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[发明专利]一种晶片缺陷的快速标记方法-CN202211523463.7有效
发明人：张弛;王英民;程红娟;李晖;霍晓青;高飞;王健;王磊;高鹏程 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域，每个区域均匀设有若干个方格，每个方格之间设有相互垂直的沟槽，每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴板能将晶片在贴片过程中的所用的粘贴蜡均匀排出，保证晶片粘贴后的TTV能够达到2μm内，解决了晶片在贴片过程中TTV较差的问题；对透明或半透明晶片加工过程中的表面划痕、缺陷等损伤通过晶片粘贴板上的数字坐标能对显微镜下标记的缺陷进行快速准确定位，有效解决了晶片粘贴不平和缺陷快速定位分析的问题。本发明有助于后续对晶片表面质量问题进一步研究分析。
一种晶片缺陷快速标记方法

[发明专利]一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法-CN202211194548.5有效
发明人：高飞;边子夫;王英明;王健;霍晓青;李晖;李宝珠 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液在研磨机上对待加工晶片的B面进行研磨，将待加工晶片B面的厚度研磨至与所述支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗；采用上述方法，将待加工晶片的A面研磨至与边缘支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗，完成待加工晶片的研磨。采用本发明对晶片进行研磨时，同一盘内晶片的厚度偏差≤3μm，晶片的目标厚度控制精度可以达到±5μm，有效的保障了晶片厚度批次的一致性和稳定性。
一种尺寸晶体材料晶片研磨方法

[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法-CN202211194544.7有效
发明人：高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
一种确定双面研磨晶片上下表面去除方法

[发明专利]辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法-CN202011426046.1有效
发明人：张胜男;王健;霍晓青;庞越;王新月;高彦昭;李轶男;徐世海 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
辨别 100 氧化晶体有无 hrxrd 测试方法

[发明专利]籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法-CN202110266111.7有效
发明人： 霍晓青;张胜男;王新月;王健;周金杰;周传新;李宝珠 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：一种籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法，采用一定角度偏转籽晶进行β相氧化镓生长的方法，利用β相氧化镓单晶生长过程中缺陷遗传性高的特点，排出β相氧化镓单晶前表面产生的缺陷，即通过氧化镓籽晶的晶向偏转，改善生长晶体的质量，提高了导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶成晶率，降低了单晶生长成本。
籽晶偏角导模法生长 100 氧化镓单晶方法

[发明专利]一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法及控制装置-CN202210412939.3有效
发明人：于凯;霍晓青;王英民;高飞;张胜男;王健;李宝珠;程红娟;王新月 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法，控制方法通过控制装置完成，采用称重装置所获得的一个采样周期的晶体质量的增量、拉速等数据来计算该采样周期内的放肩角度，属于采样周期内的局部放肩角度调整；另外通过图像采集装置获得的晶体高度及底边长度来计算放肩角度，属于所生长晶体的整体放肩角度调整；最后将以上两种方法所得到的调整速度取平均值设定给下一个采样周期的生长速度。应用该方法后，氧化镓单晶的放肩过程可以按照预先设定的角度进行连续稳定的放肩，直至等径生长，全单晶的成品率得到提升，获得放肩平缓连续的氧化镓晶体。
一种氧化镓单晶生长角度控制方法装置

[发明专利]一种改变氧化镓熔体流动性的原料掺杂方法-CN202210482935.2有效
发明人：张胜男;王健;王英民;霍晓青;王新月;于凯;高飞;周金杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改变氧化镓熔体流动性的原料掺杂方法。方法为：一、取一定量的Ga单质溶于稀盐酸溶液中，形成GaCl3溶液；二、掺杂元素为Li、Na、K中任意一种，按照一定量的Ga单质的质量计算掺杂剂的质量，将掺杂剂放入GaCl3溶液中；三、将GaCl3溶液进行烘干处理，得到干燥的GaCl3固体；四、将GaCl3固体进行烧结，通入动态氧气，使GaCl3固体完全转化为氧化镓；五、将烧结好的氧化镓取出进行球磨，得到粉末状氧化镓原料。采用本发明进行氧化镓单晶生长，使原料完全熔化，且流动性较好，气泡很好地被排除。铱坩埚边缘和底部温度明显降低，铱金损耗相比原有工艺减少40%以上，降低了成本，延长了坩埚寿命。
一种改变氧化镓熔体流动性原料掺杂方法

