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[实用新型]一种免焊接阴角模板-CN202320149970.2有效
发明人：康雷;石勃;黄云强;戴斌;向阳辉;段更伟 -专利权人：北京中铁建建筑科技有限公司;中铁建设集团有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： E04G13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种免焊接阴角模板，包括：直阴角模板，直阴角模板包括直阴角模板面板，直阴角模板面板的内侧通过第一螺栓组件可拆卸连接若干加强筋，直阴角模板面板的两端均通过第一螺栓组件连接有一个加强筋；转角阴角模板，转角阴角模板包括转角阴角模板面板，转角阴角模板面板包括第一转角阴角模板面板和第二转角阴角模板面板，第一转角阴角模板面板和第二转角阴角模板面板通过直角连接片、L型连接片可拆卸连接。本申请的阴角模板为纯机械连接，使用螺栓紧固，安装便捷，实现免焊接，节省了加工成本，可满足模板自动化产线的生产要求，生产加工效率更高；可拆卸的加强筋、封板、转角连接片等配件实现了可重复利用。
一种焊接模板

[发明专利]CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置-CN201910147029.5有效
发明人： 向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置。所述CMOS图像传感器封装模块包括像素电路基板、在其第一表面上设置的接合层和信号处理芯片以及在其第二表面上设置的再布线层，互连结构与信号处理芯片的芯片互连端和像素电路基板中读出电路的电路互连端均电连接，再布线层与互连结构电连接，从而实现了信号处理芯片与像素电路基板的电气互连，有利于缩小封装模块整体的尺寸，优化封装模块的结构。所述摄像装置包括上述CMOS图像传感器封装模块。
cmos 图像传感器封装模块及其形成方法摄像装置

[发明专利]一种红外热电堆传感器的制造方法-CN202011606853.1有效
发明人：韩凤芹;向阳辉;丁敬秀 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外热电堆传感器的制造方法，包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻，其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括：提供基板；通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层；图形化所述热敏电阻薄膜层，形成所述热敏电阻；在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极，以实现对所述热敏电阻的电性连接。本发明在基板上通过半导体工艺形成热敏电阻，热电堆也形成在同一基板上，可以在形成热敏电阻之后或之前或形成热敏电阻时形成热电堆，可以实现热敏电阻与热电堆的更好集成。
一种红外热电传感器制造方法

[实用新型]一种新型可循环楼梯模板系统-CN202223578064.9有效
发明人：康雷;向阳辉;邹萍;刘益鸣;郭伟锋;菅云凯;乔百平;薛情 -专利权人：北京中铁建建筑科技有限公司;中铁建设集团有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： E04G13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型可循环楼梯模板系统，包括踏步，所述踏步的底面与墙壁的夹角处设置有楼梯C槽单元，所述踏步的顶面与墙壁的夹角处设置有标准狗牙单元，所述踏步的上下墙壁设有楼梯墙板单元，所述踏步的面板处设置有分体式踏步板。本申请具有加工简单、材料损耗率低、安装方便、成型质量好，返厂重复直接周转率达80%以上等特点，其经济性较现有铝模板体系有很大提升。
一种新型循环楼梯模板系统

[发明专利]一种成像模组及其制造方法-CN201911184357.9有效
发明人：黄河;桂珞;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04N23/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种成像模组及其制造方法，其中成像模组包括：被移动元件；至少一支撑块，至少一支撑块围成空间，被移动元件悬挂于空间上方；分布于所述被移动元件周边的至少两压电元件，压电元件包括可动端和固定端，固定端固定于所述支撑块，可动端至少部分位于限位槽内；至少两压电元件分布于被移动元件的周边；连接臂，一端连接被移动元件，另一端连接限位槽；横向移动限位件，包括：位于连接臂两侧的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁、第二侧壁沿平行于被移动元件的径向分布；外部信号连接端，与压电元件中的电极电连接，压电元件在通电状态下，可动端通过连接臂带动被移动元件向上或向下移动。
一种成像模组及其制造方法

[实用新型]一种具有厚铜结构的电源线路板-CN202222747383.1有效
发明人：石林国;向阳辉;黄根华;徐飞;张磊 -专利权人：衢州顺络电路板有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源线路板技术领域，且公开了一种具有厚铜结构的电源线路板，包括线路板本体，所述线路板本体的外侧设置有防护框，所述线路板本体表面的边侧开设有安装孔，所述线路板本体的表面开设有连接孔，所述线路板本体的表面位于连接孔的边侧设置有铜线路，所述防护框下端的内侧固定连接有加固条。该具有厚铜结构的电源线路板，通过耐磨层增加线路板的耐磨和耐腐性能，保证了线路板的使用寿命，提高了实用性，同时通过防护框实现对线路板本体的边侧进行防护限位，并通过加固条进行支撑，增加整体线路板的结构强度，防止线路板在使用时发生弯曲和起翘现象。
一种具有结构电源线路板

