专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型硅芯籽晶盘换位机构-CN201320346924.8有效
  • 刘剑 - 刘剑
  • 2013-06-18 - 2013-11-27 - C30B13/00
  • 本实用新型涉及一种新型硅芯籽晶盘换位机构,包括硅芯头、籽晶盘及炉体,所述炉体内部设有硅芯头并且该硅芯头上端连接钢绳软轴,位于炉体上表面水平安装一个换位滑台并且此换位滑台与换位马达相接,同时,换位滑台相邻位置的炉体上表面垂直安装一个转位马达;所述硅芯头侧面设置钢丝导轨,位于硅芯头下端连接晶盘座,该晶盘座下方挂接籽晶盘,位于炉体上方封口处设置有密封仓。本实用新型有益效果为:由转位马达、换位滑台、换位马达、籽晶盘、钢绳软轴之间的相互协调PLC控制来实现硅芯的拉动作,整体结构可使硅芯区熔法拉制更加稳定,在炉体内径不改变的情况下最大限度的提高单机产能
  • 一种新型硅芯炉籽晶换位机构
  • [发明专利]一种垂直生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN201310043657.1有效
  • 邓惠勇;郭建华;邱锋;孙艳;刘从峰;俞国林;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2013-01-31 - 2013-05-08 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种垂直生长碲锌镉单晶的装置和方法,该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟:炉体包括合成、缓冲、斜面与镉源,炉体内放置有石英安瓿,石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直碲锌镉单晶的一般步骤是:将高纯碲、锌、镉原料按合成比例均匀放置于石墨舟内,将少许镉放入石英安瓿底部,再将石墨舟缓缓放入石英安瓿的挡板上,抽真空封管后,将石英安瓿放入管式炉体,使得石墨舟位于合成中间,控制条件合成多晶料后,接着控制炉体的温度分布,并缓缓向上移动炉体至结晶完毕,即可生长出碲锌镉单晶体。本发明的优点是:碲锌镉多晶料无须使用另外的摇摆合成;获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
  • 一种垂直生长碲锌镉单晶装置方法
  • [实用新型]一种单晶限位装置-CN200920230983.2无效
  • 张升平;尤志锋 - 常州市祺科机械制造有限公司
  • 2009-09-11 - 2010-06-23 - C30B15/20
  • 本实用新型一种单晶限位装置,包括限位开关、限位支托、限位转轴、传导片、转轴压板、压轮、摆臂、弹簧;所述限位支托呈柱体结构,且其内部有圆柱形盲孔,其一端有一圈凸出外沿,所述限位支托具有凸出外沿端通过连接件与单晶的炉壁固定连接本实用新型结构简单,成本较低,能够准确限位单晶籽晶部件,保护籽晶部件不受损害;能够有效防止空气等杂质从该装置进入室,保证其限位的精确度,也保证了籽晶的精度。
  • 一种单晶炉限位装置
  • [发明专利]单晶硅制备方法及装置-CN202110396723.8有效
  • 欧子杨;白枭龙;张昕宇 - 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2021-04-13 - 2023-06-23 - C30B15/00
  • 本申请提供单晶硅制备方法及装置,其中,单晶硅制备装置至少包括单晶、坩埚、加热器、导流筒、晶体装置及热盖板;坩埚用于收容硅原料,在加热器的作用下所述硅原料熔化形成硅熔体;热盖板可拆卸连接在晶体装置上,热盖板包括沿周向依次间隔设置的多个扇叶,多个扇叶沿水平方向倾斜设置;晶体装置用于带动热盖板向靠近导流筒下端开口处移动,并带动热盖板旋转。本申请的单晶硅制备方法及装置,能够抑制热量散失,显著提高熔料效率;有效压制硅熔体中的挥发物从顶部挥发,改善单晶硅的晶环境,提升单晶硅品质。
  • 单晶硅制备方法装置
  • [发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的-CN202310649445.1在审
  • 陈立民;陈丽芳;王泽东;李海林 - 曲靖阳光新能源股份有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-08-29 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种用于拉制单晶硅棒的,包括:熔晶,所述设置在所述熔晶炉顶部,所述底部与所述晶炉顶部连通,所述熔晶内设置有坩埚,所述坩埚安装在旋转机构顶部,所述旋转机构底部安装在熔晶底面,所述坩埚顶部设置有防硅跳组件,所述晶炉顶部设置有机构,所述机构用于将坩埚内熔融状态的硅向上牵引在拉晶内形成硅棒,所述内设置有塑形机构,所述塑形机构设置在坩埚上部,所述塑形机构用于对机构上熔融状态的硅进行塑形;用以避免坩埚内发生硅跳对造成的危害。
  • 一种用于拉制单晶硅拉晶炉
  • [发明专利]人工晶体生长用晶体旋转机构-CN200710021528.7无效
  • 李留臣;冯䶮 - 冯金生
  • 2007-04-28 - 2008-10-29 - C30B15/30
  • 本发明是一种人工晶体生长用晶体旋转机构,特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的晶体旋转机构。包括担负信号传输的电刷环安装在支撑轴承的中间。将卷扬提升机构安装在本发明中空心旋转轴的上端,钢丝绳软轴通过空心旋转轴的中心孔,穿过安装在旋转轴下部的定心套的中心孔生长人工晶体。提高人工晶体生长中旋转运动的稳定性、可靠性,并方便安装和维修,可广泛用于各类人工晶体生长设备中的晶体生长运动。
  • 人工晶体生长晶体旋转机构
  • [实用新型]一种单晶换热器-CN202123219132.8有效
  • 林龙强;杜忠明;梁家宝;刘智嘉 - 中山市汇创精密科技有限公司
  • 2021-12-18 - 2022-06-28 - C30B15/00
  • 一种单晶换热器,包括壳体,所述壳体的内侧设有换热器,所述换热器为竖直结构,所述换热器围合形成供硅晶棒通过的通道,所述壳体内设有能观察到通道下方硅熔体液面的视觉装置,所述视觉装置在换热器上方且靠近通道的位置本实用新型通过改变视觉装置的位置,使视觉装置能够通过换热器的避让部,看到在单晶换热器下的硅熔体液面的情况,换热器能够设置为更长的竖直结构,使通道的竖直结构变长,热交换效率高,能快速带走结晶释放的潜热,保持适宜的晶体纵向温度梯度,提高晶体生长速度,保证单晶硅的成晶率和品质。
  • 一种单晶炉换热器

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