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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]异型加热器及单晶提拉炉热场结构-CN201610725182.8有效
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布
异型加热器单晶提拉炉热场结构

[实用新型]一种单晶炉提拉旋转驱动装置-CN201921222989.5有效
发明人：马立强;张世平;闫志祥 -专利权人：焦作晶锐光电有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉提拉旋转驱动装置，包括安装板，所述安装板上端固定连接有驱动箱，所述安装板中部竖直贯穿设有转筒，且转筒通过固定轴承与安装板转动连接，所述转筒内插设有提拉杆，所述提拉杆的下端固定连接有连接体，所述安装板上端面设有用于驱动转筒转动的旋转机构，所述驱动箱的内顶部固定安装有第二电机，所述第二电机输出轴末端固定连接有卷盘，所述卷盘上连接有钢丝绳，所述钢丝绳的自由端固定连接有横杆，所述提拉杆的上端贯穿横杆并与其转动连接本实用新型有效保证单晶炉提拉旋转的平稳，保证成品生产质量。
一种单晶炉提拉旋转驱动装置

[发明专利]一种M2型单晶硅快速收尾方法-CN201610375078.0有效
发明人：王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;范晓甫;周子江;赵贝;刘钦;陈二星 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉提拉法生长单晶硅棒技术领域，尤其是涉及特定直径单晶硅棒的收尾方法，具体公开了一种M2型单晶硅快速收尾方法，通过单晶上升拉速和温校速率等收尾参数的改进，将收尾过程按收尾长度分为0‑3mm、本发明能够使M2型单晶硅棒收尾长度缩短至100mm，收尾时间减少0.5小时，降低原材料用量及能耗，提高生产效率和产能，降低M2型单晶硅生产成本。
一种 m2 单晶硅快速收尾方法

[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置-CN202110347711.6有效
发明人：郑来奇;欧子杨;白枭龙;尚伟泽;杨俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，其中，方法包括以下步骤：在拉制成型的单晶硅取出单晶炉之后，且在复投硅料之前，通过晶体提拉装置将复投钡粉装置下降至坩埚内的硅液面上方，使得复投钡粉装置的出粉口与坩埚底部的圆角处相对；控制晶体提拉装置的转速达到预设值，在保护气体的作用下将放置于复投钡粉装置内的钡粉吹向坩埚底部圆角处。本申请提出提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，能够降低连续拉制单晶硅过程中坩埚的腐蚀程度，提高坩埚使用寿命，提升复投单晶硅品质。
提高单晶硅成晶率方法制备装置

[发明专利]一种光学级磷化镓单晶的制备方法-CN202310073667.3有效
发明人：林泉;柴晨;许兴;王博;王宇;曹琳;马英俊;刘志远;马远飞;丁红全 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明涉及红外光学材料制备技术领域，具体公开一种光学级磷化镓单晶的制备方法。包括以下步骤：S1，将磷化镓多晶、氧化镍和氧化硼混合均匀后放入高压单晶炉中，于惰性气氛下，升温，熔接籽晶，将石英坩埚的转速提升至预设转速a，并将籽晶的转速提升至预设转速b，以第一预设速率提拉单晶；S2，单晶收尾过程中，以第二预设速率提拉单晶，收尾完成后，停止锅转，降温，得光学级磷化镓单晶。本发明所提供的光学级磷化镓单晶的制备方法，既可以有效提高产品的电阻率，提升电阻率的均匀性，又可以提升磷化镓单晶的红外光学透过率。
一种光学磷化镓单晶制备方法

[发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
发明人：西岗研一;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。
制造系统方法

[发明专利]制备单晶硅时的间隙尺寸决定方法及单晶硅的制备方法-CN202010273289.X有效
发明人：下崎一平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶硅的间隙尺寸决定方法，其中，模拟单晶硅的缺陷分布和提拉速度的关系，基于模拟结果来确定得到只具有无缺陷区域的单晶硅的提拉速度的裕度，基于将通过模拟得到的缺陷分布数值化得到的值、通过模拟得到的提拉速度的裕度和间隙尺寸的第1关系，以及将评价用单晶硅的缺陷分布数值化得到的值和制备评价用单晶硅时的间隙尺寸的第2关系，推断制备评价用单晶硅时的提拉速度的裕度，决定使得比该推断的提拉速度的裕度更为增大的间隙尺寸。
制备单晶硅间隙尺寸决定方法

[发明专利]一种提高100单晶成活率的放肩方法-CN202210403758.4有效
发明人：闫龙;周文辉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高100单晶成活率的放肩的方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒，本发明通过预定拉速曲线进行晶棒拉制，使得放肩的肩型统一
一种提高 100 成活率方法

[发明专利]一种深紫外氟化镁晶体生长方法-CN201210448959.2无效
发明人：王冬;胡卫东 -专利权人：合肥嘉东科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种深紫外氟化镁晶体生长方法，它涉及单晶生长技术领域。它包括步骤为：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。
一种深紫氟化晶体生长方法

