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[发明专利]一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺-CN202310830746.4在审
发明人：蒋浩然;饶丹丹;史泽海;陈俊;祝明;李博文 -专利权人：安徽芯享半导光电科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及功能晶体材料制备技术领域，公开了一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺，包括：水冷不锈钢腔体和混气装置，所述水冷不锈钢腔体内部中央设有用于放置待退火的Re3+:YAG晶体的高纯刚玉管，所述水冷不锈钢腔体顶部中央设有真空阀，所述水冷不锈钢腔体顶部两侧设有真空电极，所述水冷不锈钢腔体内部设有硅钼棒加热元件，本发明减小退火环境中杂质离子浓度、提高退火温度，降低位错、沉淀相等缺陷密度，提高Re3+:YAG晶体质量；在低于YAG晶体熔点120℃左右设置较小的温度梯度，采用温梯降温法对晶体进行退火处理，促进位错、沉淀相等缺陷往两端扩散，进一步提高Re3+:YAG晶体质量。
一种稀土掺杂 yag 晶体缺陷处理设备工艺

[发明专利]一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用-CN202210974602.1有效
发明人：潘丽宁;周婷婷;谭果果;满其奎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用，涉及亚铁磁性氧化物薄膜技术领域，所述制备方法包括：采用磁控共溅射沉积方式，于室温下在钆镓石榴石基底上沉积稀土和钇铁石榴石，得到单层非晶稀土掺杂钇铁石榴石薄膜；在氧气气氛下，对所述单层非晶稀土掺杂钇铁石榴石薄膜进行退火处理，得到稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜。本发明利用磁控共溅射沉积方式制备稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜，制备方法简单，成本低，且获得的稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜质量优异，饱和磁化强度和矫顽力可以根据稀土掺杂量的不同而进行有效调节。
一种稀土掺杂铁石榴石单晶薄膜制备方法及其应用

[实用新型]一种掺铬铥钬钇铝石榴石激光晶体生长温场结构-CN202321020403.3有效
发明人：林东晖;刘文鹏;彭方;马孙明;陈健;陈仪翔 -专利权人：安徽晶宸科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺铬铥钬钇铝石榴石激光晶体生长温场结构，包括底板，底板上端固定连接有环形保温墙，环形保温墙外侧固定套接有连接有防护箱，所述第二屏蔽环远离环形保温墙一侧固定连接有牵引钢绳，所述第一电机固定连接于防护箱外侧，所述第二屏蔽环远离环形保温墙一侧设有若干组加热线圈，所述加热线圈与防护箱固定连接；当需要降低坩埚表面一小部分的温度时，通过将两组第一屏蔽环移动至远离坩埚的位置，通过控制第二屏蔽环的来回移动即可实现对坩埚中部区域的全部阻挡或部分阻挡，通过控制活动连接在一起的两组第一屏蔽环以及一组第二屏蔽环可实现对坩埚受热区域的随意调控，无需变更屏蔽环的数量，操作起来更加便捷高效。
一种掺铬铥钬钇铝石榴石激光晶体生长结构

[发明专利]一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法-CN202310534335.0在审
发明人：付秀伟;郝元凯;贾志泰;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法，其分子式为(RExTb1‑x)3Sc2Al3O12，0x1，RE为稀土元素，本发明通过稀土离子掺杂进行改性生长，采用熔体提拉法生长晶体，掺杂稀土离子优先占据十二面体格位，稀土离子的掺入可以改善熔体特性，减小畸变应力，避免晶体在生长过程中累积热应力，有效的解决了TSAG磁光晶体开裂问题，同时也避免了晶体在后期加工和使用过程中产生开裂的问题，另外本发明的掺杂离子与Tb3+之间发生超交换作用，使得晶体比法拉第效应得以增强，进而提高晶体磁光性能。制备的铽钪铝石榴石磁光晶体完整无开裂，加工性能良好，具有优异的磁光性能，有望实现商业化应用。
一种完整开裂铽钪铝石榴石晶体避免方法

[发明专利]一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法-CN202110565296.1有效
发明人：武彤;王玲;余建定;石云;许天照;方婧红;王慧;贺欢;倪津崎;汪超越;李勤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法，在钆镓石榴石晶体生长过程中，通过熔融熔剂陶瓷块得到的熔剂液体作为熔区，使钆镓石榴石晶体的料棒和熔剂液体对接，调节提拉速度、生长速度和旋转速度，开始钆镓石榴石晶体的生长；所述熔剂陶瓷块的化学组成为(Gd2O3)a(Al2O3)b，其中a=30mol%～24mol%，b=70mol%～76mol%，且a+b=1；所述钆镓石榴石晶体的化学式为(MxGd1‑x)3(AlyGa1‑y)5O12，其中M选自Ce3+、Pr3+、Eu3+中的至少一种，且0＜x＜0.1，0＜y＜1。
一种移动熔剂浮区法生长石榴石晶体方法

