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[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200780018122.1有效
发明人：内田正雄;桥本浩一;林将志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(15s)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域
半导体元件及其制造方法

[发明专利]超级结半导体装置及其制造方法-CN201410244550.8有效
发明人：全珖延;崔彰容;禹赫;赵文秀;权纯琢 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种超级结半导体装置和一种制造该超级结半导体装置的方法。超级结半导体装置包括：n型半导体区域，设置在基底中；两个或更多个p型半导体区域，沿与基底的表面平行的方向交替地设置成邻近于n型半导体区域；p型主体区，设置在p型半导体区中的至少一个上；以及源区，设置在p型主体区中，n型离子注入区沿着n型半导体区域的下端和p型半导体区域的下端形成。
超级半导体装置及其制造方法

[发明专利]传感器和光刻设备-CN201380060745.0有效
发明人： S·尼蒂亚诺维;H·科克;M·威伦斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种背照式传感器，包括支撑衬底、半导体层和p型掺杂保护材料层，半导体层包括光电二极管，光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域，其中耗尽区域被形成在n型掺杂半导体区域和p型掺杂半导体区域之间，p型掺杂保护材料层设置在半导体层的第二表面上，其中半导体层的第一表面被固定到支撑衬底的表面。
传感器光刻设备

[发明专利]半导体装置-CN202110965705.7在审
发明人：西口俊史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、栅极电极及第二电极。第三半导体区域设置于第二半导体区域的一部分的上方。第四半导体区域设置于第二半导体区域的另一部分的上方，位于比第三半导体区域靠下方的位置，具有比第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度。第二电极包含：第一部分及第二部分，在第二方向上相互分离，且第四半导体区域位于第一部分与第二部分之间；以及第三部分，设置于第一部分的上方及第二部分的上方，且在第二方向上与第三半导体区域并排。第四半导体区域与第一部分、第二部分及第三部分接触。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110676029.1在审
发明人：沓挂静香 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够增大电容器电容的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备包括多个存储器单元的存储器单元阵列、以及控制存储器单元的动作且包含第一电容器的控制电路，第一电容器包括：半导体基板，具有第一面和与第一面对置的第二面，且包括p型的第一半导体区域、设于第一面与第一半导体区域之间的n型的第二半导体区域以及设于第一面与第二半导体区域之间并与第一半导体区域电连接的p型的第三半导体区域；第一电极，与第二半导体区域电连接；以及第一绝缘膜，设于第三半导体区域与第一电极之间
半导体存储装置

[发明专利]图像拾取装置和图像拾取系统-CN201310345012.3有效
发明人：岩田旬史;乾文洋;渡边高典;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。
图像拾取装置系统

[发明专利]半导体装置-CN201710131034.8有效
发明人：田中成明;冈彻 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备：由含有镓的氮化物半导体形成的n型半导体区域、与上述n型半导体区域相接且由上述氮化物半导体形成的p型半导体区域、与上述n型半导体区域欧姆接触的第1电极、与上述p型半导体区域欧姆接触的第2电极，其中，上述第1电极和上述第2电极主要由相同的金属形成，上述相同的金属是选自钯、镍、铂中的至少一个金属，上述n型半导体区域的p型杂质浓度和上述p型半导体区域的p型杂质浓度实质上相同，上述n型半导体区域中
半导体装置

[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法-CN202080051293.X在审
发明人：小西克典;中野邦裕 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能电池(1)为背面接合型的太阳能电池，其具备在半导体基板(11)的背面侧的第1区域(7)中形成的第1导电型半导体层(25)、以及在半导体基板(11)的背面侧的第2区域(8)和第1区域(7)中形成的第2导电型半导体层(35)；在第1区域(7)中，在半导体基板(11)的背面侧，介由本征半导体层(23)而依次层叠第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)，在第2区域(8)中，在半导体基板(11)的背面侧，介由本征半导体层(23)而层叠第2导电型半导体层(35)，在第1区域(7)与第2区域(8)之间的边界区域(R中，在半导体基板(11)的背面侧介由本征半导体层(23)而依次层叠绝缘层(40)、第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)，绝缘层(40)介于第1区域(7)的第1导电型半导体层(25)与第2区域(8)的第2导电型半导体层(35)之间。
太阳能电池制造方法

