“单晶炉软轴提拉”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1019275个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法-CN202210495052.5在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊 -专利权人：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法，其中多次提拉的方式为：将籽晶进入液面4mm，进入液面4mm后稳定10mi n后开始提拉并缩颈，缩颈时提拉速度8mm/h，升温速度8℃/h，缩颈宽度为1mm，提拉高度为2mm；将籽晶进入液面2mm，进入液面2mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度4mm/h，升温速度4℃/h，缩颈宽度为2mm，提拉高度为4mm；将籽晶进入液面1mm，进入液面1mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度1mm/h，升温速度2℃/h，缩颈宽度为4mm，提拉高度为8mm，本发明多次提拉的方式来改变大尺寸铌酸锂单晶的生长；有效提高铌酸锂单晶的质量。
一种尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法

[发明专利]一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法-CN202110994320.3有效
发明人：许磊;李航;张利波;韩朝辉;刘建华;巨少华;夏仡;唐治梦;朱知 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法，涉及单晶硅生产技术领域。所述生产系统包括相互连接的连续补料装置和单晶硅提拉炉，连续补料装置的炉管设置在壳体内，炉管与壳体之间填充有保温材料，炉管顶部连接有进料仓；炉管呈L型且包括依次连接的熔料管、U型管和导流管，熔料管、导流管、U型管内径依次减小；壳体外侧壁上设置有微波发生器，微波发生器位置与熔料管位置对应，U型管上设置有加热装置，导流管与单晶硅提拉炉顶部设置的进料管连接。通过微波快速加热多晶硅，实现快速熔料；通过U型管和加热装置实现对熔硅的阻断和流通，从而实现按批次熔料补料，实现单晶硅的连续生产，生产效率得到大大提高。
一种单晶硅微波快速连续生产系统及其生产方法

[实用新型]一种单晶炉-CN202020766292.0有效
发明人：刘佳奇 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上部设置有坩埚，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的顶部设有籽晶提拉机构，所述单晶炉还包括根据本实用新型实施例的单晶炉，通过向炉体内施加磁场，可以阻滞坩埚内流体的热对流，提高晶体性能和均匀性；并且通过增设温度检测单元和磁场检测单元对炉内加工参数进行实时检测，可以有效辅助生产过程中各工序的条件判断
一种单晶炉

[发明专利]一种利用铜或铜合金制备的单晶炉水冷热屏及其制备方法-CN202210897951.8有效
发明人：马明月;庾高峰;张航;李雷;宁超;王文斌 -专利权人：陕西斯瑞新材料股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用铜或铜合金制备的单晶炉水冷热屏及其制备方法，涉及铜合金制备技术领域，单晶炉水冷热屏包括相互套接的锥段外筒和锥段内筒，锥段外筒底部设有直段外筒，锥段内筒底部设有直段内筒，锥段外筒和锥段内筒之间形成用于过水的第一环形空间单晶炉水冷热屏的制备方法包括以下步骤：S1、内外筒制备；S2、导流通路制备；S3、环形空间制备。本发明优化了单晶硅生长过程的温度分布，并与提拉速度相匹配，最终达到增加提拉速度以及提高生产效率的目的。
一种利用铜合金制备单晶炉水冷及其方法

[发明专利]一种单晶棒引晶和放肩装置、单晶炉及其工艺方法-CN201610879784.9在审
发明人：周浩;尹东坡;司佳勇 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶棒引晶和放肩装置、单晶炉及其工艺方法，属于单晶硅制造技术领域，单晶棒引晶和放肩装置，包括位于坩埚上方的重锤，在所述重锤的靠近籽晶连接端的侧壁上固定有反射盖，所述反射盖呈锥面形，锥顶角度为150°至180°，锥面朝向硅液；单晶炉包括所述的单晶棒引晶和放肩装置；单晶棒引晶和放肩的工艺方法，利用上述所述的单晶炉进行，步骤包括：引晶步骤：坩埚转速为8～12rpm，籽晶转速为10～13rpm，引晶长度为120～200mm，细晶的直径为4～8mm；放肩步骤：坩埚转速为10～12rpm，籽晶转速为10～13rpm，放肩提拉速度0.5～0.8mm/min。
一种单晶棒引晶装置单晶炉及其工艺方法

[发明专利]一种单晶炉-CN202110568885.5在审
发明人：宋斐 -专利权人：宋斐
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉，包括单晶炉底座，所述单晶炉底座内设有工作腔，所述工作腔内下壁转动设有传动轴，所述传动轴上端面固定设有石墨托盘，所述石墨托盘内摆放设有用于进行单晶硅熔化的坩埚，所述坩埚内设有开口向上的熔化腔，本发明通过在进行单晶材料直拉生长工作时，在工作腔内惰性气体输入过大导致气压增大时通过将进气管道内左右两侧连通的横截面积减少，进而降低输入的惰性气体的速度，进而对工作腔内部达到气压恒定调节的效果，使单晶材料的直拉生长工作效果更好，并通过自动的速度调节使在进行单晶直拉生长工作过程中，提拉的转速维持在一定的速度范围内，进而提高单晶直拉生长的工作效率。
一种单晶炉

