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[发明专利]单晶制造装置及单晶的制造方法-CN202180029654.5在审
发明人：西冈研一;高梨启一;滨田建;下崎一平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。根据相机(24)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶
制造装置方法

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880026821.9在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;堤有二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
单晶硅电阻率提拉电阻率控制开始位置逐渐降低生长掺杂剂硅熔液提拉法红磷直体制造

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅-CN201680061735.2有效
发明人：横山龙介;藤原俊幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法-CN201610241793.5在审
发明人：刘欣宇;陈颖超;张云伟;何丽娟;靳丽婕;郭希;程章勇 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法，为该方法配备一晶体生长用单晶炉，该方法包括如下步骤：步骤1）调整所述保温结构使所述发热筒内得到理想的温区分布，在所述坩埚内进行碳化硅晶体生长；步骤2）碳化硅晶体生长完成后，使用所述提拉机构控制所述坩埚，将其移至所述发热筒内低于晶体生长温度的区域；步骤3）待晶体温度恒定后，启动温控程序将单晶炉内温度缓慢降至室温，降温后出炉、取锭。
一种 pvt 生长碳化硅单晶时随炉退火方法

[发明专利]单晶硅晶片的制造方法-CN200680051077.5有效
发明人：江原幸治 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，是通过切克劳斯基法来提拉单晶硅晶棒，并对自该晶棒切出的晶片进行快速热处理的单晶硅晶片的制造方法，其预先对自该改变提拉速度而提拉而成的上述晶棒切出的晶片，改变热处理温度来进行快速热处理，接着进行氧化膜耐压测定，求出提拉速度及热处理温度和氧化膜耐压测定结果之间的关系，然后基于该关系，以在上述快速热处理后其径向全面可以成为N区域的方式，来决定提拉速度及热处理温度的条件，进行晶棒的提拉及快速热处理来制造硅单晶晶片由此，可提供一种能效率良好且确实地制造单晶硅晶片的制造方法，能确保在晶片表层具有DZ层，且在晶片的基体区域形成氧析出物。
单晶硅晶片制造方法

[发明专利]籽晶的提拉机构及其使用方法-CN202210346375.8有效
发明人：陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶的提拉机构及其使用方法，所述提拉机构包括：籽晶夹，籽晶夹用于固定籽晶；软轴，软轴下端连接籽晶夹，软轴构造成能够牵引籽晶夹旋转和升降；限位组件，限位组件为一个或环绕籽晶夹分布的多个，每个限位组件位于籽晶夹的水平一侧，限位组件构造成能够升降和绕软轴的旋转轴线旋转；其中，限位组件包括限位件，限位件具有可切换的伸出位置和回缩位置，在伸出位置限位件与籽晶夹之间的距离为第一距离，在回缩位置限位件与籽晶夹之间的距离为第二距离本发明的提拉机构，能够快速稳定籽晶夹的晃动，减少对晶棒生长的影响。
籽晶机构及其使用方法

[实用新型]一种氮化铝单晶生长的提拉装置-CN201620685348.3有效
发明人：程章勇 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝单晶生长的提拉装置，该提拉装置包括拉提组件、碳化钽坩埚、发热筒和保温层；拉提组件由拉提绳、拉提杆和升降石墨筒构成，拉提绳的一端与中频感应炉上的提拉升降系统相连接，另一端与拉提杆的一端连接，拉提杆的另一端与升降石墨筒的上盖连接；碳化钽坩埚固定在升降石墨筒内；升降石墨筒设置在发热筒内，保温层包裹在发热筒的外侧。本申请还公开了一种氮化铝单晶生长的提拉方法。本申请的提拉装置可有效解决生长氮化铝晶体常用碳化钽坩埚不易实现上下移动的弊端。
一种氮化铝单晶生长装置

[实用新型]一种用于大尺寸蓝宝石单晶生长炉的鸟笼状电阻发热体-CN200920100240.3有效
发明人：左洪波;杨鑫宏;宋波;王玉平;王天成 -专利权人：哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于大尺寸蓝宝石单晶生长炉的鸟笼状电阻发热体。它包括两个铜半环、纵向钨棒和横向钨棒，两个铜半环与单晶炉电极相连接，六组纵向钨棒分别通过钼螺栓固定在铜半环上，固定在同一个铜半环上的钨棒相互之间用两组横向钨棒连接在一起，横向钨棒与纵向钨棒通过钨丝连接绑紧本实用新型发热体具有热量供给均匀，温场分布均匀稳定等特点，而且其内部温度场分布为底部温度高于上端温度，边缘温度高于中心温度，非常适合于冷心放肩微量提拉法生长大尺寸蓝宝石单晶。结合冷心放肩微量提拉法的要求，本实用新型发热体还应具备其它特点：其内部温度场分布为底部温度高于上端温度，边缘温度高于中心温度。
一种用于尺寸蓝宝石生长鸟笼电阻发热

