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[实用新型]一种提拉法制备高纯单晶锗的装置-CN202020059996.4有效
发明人：田庆华;李俊;郭学益;李栋;许志鹏 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-01-11 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提拉法制备单晶锗的装置，该装置包括腔内设有坩埚的锗单晶生长炉，坩埚周围设有加热装置，加热装置在单晶提拉方向的截面形状为“”形对称结构，将坩埚包围在中间，加热装置分为上部加热器和下部加热器，上部加热器和下部加热器的夹角为110°～160°，上部加热器和下部加热器内均设置有由上到下均布的若干个高频涡流感应线圈，以控制单晶周围温度场的轴向和径向梯度。本实用新型装置可以根据生产需要对制备单晶锗过程调控，具有极高的操作灵活性和自动化潜力。本实用新型所制备得到的晶体结晶性能良好，晶体无开裂、位错、气泡、夹杂、散射等缺陷，单晶重复率较高，达到了良好的长晶效果。
一种法制高纯单晶锗装置

[发明专利]一种600kg蓝宝石晶体泡生法生长工艺-CN202010350379.4在审
发明人：滕斌;康森;丁钰明;尚吉龙;韩斌;王子学 -专利权人：天通银厦新材料有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石晶体技术领域，尤其是一种600kg蓝宝石晶体泡生法生长工艺，包括如下步骤：S1、将600kg的氧化铝原料装在坩埚内，并将坩埚放置在单晶炉的炉膛中，将蓝宝石籽晶安装在单晶炉上的提拉机构上；S2、在单晶炉上安装上真空泵，将单晶炉通电，利用加热器对坩埚进行加热，并且在坩埚内的氧化铝原料完全熔化后，让单晶炉处在恒温状态下4‑7小时，然后启动真空泵，让单晶炉内部的空气逐渐减少，同时晃动单晶炉，晃动单晶炉0.5‑1小时后，停止晃动单晶炉，同时也关闭真空泵。
一种 600 kg 蓝宝石晶体泡生法生长工艺

[实用新型]一种单晶炉提拉头-CN202022152676.6有效
发明人：龚涛;刘杰 -专利权人：常州松瓷机电有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉设备制造领域，尤其是一种单晶炉提拉头所述支撑板上安装有减速器，减速器蜗杆与支撑板蜗杆孔同轴，所述减速器通过转接法兰连接有电机，所述支撑板上还有一个提升腔与减速器连接，所述提升腔中的花键与减速器中的涡轮同轴所述减速器的涡轮轴轴向平行于支撑板上平面，所述减速器的蜗杆轴垂直于支撑板上平面，电机通过转接法兰连接减速器蜗杆轴的上端，本实用新型相比现有技术拥有更小的旋转半径，更合理的质量分布，更轻的质量，更合理的结构使单晶炉提拉头具有了运行平稳
一种单晶炉提拉头

[发明专利]单晶的制造方法和硅晶片的制造方法-CN201480023134.3有效
发明人：鸣岛康人;久保田利通;小川福生;宇都雅之 -专利权人：胜高科技股份有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：单晶的制造方法，其利用了单晶提拉装置，所述单晶提拉装置具备：腔室、配置在该腔室内且能够容纳向硅熔液中添加红磷而成的掺杂剂添加熔液的坩埚、以及使籽晶接触前述掺杂剂添加熔液后进行提拉的提拉部，以单晶的电阻率达到0.7mΩ・cm以上且0.9mΩ・cm以下的方式向硅熔液中添加红磷，按照对由单晶得到的评价硅晶片实施在1200℃的氢气气氛中加热30秒的热处理后，评价硅晶片中产生的凹坑数量达到0.1个/cm2以下的方式任意地控制单晶温度达到570℃±70℃的范围内的时间并提拉单晶。
单晶单晶提拉装置掺杂剂硅晶片硅熔液红磷熔液提拉制造热处理氢气气氛电阻率提拉部凹坑硅晶腔室籽晶坩埚加热容纳室内配置