[发明专利]一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法-CN201811325021.5有效
发明人：丁雨憧;刘军;屈菁菁 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法，温场结构包括晶体生长腔室，晶体生长腔室上方设有盖板，盖板中心设有提拉操作通孔；在晶体生长腔室内底部中心设有坩埚，中频感应线圈环设于晶体生长腔室外部并与坩埚对应的位置，中频感应线圈接中频感应电源以在交变电流作用下对坩埚加热；在晶体生长腔室内位于坩埚正上方设有电阻加热元件，电阻加热元件与电源连接以为晶体降温阶段提供热量补偿。本发明中频感应线圈可以满足晶体生长所需的温场条件，电阻加热元件可为晶体降温阶段提供热量补偿，可在晶体拉脱后对晶体进行原位退火，并能降低晶体的冷却速度和温度梯度，可以有效抑制晶体开裂。
一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂及其生长方法

[发明专利]一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法-CN202111481399.6有效
发明人：文岐业;薛强;杨青慧;张元婧;李宜磊;张怀武 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及新材料技术领域，具体是一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法，光与物质的相互作用受到介质磁性状态和材料的电子结构的影响，电磁辐射和磁极化材料之间的这种相互作用导致了“磁光”效应，磁光效应在电磁学的早期历史中发挥了重要作用，为光的电磁理论，以及电子自旋运动和自旋轨道耦合等物质的经典和量子理论提供了实验支持，本发明以钇铁石榴石作为典型的磁性材料，在微波段具有良好的透过性，但是磁光效应并不明显，使用掺杂的手段对钇铁石榴石晶体进行改性。
一种石榴石掺杂非线性光学材料制备方法

[发明专利]一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用-CN202310334039.6在审
发明人：付秀伟;郝元凯;贾志泰;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用，该晶体分子式为Tb3(Sc1‑xGax)2Al3O12，其中，0x1；本发明采用熔体法进行晶体生长，优先采用提拉法进行，通过Ga3+掺杂可以改善熔体特性，降低晶体熔点，降低熔体黏度，提高熔体流动性，调节离子间距，进行晶格调控，减少晶格畸变，缓解畸变应力，减少晶体内应力，最终制备完整无开裂的可满足高功率应用的新型铽钪镓铝石榴石磁光晶体，所生长的晶体质量高，加工性能好，磁光性能优异，可应用于光隔离器，光非互异元件，磁光开关等磁光元件。
一种新型功率晶体及其生长方法应用

[实用新型]高浓度无散射掺铒钇铝石榴石晶体生产温场结构-CN202320871867.9有效
发明人：徐学珍;李洪峰;韩剑锋;罗斌;曹景仪;吴彬立 -专利权人：长汀雷生科技有限责任公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本实用新型公开高浓度无散射掺铒钇铝石榴石晶体生产温场结构，其包括坩埚，坩埚的外围设有保温层，保温层外围具有加热结构，加热结构包括多个环状并沿竖直方向依序套设在保温层外围的加热器，相邻两个加热器之间设置有隔层各加热器对应区域的坩埚外壁上设有测温的温度传感器，各温度传感器分别与温控器电连接，温控器还与各加热器电连接，通过温度传感器的温度反馈来调节对应加热器的输出功率；坩埚的顶部开口处设有覆盖在其上方的弧形反射屏，弧形反射屏的中心位置留有操作孔。本实用新型能够实现坩内部的温度梯度调节，减小温度波动引起晶体生长速率的波动，从而抑制散射缺陷的生成，实现无散射、低损耗、高品质掺铒钇铝石榴石晶体生长。
浓度散射掺铒钇铝石榴石晶体生产结构

[发明专利]一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉-CN202310394142.X在审
发明人：杨青慧;王峰;张鼎;张元婧;李涵;杨舒婷;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明属于铁氧体单晶薄膜制备技术领域，具体提供一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉，用以解决常规单温区液相外延炉进行多批次RIG单晶连续生长过程中重复的熔融、搅拌(均匀化)、降温过程使得制备时间明显延长、生产效率大幅降低、能耗显著增高以及液相原料污染、铂金坩埚寿命缩短等问题。本发明采用双温区炉体设计，在连续生长过程中，坩埚及其内液相原料一直处于高温区，而生长完成后的晶体冷却过程则在低温区完成，从而避免重复进行原料熔融、均匀化以及降温，显著缩短晶体的制备周期、提升制备效率、降低能源消耗，同时降低铂金坩埚的损耗率，实现石榴石晶体的高效、低成本制备。
一种用于连续生长石榴石晶体高精度外延