[发明专利]一种氮化铝单晶生长的提拉装置及拉提方法-CN201610511240.7在审
发明人：程章勇 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝单晶生长的提拉装置及拉提方法，该提拉装置包括拉提组件、碳化钽坩埚、发热筒和保温层；拉提组件由拉提绳、拉提杆和升降石墨筒构成，拉提绳的一端与中频感应炉上的提拉升降系统相连接，另一端与拉提杆的一端连接，拉提杆的另一端与升降石墨筒的上盖连接；碳化钽坩埚固定在升降石墨筒内；升降石墨筒设置在发热筒内，保温层包裹在发热筒的外侧。本申请还公开了一种氮化铝单晶生长的提拉方法。本申请的提拉装置可有效解决生长氮化铝晶体常用碳化钽坩埚不易实现上下移动的弊端。
一种氮化铝单晶生长装置方法

[发明专利]硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法-CN200880105838.X有效
发明人：高濑伸光 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供硅单晶提拉用晶种，该晶种可以降低由接触硅熔液时产生的热冲击引起的滑移位错的产生，并且抑制该滑移位错的传播，即使颈部的直径大于以往的直径也能进行无位错化。本发明的硅单晶提拉用晶种是对基于CZ法的硅单晶提拉中所使用晶种的改良，其特征的构成在于，该晶种是从掺杂碳的硅熔液中提拉的硅单晶中切出的晶种，并且掺杂的碳的浓度为5×1015～5×1017原子/cm3的比例
硅单晶提拉用晶种以及使用硅单晶制造方法

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880027573.X在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;木原亚由美 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。
单晶硅提拉石英坩埚掺杂剂电阻率硅熔液提拉法红磷直体制造生长

[发明专利]单晶硅的培育方法及单晶硅的提拉装置-CN202080062476.1在审
发明人：深津宣人;横山龙介 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于提拉法的单晶硅的培育方法，其具有：提拉工序，一边使单晶硅(S)旋转一边进行提拉；及掺杂剂投下工序，在单晶硅(S)的直体部的提拉过程中向硅熔液的液面(MA)上投下粒状掺杂剂，在掺杂剂投下工序中
单晶硅培育方法装置

[发明专利]单晶炉加料量控制方法及装置-CN202310011668.5在审
发明人：劳海兵;万军军;王新强 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种单晶炉加料量控制方法及装置，获得单晶炉内的坩埚中的多晶硅原料的第一重量；如果监测到有料筒完全进入单晶炉的副室内，读取位于单晶炉的提拉头处的计重器的读数；根据第一重量、读数和空料筒的重量，确定当前时刻坩埚中的多晶硅原料与料筒中的多晶硅原料的总重量；若总重量小于或等于坩埚最大装料重量，将料筒中的多晶硅原料加入坩埚中，返回执行获得单晶炉内的坩埚中的多晶硅原料的第一重量的步骤；若总重量大于坩埚最大装料重量
单晶炉加料量控制方法装置

[发明专利]溶液法生长SiC单晶的方法-CN202211356676.5在审
发明人：陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括：(1)将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料块的上方；其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述生长炉抽真空；(3)通入功能性气体以控制生长炉内的气压，然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化以形成助熔剂熔体并且使所述助熔剂处于特定的温场；(4)下推所述提拉杆使得所述籽晶与助熔剂熔体接触，并且对所述籽晶和坩埚进行旋转和提拉以及动态调整热源本发明的方法能够实现高质量SiC单晶的持续、稳定、快速生长。
溶液生长 sic 方法

[发明专利]硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法-CN200580028656.3有效
发明人：宝来正隆;杉村涉;小野敏昭 -专利权人：株式会社上睦可
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。
硅片及其制造方法以及硅单晶培育

[发明专利]一种半导体单晶硅提拉机-CN201910198259.4有效
发明人：靳俊改 -专利权人：内蒙古和光新能源有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体单晶硅技术领域，尤其涉及一种半导体单晶硅提拉机。本发明要解决的技术问题是提供一种不易使熔融状态的多晶硅料飞溅起来、不会影响下次单晶硅棒的提取、操作简单和单晶硅棒的尖头容易切除的半导体单晶硅提拉机。一种半导体单晶硅提拉机，包括有支撑板、电机、炉体、石墨坩埚、石英坩埚和盖子等；两支撑板均固接于地面上，支撑板顶部固接有炉体，炉体顶部铰接连接有盖子。本发明达到了不易使熔融状态的多晶硅料飞溅起来、不会影响下次单晶硅棒的提取、操作简单和单晶硅棒的尖头容易切除的效果。
一种半导体单晶硅提拉机

[实用新型]一种液态磷注入法合成磷化铟的系统-CN202020974671.9有效
发明人：付莉杰;孙聂枫;王书杰;李晓岚;张鑫;张晓丹;史艳磊;邵会民;王阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型一种液态磷注入法合成磷化铟的系统，属于半导体技术领域，包括基于原位合成法的InP单晶炉、设置在单晶炉内的提拉式籽晶杆、石英磷泡、磷源炉及坩埚，关键在于：所述单晶炉内还设置有冷凝器，冷凝器包括充有冷却液的冷却箱和浸在冷却液内的螺旋管，螺旋管的入口与石英磷泡的口部连通，螺旋管的出口插入坩埚内的铟熔体中，石英磷泡设置在磷源炉内。该系统中，在单晶炉内增设冷凝器并将石英磷泡与冷凝器连接，石英磷泡内的固态磷被磷源炉加热气化，气态磷进入冷凝器冷却为液态磷注入坩埚内的铟溶体中。能够在较低温度下、高效率、高纯度的配比、大容量合成磷化铟溶体，利于生长富磷磷化铟多晶，易于磷化铟单晶的生长。
一种液态注入合成磷化系统