[发明专利]单晶提拉装置的线材防振机构-CN202111170642.2在审
发明人：尼崎晋 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：提供一种单晶提拉装置的线材防振机构(2)，设置于单晶提拉装置，前述单晶提拉装置具备腔(51)和提拉部，前述腔在内部容纳用于存积多晶融液的坩埚，前述提拉部具有从多晶融液经由籽晶提拉单晶的线材，具备旋转驱动源
单晶提拉装置线材机构

[实用新型]新型单晶炉-CN201320795542.3有效
发明人：王保强;黄伟;周永峰 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型单晶炉，涉及熔融液提拉法的单晶生长装置技术领域。包括炉体、保温桶、石墨坩埚、导流筒、加热器和第一反射板，石墨坩埚位于加热器的内部，保温桶位于加热器外，导流筒位于石墨坩埚之上，炉体位于保温桶的外侧，第一反射板位于加热器的下部，所述单晶炉还包括第二反射板所述单晶炉的热效率高，能够缩短化料时间，降低运行功率，节能环保。
新型单晶炉

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN202180081277.X在审
发明人：伊关崇志;鸣嶋康人 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即CV值小于临界CV值的方式控制掺杂剂浓度C及提拉速度V中的至少一者，从而培育单晶硅。
单晶硅培育方法

[发明专利]拉制平肩锗红外单晶的方法-CN200910233349.9无效
发明人：薛玲玲 -专利权人：南京中锗科技股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种拉制平肩锗红外单晶的方法，其特征在于：采用埚转、晶转，不提拉，热量随籽晶杆带走，待液面出现需要控制的锗单晶直径时，启动提拉按钮开始提拉，根据锗单晶直径不同，提拉速度控制在10～50mm/其工艺要点在于：配备适当的保温系统，保证有足够的径向温度梯度，利于锗单晶放肩过程的正常生产；放肩时，将晶升停止；转肩前先升温，确保锗单晶肩边缘温度够高再调晶升速率至正常拉晶值。
拉制平肩锗红外方法

[发明专利]热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法-CN201880022285.5在审
发明人：梶原薰;末若良太;仓垣俊二;田边一美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种能够扩大可获得无缺陷的单晶硅的晶体的提拉速度的界限的热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。本发明的热屏蔽部件（1）设置在从被配置于石英坩埚的周围的加热器加热并贮存在石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭（I）的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件（1）具备包围单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部（2）及在筒部（2）下部的环状的隆起部（3），该热屏蔽部件（1）的特征在于，隆起部（3）具有上壁（3a）、底壁（3b）及2个纵壁（3c、3d），在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料（H），与单晶硅锭（I）相邻的一侧的纵壁
热屏蔽部件单晶硅锭单晶提拉装置隔热材料石英坩埚隆起提拉筒部纵壁单晶硅加热器硅熔液晶体的圆筒状底壁上壁外周加热贮存包围配置制造

[实用新型]单晶提拉装置和具有其的晶体生长设备-CN202223448492.X有效
发明人：陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶提拉装置及具有其的晶体生长设备，所述单晶提拉装置设于副室且包括：提拉机构，所述提拉机构包括提拉绳和提拉驱动件，所述提拉绳的一端用于连接籽晶，所述提拉驱动件连接在所述提拉绳的另一端；限位机构，所述限位机构包括限位件和限位驱动件，所述限位驱动件与所述限位件相连用于驱动所述限位件沿上下方向移动，所述限位件与所述提拉绳相连用于限制所述提拉绳在水平方向上的位移。根据本实用新型的单晶提拉装置，通过设置提拉机构，可以完成晶体的生长；同时设置的限位机构，可以在不影响提拉绳旋转提拉的情况下，在不同位置对提拉绳进行水平方向的限位，进而限制提拉绳在旋转提拉过程中产生的晃动
单晶提拉装置具有晶体生长设备

[发明专利]一种大热场单晶炉-CN201811458849.8在审
发明人：李德建;申朝伦;张志耀 -专利权人：邢台晶龙新能源有限责任公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种大热场单晶炉，包括单晶炉主体，单晶炉主体底部设置有电熔炉，电熔炉内设有坩埚槽，坩埚槽内设置有石英坩埚；单晶炉主体上端设置有提拉杆，且提拉杆在驱动单元的带动下在单晶炉主体内上下移动；单晶炉主体内部设置有保温层，保温层厚度为48‑50mm；石英坩埚的直径为660‑730mm，高度为500‑520mm；本发明通过优化单晶炉内部部结构部件的尺寸参数，在有限的炉体空间内，增加石英坩埚的直径，同步缩减保温部件的厚度，提高单晶的拉制长度，起到单产提升的目的。
单晶炉石英坩埚保温层电熔炉提拉杆坩埚槽大热保温部件尺寸参数结构部件炉体空间驱动单元上下移动主体内部拉制上端单晶优化