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN201880095845.X在审
发明人：末若良太;滨田建 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种考虑在培育单晶时作用于单晶中的应力效应，能够精确地培育出无缺陷晶体的单晶硅的培育方法。本发明的单晶硅的培育方法使用配置围绕培育中的单晶(8)的水冷体(11)的同时，配置了包围该水冷体(11)的外周面及下端面的热屏蔽体(10)的单晶培育装置，并且包含间隙可变控制，一边改变原料熔液(9)的液面与热屏蔽体(10)之间的间隙，一边提拉单晶，当单晶(8)中心部的固液界面附近的提拉轴方向的温度梯度为Gc、单晶(8)外周部的固液界面附近的提拉轴方向的温度梯度为Gc+0.5462时，以满足0.9×A≤Gc/Ge≤1.1×A的条件提拉单晶
单晶硅培育方法

[发明专利]一种籽晶夹头组件-CN201310542301.2有效
发明人：姜舰;崔彬;戴小林;韩秋雨;王雅楠;吴志强 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶夹头组件，包括软轴、联接杆和籽晶夹头，所述联接杆由上端联接杆、防脱块、及下端联接杆组成，该上端联接杆的顶端设有圆台，沿该上端联接杆的中心轴向其侧面开设有一槽部，该槽部与软轴下端的结构相匹配；该防脱块套设在该圆台上，其侧面设有供所述软轴进入的开槽，并设有与上端联接杆的槽部匹配的挡块；该下端联接杆通过销钉与籽晶夹头连接。本发明用于直拉硅单晶炉内连接籽晶，在更换籽晶夹头时，不需要从软轴处拆下就可以简单快捷的实现籽晶夹头与软轴下端部快速联接，缩短了装配时间，提高了硅单晶棒的生产效率。
一种籽晶夹头组件

[发明专利]一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构-CN201910519285.2有效
发明人：张志强 -专利权人：常州常晶科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构，本发明涉及一种太阳能晶体硅材料的技术领域。使用单块板状籽晶，在籽晶诱导下从上向下沿籽晶厚度方向，从硅熔液中生长高度略等于宽度的准方形晶体。为实现所述晶体生长方法，本发明热场结构包括主、副炉室、籽晶装载腔、晶棒卸载腔，晶体提拉机构，坩埚，加热器，保温筐，隔热板等部件，副炉室中的晶体提拉机构挂载籽晶诱导晶体生长，在晶体生长过程中，在籽晶装载腔和晶棒卸载腔进行籽晶模块的准备和晶棒的取出，晶棒生长完成后，晶体提拉机构可快速卸载并再次挂载籽晶块生长下一根晶体。本发明所生长类单晶硅晶体，具有晶向统一，边皮料比例低，产品合格率高，缺陷密度低，生产效率高的特点。
种类单晶硅晶体生长方法结构

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片-CN202210123737.7在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;堤有二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
单晶硅制造方法晶片外延

[实用新型]一种熔体长晶用真空炉-CN201320436604.1有效
发明人：姚泰;于永澔;韩杰才;张宇民 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种熔体长晶用的真空炉，主要是为解决现有的熔体长晶用真空炉生产的产品成品率低，质量不稳定的问题而设计的。它包括炉体、大炉盖、电极、小炉盖、单晶提拉机构、单晶旋转机构、单晶提拉杆、坩埚、坩埚托盘、托盘顶柱、坩埚盖、上隔热屏、加热器、下隔热屏、侧隔热屏；在下隔热屏下面设下保温砖层，在侧隔热屏的外面设侧保温砖层
一种体长真空炉

[发明专利]硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置-CN201910334491.6有效
发明人：金原崇浩;片野智一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在使用提拉装置制造硅单晶的硅单晶的制造方法中，将在提拉中被导入到提拉装置内的气体从形成在加热器（5）的背面上的中部排气口（16A）排气，所述提拉装置具备：腔室；设置在腔室内的石英坩堝（3A）；和加热器（
硅单晶制造方法装置

[实用新型]一种单晶炉-CN202222107237.2有效
发明人：朱永刚;李侨;董升;曹杰;张伟建;白锋 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种单晶炉，所述单晶炉包括炉体和传热组件，炉体用于单晶硅棒的生长；沿所述炉体的轴线方向，所述传热组件设置在所述炉体内，所述传热组件包括传热件；所述传热件用于与所述单晶硅棒接触，并传导所述单晶硅棒的热量本实施例的单晶炉可快速降低单晶硅棒温度，使得拉晶速度可以进一步提高，并且单晶硅棒四周不会产生碰撞风险，因此，这种单晶炉能够兼具较高拉晶速度和较高拉晶质量。
一种单晶炉