[发明专利]一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法-CN202210483060.8有效
发明人： 霍晓青;张胜男;王英民;王健;王新月;周传新;张弛;秦广阔 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。步骤是：1、称取Ga2O3多晶粉料放入装有带缝模具的坩埚中；2、将坩埚放入生长炉中并安装籽晶；3、抽真空后充入CO2气体，进行两次升温；4、缓慢降低籽晶，待籽晶底部熔化后，向上提拉籽晶，并且降温，生长β相氧化镓多晶；5、待生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，对炉体进行降温；6、将炉内CO2气体放出至常压，取出β相氧化镓多晶；7、将β相氧化镓多晶料放入单晶生长坩埚中，进行β相氧化镓单晶生长。采用本发明后消除了大量空洞，提高了晶体质量；增加了单晶可利用率，每炉次成本降低了10%~20%；单晶成品率提高了10%~15%。
一种导模法生长氧化镓单晶原料处理方法

[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法-CN202011141093.1有效
发明人：徐世海;于凯;李晖;高飞;程红娟;洪颖;王健;霍晓青;刘卫丹 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。
一种用于锑化铟单晶片抛光方法

[发明专利]一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法-CN202111504627.7在审
发明人：张弛;李晖;霍晓青;高飞;王磊;张胜男;高鹏程;王淳;李响 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
一种氧化晶片解理边缘磨削方法

[实用新型]锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置-CN202021617463.X有效
发明人：于凯;马林;李强;王健;霍晓青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本实用新型利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
锑化铟晶体生长过程中放肩形貌调节装置

[发明专利]一种快速生长InSb单晶的方法-CN202011138796.9在审
发明人：于凯;徐世海;王健;洪颖;霍晓青;刘莎莎;张嵩;李强;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速生长InSb单晶的方法。选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；对底部进行切磨抛处理：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将晶体底部的宽颈部位浸入熔体，当底面接触熔体之后缓慢浸入，设定加热功率，待晶体底面和熔体完全融合时，启动提拉装置，初始拉速8‑10mm/h，加热功率降低0.1‑0.4%，待新生晶体达到目标尺寸时，保持加热功率不变，拉速提升至12‑15mm/h，等待晶锭底面和熔体出现融合状态时完成引晶过程。该方法避免籽晶放肩过程中出现孪晶或多晶，在短时间内获得大尺寸InSb单晶，有利于提高InSb单晶的生长效率和成晶率。
一种快速生长 insb 方法

[发明专利]递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法-CN202010783301.1在审
发明人： 霍晓青;周传新;刘禹岑;周金杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法。将砷、锗、镉或砷锗镉原料对应放入原料合成或者单晶生长的第一层坩埚中，然后把第一层坩埚放入第二层坩埚中，计算第一层和第二层坩埚之间的空间体积，按照公式PV=nRT计算，取适当质量的Cd单质放入第一层和第二层坩埚之间。按照相同方法，将第二层坩埚放入第三层坩埚中，取适量Cd单质放入，逐步降低坩埚之间的压力差，保证实验安全。通过该设计，可以分段缓解砷锗镉原料合成或者晶体生长时，生长坩埚的压力，降低实验过程危险性，提高安全系数。该方法可以保证砷锗镉原料合成和单晶生长时操作的安全性。
递进改进坩埚压力砷锗镉原料合成生长方法

[发明专利]锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法-CN202010783261.0在审
发明人：于凯;王健;马林;李强;霍晓青 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
锑化铟晶体生长过程中放肩形貌调节装置方法

[发明专利]一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法-CN201811148474.5有效
发明人： 霍晓青;徐永宽;程红娟;刘禹岑;高彦昭 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。
一种砷锗镉晶体生长原料合成方法

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