[发明专利]一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置及方法-CN202211309666.6有效
发明人：刘未;吴金平;刘承泽;宰伟;谢剑波;谢龙飞;张于胜 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，包括真空腔体及其内部的加热组件，加热组件上部安装有真空蒸馏组件和单晶提拉组件，真空腔体上设置有真空组件，另外，本发明还提供了一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的方法，该方法将铟料装入内嵌坩埚中，将冷凝桶移至内嵌坩埚的正上方，进行真空蒸馏，将热屏移动至坩埚正上方，籽晶下移至铟料上方，通过单晶提拉，得到纯度大于7N的超高纯铟。本发明设置真空腔体和真空组件提供真空密封环境，通过加热组件和真空蒸馏组件配合完成铟料的真空蒸馏，初步去除铟料中的杂质，通过单晶提拉组件与真空蒸馏组件和加热组件配合，进行单晶提拉，实现真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟
一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备高纯装置方法

[实用新型]一种用于直拉法中检测大直径单晶硅是否晃动的装置-CN201922261031.3有效
发明人：李永博;王利超;王永涛;崔彬;方峰 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉法中检测大直径单晶硅是否晃动的装置。该装置包括在单晶炉内部设置在籽晶夹头上方软轴上的两个红外线发射器和两个红外线接收器；两个红外线发射器和两个红外线接收器分别设置在单晶炉中心轴上的同一位置；两个红外线发射器发射红外线的方向相反并分别垂直于单晶炉内壁；每个红外线接收器分别接收其中一个红外线发射器发出并被炉体内壁反射回的红外线；两个红外线接收器分别通过软轴与单晶炉外的显示器连接；通过比较两个红外线接收器的红外线信号数据，来判断单晶硅是否晃动。利用本实用新型的装置，能够实时的观测晶体是否在炉内最中心的位置，进而能够实时采取措施来保证稳定安全的生产环境，预防单晶脱落的可能。
一种用于直拉法中检测直径单晶硅是否晃动装置

[发明专利]一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法-CN202210483060.8有效
发明人：霍晓青;张胜男;王英民;王健;王新月;周传新;张弛;秦广阔 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。步骤是：1、称取Ga2O3多晶粉料放入装有带缝模具的坩埚中；2、将坩埚放入生长炉中并安装籽晶；3、抽真空后充入CO2气体，进行两次升温；4、缓慢降低籽晶，待籽晶底部熔化后，向上提拉籽晶，并且降温，生长β相氧化镓多晶；5、待生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，对炉体进行降温；6、将炉内CO2气体放出至常压，取出β相氧化镓多晶；7、将β相氧化镓多晶料放入单晶生长坩埚中，进行β相氧化镓单晶生长。采用本发明后消除了大量空洞，提高了晶体质量；增加了单晶可利用率，每炉次成本降低了10%~20%；单晶成品率提高了10%~15%。
一种导模法生长氧化镓单晶原料处理方法

[其他]大直径铌酸锂单晶生长设备及工艺-CN85104969无效
发明人：马传玺;孔宝国;赵军令;张国宾;周亭亭 -专利权人：轻工业部玻璃搪瓷工业科学研究所
申请日： 1985-06-25 - 公布日： 1987-01-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于铌酸锂单晶的生长方法。采用电阻炉提拉法生长铌酸锂单晶，在电阻炉炉膛的上部空间装置一耐火材料锥面热辐射罩，使液面上部的温度梯度降低到，晶体所在的空间温度保持在居里点之上，并用铂铑籽晶杆代替铂籽晶杆。拉制的单晶直径在Φ120-200m/m，重量在5-10kg，大大提高了晶体生长效率，节省了人力和能源。
直径铌酸锂单晶生长设备工艺