若干抛洒管，呈环形排列，上端口连接于抛洒桶的侧壁与下端壁相交处，并与抛洒桶连通；驱动电机，设置于定位环上，用于驱动抛洒桶转动；本申请具有使用方便、施肥均匀度高、范围管等优点。
一种有机肥抛洒机构

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