[发明专利]CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置-CN201910147015.3有效
发明人： 向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置。CMOS图像传感器封装模块包括像素电路基板和与其接合的芯片联合结构，芯片联合结构中的芯片成型层中嵌有信号处理芯片和DRAM芯片，芯片互连层将信号处理芯片和DRAM芯片电连接。此外该封装模块还包括与像素电路基板中读出电路的电路互连端、信号处理芯片以及DRAM芯片均电连接的互连结构以及再布线层，再布线层与互连结构电连接，该封装模块便于将读出电路输出的数字图像信号先缓存于DRAM芯片，再由DRAM芯片传输至信号处理芯片进行处理，有利于提高提高对传输的数据以及数字图像信号的处理速度。所述摄像装置包括上述CMOS图像传感器封装模块。
cmos 图像传感器封装模块及其形成方法摄像装置

[发明专利]CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置-CN201910147629.1有效
发明人： 向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置。CMOS图像传感器封装模块在像素电路基板上接合有信号处理芯片和DRAM芯片，信号处理芯片和DRAM芯片通过第一互连结构电连接，像素电路基板中的读出电路、信号处理芯片以及DRAM芯片均与第二互连结构电连接，再布线层与第二互连结构电连接，优化了封装模块的结构，便于将读出电路输出的数字图像信号先缓存于DRAM芯片，再由DRAM芯片传输至信号处理芯片进行处理，在所述CMOS图像传感器封装模块用于图像拍摄时，有利于提高对传输的数据以及数字图像信号的处理速度，进而提高图像质量。本发明的摄像装置包括上述CMOS图像传感器封装模块。
cmos 图像传感器封装模块及其形成方法摄像装置

[发明专利]一种空间网格桁架结构及施工方法-CN202211443087.0在审
发明人： 向阳辉;鲁爱国;张相超;梁锐;王嘉彬;秦威;吴清;陶泗杰;刘磊 -专利权人：中建三局科创发展（江苏）有限公司;中建三局集团有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： E04B1/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间网格桁架结构及施工方法，包括空间网格桁架结构，空间网格桁架结构包括多个可焊接拼装相连呈空间网格结构的钢桁架，所述钢桁架包括腹柱机构、上十字架和下十字架。本发明中，单个钢桁架组装简便快捷、结构稳固，多个钢桁架分别沿纵向、横向进行拼装焊接，构成结构均匀、完整的空间网格状的桁架网，桁架网的形状及面积可以根据实际的施工需求进行调整，搭建便捷快速，有助于提高施工效率，搭建完毕的空间网格桁架不仅整体结构受力均匀、用料节省，而且可解决大跨度结构净空不足的问题，满足单个钢桁架对承载能力极限状态以及正常使用极限状态的需求。
一种空间网格桁架结构施工方法

[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法-CN202211253855.6在审
发明人：石虎;刘孟彬;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供顶盖层，所述顶盖层包括第一MEMS器件的区域和第二MEMS器件的区域，分别形成有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中形成气体释放层；将顶盖层与第一基底的第一表面进行第一键合；对第一基底执行第一图案化工艺，以在第一凹槽上方形成第一MEMS器件的第一叉指结构，并在第二凹槽上方形成第二MEMS器件的第二叉指结构；将第一基底的第二表面与第二基底进行第二键合，以形成第一空腔和第二空腔；第二键合还用于使气体释放层受热产生气体，以使第一空腔的真空度低于第二空腔的真空度。本发明实施例的MEMS器件的制造方法，能够同步形成具有不同真空度的第一MEMS器件和第二MEMS器件。
一种 mems 器件及其制造方法