[发明专利]制作半导体传感器装置的方法及获得的半导体传感器装置-CN200780045485.4无效
发明人： N·N·卡亚 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作半导体传感器装置(10)的方法，该半导体传感器装置用于感测物质(30)且包括条带状半导体区域(1)，该条带状半导体区域形成在半导体主体(12)的表面上且在第一端连接到第一导电连接区域(3)并且在第二端连接到第二导电连接区域(4)，同时包括待感测物质(30)的流体(20)可以沿着该条带状半导体区域(1)的侧面流动且待感测物质(30)可以影响条带状半导体区域(1)的电学属性，并且其中该条带状半导体区域(1)形成于位于绝缘层(5)顶部上的半导体层(13)内，该绝缘层(5)依次形成于半导体衬底(14)的顶部上。根据本发明，在该半导体层(13)内形成该条带状半导体区域(1)之后，该衬底(2)在与该半导体衬底(14)相对侧附着到包括该条带状半导体区域(1)的半导体主体(11)的部分，接着该半导体衬底(14)至少部分且优选地完全除去且随后开口(6)在该条带状半导体区域(1)的位置形成于该绝缘层(5)内。
制作半导体传感器装置方法获得

[发明专利]半导体装置-CN200880021800.4有效
发明人：花冈正行 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种缓和接合终端区域中的电场，可以高耐压化的半导体装置。具有元件区域(51)和接合终端区域(52)；元件区域具有第1导电型的第1半导体区域(2)、第2导电型的第2半导体区域(4)、第1导电型的第3半导体区域(10)、贯通第2半导体区域和第3半导体区域且底面到达第1半导体区域(2)的沟槽(35)、形成在沟槽侧面和底面的栅极绝缘膜(12)和埋入沟槽的栅极(8)；接合终端区域具有包围元件区域的从顶面向深度方向形成的终端沟槽(55)、形成在终端沟槽侧壁和底面的栅极绝缘膜(12)和埋入终端沟槽(55)的栅极(8)；从第2半导体区域(4)的顶面到终端沟槽(55)底面的深度为第2半导体区域的厚度的0.9～2.0倍。
半导体装置

[发明专利]线性图像传感器-CN201080007754.X有效
发明人：太田庆一;泷本贞治;渡边宽 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(
线性图像传感器

[发明专利]一种适用于大功率半导体器件的结终端及其制备方法-CN201710488910.2在审
发明人：陆宇 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种适用于功率器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域、第三终端区域。第二电极连接有源区域、第一终端区域和第二终端区域沟槽内半导体材料，以及有源区域的台面。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。
终端区域结终端半导体基底半导体区域源区域第二电极第一电极制备大功率半导体器件半导体材料第一导电类型耐高压特性功率器件上端面下端面台面

[发明专利]自对准栅极切口结构-CN202210849335.5在审
发明人： A·C-H·韦;A·S·默西;Y-C·程;R·佩尔斯;G·布歇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本文提供的技术用以形成具有自对准栅极切口结构的半导体装置。在示例中，相邻半导体装置均包括在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体区域以及在相邻半导体装置的半导体区域之上延伸的栅极层。包括电介质材料的栅极切口结构在相邻半导体装置之间中断该栅极层。由于形成栅极切口结构的工艺的原因，栅极切口结构与相邻半导体装置中的一个的半导体区域之间的距离基本等同于栅极切口结构与相邻半导体装置中的另一个的半导体区域之间的距离(例如，相对于其处于1.5nm以内)。
对准栅极切口结构

[其他]ESD保护器件以及信号传输线路-CN201890000174.X有效
发明人：植木纪行 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：ESD保护器件(10)具备：具有第一主面(201)的半导体基板(20)；形成于第一主面(201)的端子电极(41、42)并连接与地线连接的端子电极(43)和端子电极(41、42)，并且构成主线路的一部分的布线电极在俯视时，半导体基板呈立方体形状。在半导体基板(20)形成有与布线电极(51)连接的第一半导体区域、与第三端子电极连接的第二半导体区域、以及第三半导体区域。第一半导体区域和第二半导体区域沿着半导体基板(20)的短边排列，并且经由沿着短边形成的第三半导体区域电连接。
半导体区域半导体基板端子电极布线电极主面信号传输线路立方体形状地线连接短边排列电连接主线路短边俯视

[发明专利]半导体装置-CN201410449002.9在审
发明人：小仓常雄;三须伸一郎;末代知子;安原纪夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种恢复时间短并且恢复时的安全动作区域更广的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极接触；第二导电型的第二半导体区域，其设置在所述第一半导体区域与所述第二电极之间；绝缘区域，其从所述第二电极向所述第一半导体区域侧延伸；以及第一导电型的第三半导体区域，其设置在所述第二半导体区域与所述绝缘区域之间的至少一部分，并且与第一半导体区域接触。
半导体装置