[发明专利]一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤及其制备方法-CN202211536113.4在审
发明人：钱新宇;徐晓东;宋青松;徐军;刘坚;陈鹏;曹桂新 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤，其化学式为Lu3‑xTmxAl5‑yScyO12，式中，x为Tm3+掺杂Lu3+位的摩尔百分数，y为Sc3+掺杂Al3+位的摩尔百分数，x＝0.09，0.5≤y≤1。所述单晶光纤属于立方晶系，空间群为Ia3d，晶胞参数为a＝b＝c＝1.1941nm。制备方法：以Lu2O3、Tm2O3、Al2O3、Sc2O3作为初始原料，经过充分研磨、一次煅烧、球磨之后冷等静压压制成块状，再进行二次煅烧；采用的生长方法为微下拉法，生长气氛为高纯氮气。本发明可快速批量生长出高质量的单晶光纤，所生长的晶体有着高热导率、高化学稳定性和在中红外波段有着宽增益带宽等优点。
一种离子掺杂镥铝钪石榴石光纤及其制备方法

[发明专利]一种掺铈钇铁石榴石晶片的加工方法-CN202310122820.7在审
发明人：罗毅;龚瑞;许伙长 -专利权人：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铈钇铁石榴石晶片的加工方法，包括以下步骤：步骤一：采用铁和钇的氧化物作为原料，合成获得YIG粉料；步骤二：将步骤一中获得的YIG粉料与铈的氧化物原料混合，获得共同沉淀物；步骤三：将共同沉淀物经过清洗、过滤，去除可溶性杂质离子；然后再干燥得到先驱体；步骤四：将先驱体在高温下进行煅烧，获得Ce：YIG晶片，本发明通过对比获得制备Ce：YIG粉料的最佳温度值范围和最佳PH值范围，可以有效确保在对Ce：YIG粉料制备时减少杂相的出现，提高Ce：YIG制备的纯度。
一种掺铈钇铁石晶片加工方法

[发明专利]一种法拉第旋转片及其制备方法-CN202211314503.7在审
发明人：张颖;万兴复;何丕 -专利权人：深圳市光凡通讯技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种法拉第旋转片及其制备方法，涉及光学材料技术领域，包括以下步骤：加热多种元素氧化物的混合物至预设温度，使所述元素氧化物熔化为熔液；将所述熔液降温至预定温度，使所述熔液变为过饱和熔液；将基片与水平面以预设角度完全浸入所述过饱和熔液中；旋转所述基片，生成Bi石榴石薄膜；去除所述基片。本发明将基片与熔液液面保持45°全部浸入熔液，在旋转过程中能够使熔液更加均匀，基片两面都可以生长出合格的Bi石榴石薄膜，提高了薄膜生长效率，减少基片消耗；通过多种元素氧化物的添加，优化了Bi石榴石的晶格常数和温度系数，解决了薄膜开裂的问题。
一种法拉第旋转及其制备方法

[发明专利]一种Ce掺杂的LuYAG晶体及其生长方法-CN202211553084.2在审
发明人：罗毅;王陆洲;田雪雅 -专利权人：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ce掺杂的LuYAG晶体的生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、将掺杂剂、Lu203和Y203混合加入3mol/L的硝酸溶液中，将Al203加入5mol/L的硝酸溶液中，然后将两种溶液混合，加螯合剂搅拌分散后，加入氨水，在室温条件下调节pH值，继续搅拌60‑70min，过滤得到沉淀；第二步、制备熔融料；第三步、晶体籽晶进行提拉法生长。在Ce掺杂的LuYAG晶体的生长阶段，通过控制颗粒的温度梯度，为晶体生长提供驱动力的同时避免晶体的开裂，并结合合理的转速，保证晶体的生产速度，得到高品质的产品。得到更加均匀的晶体材料。
一种 ce 掺杂 luyag 晶体及其生长方法

[发明专利]铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件-CN202111659397.1有效
发明人：侯田江;马晓;桂训鹏;胡露;刘凯 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件，该方法包括：将单晶组分和助溶剂投入铂坩埚，加热使其熔化；将铂坩埚内熔体的温度降低至初始生长温度，使单晶组分逐渐沉积在设置于铂坩埚内部的单晶衬底表面；在沉积过程中，控制铂坩埚和单晶衬底反向旋转，并按照预设的第一周期转换铂坩埚和单晶衬底的旋转方向；以及，按照预设的第二周期将单晶衬底沿着熔体深度方向移动一设定距离，不同深度处的熔体在单晶衬底上均匀沉积，形成铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜；本发明能够制得磁光性能及光学性能更加均匀的单晶薄膜，在不需要较大膜厚的情况下，通过提高铋的有效置换量来提升其法拉第系数，降低单晶薄膜开裂的风险。
掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜制备方法以及光学器件

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