[发明专利]一种新型碳纤维保温板的制备方法-CN202211081268.3在审
发明人：罗宏波;戴胜武;向阳辉 -专利权人：湖南搏盛天弘新材料技术有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B29C43/00 文献下载
摘要：本发明公开了保温板技术领域的一种新型碳纤维保温板的制备方法，该新型碳纤维保温板的制备方法包括如下步骤：S1：将黏胶基碳纤维和PAN基碳纤维混合粉碎得到碳纤维丝；S2：将粉碎后的碳纤维丝、分散剂和水按比例进行均匀搅拌得到纤维浆；S3：将纤维浆浇注在真空抽滤模具中，抽滤，形成胚体；S4：将配比好的酚醛树脂和水按比例倒入真空模具中至完全淹没胚体，浸泡，浸泡一段时间后启动真空抽滤，抽走多余的树脂，本发明简化了传统碳纤维制造工艺，对比传统制造碳纤维隔热保温板工艺，提高了碳纤维隔热保温板的整体性，使其不分层，且得到抗腐蚀性优越，价格低，耐高温更好的碳纤维隔热保温板。
一种新型碳纤维保温制备方法

[实用新型]一种PCB合金镀层低温热处理箱-CN202221597254.2有效
发明人： 向阳辉;孙国庆;方新国;周光明;方代力 -专利权人：衢州顺络电路板有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PCB合金镀层低温热处理箱，包括支撑杆，支撑杆的上表面固定安装有两个长板，两个长板之间转动安装有两个转轴，两个长板其中一个的外表面固定安装有电机，电机与转轴固定连接，两个转轴之间传动安装有传送带，长板的上表面设置有加热箱主体，加热箱主体的上表面固定安装有加热器，长板的下表面固定安装有第一收集盒，第一收集盒的外表面固定安装有固定板，本实用新型一种PCB合金镀层低温热处理箱，通过加热箱主体两端的挡板，可以对加热箱主体进行封闭，减少热流泄漏，提高加热效果，同时通过刮板可以将传送带表面粘附的镀金液体进行刮出，并通过第一收集盒进行收集，便于进行回收利用，提高资源利用率。
一种 pcb 合金镀层低温热处理

[实用新型]一种电镀铜厚均匀的光模块-CN202221324084.0有效
发明人：柯雪丽;兰建明;姜玉晋;向阳辉;冯区平;张磊 -专利权人：衢州顺络电路板有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电镀铜厚均匀的光模块，包括光模块主体、连接线和密封盖，所述密封盖顶端设置有方便光模块主体散热的散热机构，所述连接线与光模块主体之间设置有防止连接线脱离的防脱机构，所述密封盖顶端开设有槽体。本实用新型在使用时将卡块与槽体对齐，然后将通过擦头使得活动杆穿入空腔内部，并且挤压第一弹簧，此时限位环挤压加密封盖顶端，然后转动活动杆，带动卡块转动，使得卡块与槽体错位，如此第一弹簧弹力挤压使得卡块紧贴在空腔内部顶端，如此使得密封盖位置被固定，无需通过螺杆进行安装，大大方便了安装拆卸工作。
一种镀铜均匀模块

[发明专利]绝缘体上半导体结构的制造方法-CN202110217224.8在审
发明人：黄河;丁敬秀;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上半导体结构的制造方法，包括：提供具有第一离子掺杂浓度的第一晶圆；在所述第一晶圆上形成具有第二离子掺杂浓度的半导体层，所述第一离子掺杂浓度大于所述第二离子掺杂浓度；通过原位蒸汽生成工艺在所述半导体层的表面上形成第一氧化键合层；提供第二晶圆，并在所述第二晶圆的表面上形成第二氧化键合层；键合所述第一氧化键合层和所述第二氧化键合层，以将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆上；去除所述第一晶圆。本发明通过ISSG工艺在第一晶圆上形成第一氧化键合层，以缩短ISSG工艺的时间，限制杂质扩散程度，并通过高温减少第一晶圆的内应力，消除自由键以及由自由键引发的极化作用。
绝缘体上半导体结构制造方法

[发明专利]绝缘体上半导体结构的制造方法-CN202110222572.4在审
发明人：黄河;丁敬秀;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上半导体结构的制造方法，其中，绝缘体上半导体结构的制造方法包括：提供第一晶圆；沿第一晶圆的第一表面对第一晶圆进行P型离子注入，以在第一晶圆的预设深度形成第一离子掺杂层；通过原位蒸汽生成工艺在第一表面上形成第一氧化键合层；提供第二晶圆，并在第二晶圆的表面上形成第二氧化键合层；键合第一氧化键合层和第二氧化键合层，使第一晶圆键合至第二晶圆上；沿与第一表面相对的第二表面刻蚀第一晶圆，直至去除第一离子掺杂层。本发明通过ISSG工艺在第一晶圆上形成第一氧化键合层，以缩短ISSG工艺的时间，限制杂质扩散程度，并通过高温减少第一晶圆的内应力，消除自由键以及由自由键引发的极化作用。
绝缘体上半导体结构制造方法

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