[发明专利]单晶炉的结构-CN200910030894.8无效
发明人：潘燕萍;潘国强 -专利权人：潘燕萍;潘国强
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及利用多晶硅提拉出单晶硅的一种装置，具体是一种单晶炉的结构。该结构上炉体、炉盖、翻板箱、副炉内均设置有流通冷却液的夹层，炉底板上设置有加热装置和支撑装置，加热装置和支撑装置穿入炉体，炉体内设置有保温层和盛放多晶硅材料的容器，该保温层设置在炉体与加热装置之间，容器设置在支撑装置端部，炉体顶端设置有氩气的导流装置，翻板箱内设置有翻板闸门装置，副炉顶部设置有提拉机构，炉底板底部与翻板箱侧壁均设置有真空抽口，炉体、炉盖、翻板箱、副炉上均设置有镁棒接口。本发明的有益效果是提高生产效率，降低生产成本，延长了单晶炉的使用寿命。
单晶炉结构

[实用新型]单晶炉装置-CN200920039691.0无效
发明人：潘燕萍;潘国强 -专利权人：潘燕萍;潘国强
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及利用多晶硅提拉出单晶硅的一种装置，具体是一种单晶炉装置。该结构上炉体、炉盖、翻板箱、副炉内均设置有流通冷却液的夹层，炉底板上设置有加热装置和支撑装置，加热装置和支撑装置穿入炉体，炉体内设置有保温层和盛放多晶硅材料的容器，该保温层设置在炉体与加热装置之间，容器设置在支撑装置端部，炉体顶端设置有氩气的导流装置，翻板箱内设置有翻板闸门装置，副炉顶部设置有提拉机构，炉底板底部与翻板箱侧壁均设置有真空抽口，炉体、炉盖、翻板箱、副炉上均设置有镁棒接口。本实用新型的有益效果是提高生产效率，降低生产成本，延长了单晶炉的使用寿命。
单晶炉装置

[发明专利]一种用于在线清理单晶炉内杂质底料的方法-CN202011421650.5在审
发明人：陈梦楠;刘明权 -专利权人：江苏神汇新材料科技有限公司;江苏润弛太阳能材料科技有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用于在线清理单晶炉内杂质底料的方法，该方法采用吸杂罐在单晶炉不停炉的状态下对单晶炉内杂质底料进行吸取，具体操作为：在单晶炉拉棒后，保持单晶炉不停炉，先将吸杂罐抽成负压状态，然后将吸杂罐的吸杂管伸入单晶炉，利用压力差将单晶炉内杂质底料吸入吸杂罐内，接着，将吸杂罐从单晶炉内取出，即可。该方法设计合理、易于操作，不需要单晶炉停炉，即可将单晶炉内拉棒后剩余的高杂质含量的埚底料吸出，既增加了单晶炉的单次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒间的质量差异性，大大提高了单晶炉的生产效率。
一种用于在线清理单晶炉内杂质方法

[发明专利]人工晶体生长用晶体旋转机构-CN200610041306.7无效
发明人：冯金生;李留臣 -专利权人：常州华盛天龙机械有限公司
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工晶体生长用晶体旋转机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的晶体旋转机构；包括担负信号传输的电刷环安装在支撑轴承的上部，定心套安装在旋转轴的上部，这样使得旋转轴的旋出部分较长，旋转平稳性差；另外，定心套安装在旋转轴的上部安装更换十分不便；将卷扬提升机构安装在本发明中空心旋转轴的上端，钢丝绳软轴通过空心旋转轴的中心孔，穿过安装在旋转轴下部的定心套的中心孔提拉生长人工晶体；提高人工晶体生长中旋转运动的稳定性、可靠性，并方便安装和维修，可广泛用于各类人工晶体生长设备中的晶体提拉生长运动。
人工晶体生长晶体旋转机构

[发明专利]人工晶体生长用晶体旋转机构-CN200610040115.9无效
发明人：冯金生;李留臣 -专利权人：江苏华盛精细陶瓷科技有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工晶体生长用晶体旋转机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的晶体旋转机构；包括担负信号传输的电刷环安装在支撑轴承的上部，定心套安装在旋转轴的上部，这样使得旋转轴的旋出部分较长，旋转平稳性差；另外，定心套安装在旋转轴的上部安装更换十分不便；将卷扬提升机构安装在本发明中空心旋转轴的上端，钢丝绳软轴通过空心旋转轴的中心孔，穿过安装在旋转轴下部的定心套的中心孔提拉生长人工晶体；提高人工晶体生长中旋转运动的稳定性、可靠性，并方便安装和维修，可广泛用于各类人工晶体生长设备中的晶体提拉生长运动。
人工晶体生长晶体旋转机构

[发明专利]一种单晶炉二次增料装置-CN201410518151.6在审
发明人：陈爱平;陈定群 -专利权人：炘源晶光伏科技（洛阳）有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉二次增料装置，属于单晶硅制造装置领域，其包括提拉杆、固定圈、支撑圈、外筒，其特征在于：所述的支撑圈和下环与外筒相连接，内筒连接在下环上，固定圈分别与外筒和内筒相连接，提拉头和提拉杆都连接在上环上本发明结构新颖，设计紧凑，有效的解决了原有单晶炉二次增料装置硅料卡壳和硅料污染的问题。
一种单晶炉二次装置

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