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[发明专利]半导体装置-CN202010106129.6在审
发明人：雁木比吕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层；栅电极，位于第1沟槽中；场板电极；金属区域，位于第2沟槽中，与第2半导体区域电连接；栅极绝缘层，位于栅电极与半导体层之间；场板绝缘层，位于场板电极与半导体层之间；第1电极，与第3半导体区域及金属区域电连接；以及第2电极，该半导体层具有：第1沟槽；第2沟槽，与第1沟槽交叉；第1导电类型的第1半导体区域；第2导电类型的第2半导体区域；以及第1导电类型的第3半导体区域。
半导体装置

[发明专利]半导体结构体及其生产方法-CN201180061098.6在审
发明人： T·穆斯通宁;R·普雷托特;T·海斯宁 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构体及其生产方法，所述半导体结构体包括至少一个导体区域9和至少两个半导体区域(30,40)，所述半导体区域被所述至少一个导体区域部分隔开。所述至少一个导体区域包括在被各导体区域部分隔开的半导体区域之间延伸的开孔。所述半导体区域包含至少一种具有特殊HOMO能级的有机半导体材料，尤其是DPP聚合物。所述导体区域包含具有特殊功函数的导电材料，特殊能级和功函数的所述组合使得可简单制备所述导体区域。本发明进一步涉及一种提供该半导体结构体的方法。
半导体结构及其生产方法

[发明专利]半导体器件-CN201410442858.3有效
发明人：西村润;安武信昭;冈村隆之 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。根据一个实施例，第一晶体管包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一栅极绝缘膜和第一栅极电极。所述第一半导体区域设于第一半导体层中，所述第一半导体层从所述第一线在与所述半导体衬底的表面基本垂直的第二方向上延伸。所述第二半导体区域在所述第一半导体层中设于所述第一半导体区域上方。所述第三半导体区域在所述第一半导体层中设于所述第二半导体区域上方。所述第一栅极绝缘膜覆盖所述第一半导体层的第一侧面。所述第一栅极电极隔着所述第一栅极绝缘膜覆盖所述第一半导体层的所述第一侧面。所述第一晶体管在所述第二方向上具有相对于所述第二半导体区域的中心面的不对称结构。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410448492.0在审
发明人：末代知子;小仓常雄;中村和敏;下条亮平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第一电极；第二电极，其包含向第一电极侧延伸的部分；第一导电型的第一半导体层，其设置在第一电极与第二电极之间；第二导电型的第一半导体区域，其设置在第一半导体层与第二电极之间；第一导电型的第二半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二电极之间，与所述部分接触；第三电极，其位于第一电极与所述部分之间，隔着第一绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域，且连接在所述部分；第四电极，其隔着第二绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域；以及第二导电型的第三半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]固态图像传感器和照相机-CN201380005498.4有效
发明人：沖田彰;小林昌弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括布置于基板中的第一导电类型的第一半导体区域、布置于第一半导体区域中以形成电荷积累区域的第二导电类型的第二半导体区域。第二半导体区域包括在沿基板表面的方向上布置的多个部分。通过耗尽区域从第一半导体区域向第二半导体区域的扩展，第二半导体区域被完全耗尽。第二半导体区域的要被最终耗尽的最终耗尽部分通过耗尽区域从第一半导体区域的位于最终耗尽部分的横向上的部分的扩展被耗尽。
固态图像传感器照相机

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210176840.8在审
发明人：北野三千矢 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体基板。在半导体装置的制造中，优选半导体基板的厚度均匀。所述制造方法包括：研磨步骤，研磨半导体基板的第一面，在半导体基板的外周形成外周剩余区域；以及旋转蚀刻步骤，用药液对半导体基板的第一面进行蚀刻，在半导体基板的比外周剩余区域靠内侧的区域中半导体基板的区域的端部处的厚度大于半导体基板的区域的中央部处的厚度
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010951166.7在审
发明人：大桥辉之;河野洋志;古川大 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201880045648.7在审
发明人：杉本雅裕;高桥勲;神原仁志;四戸孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210768821.4在审
发明人：下村纱矢;加藤浩朗;河井康宏;吉田裕史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电体、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分之上。导电体经由绝缘部设于第一半导体区域中。导电体的下表面包含第一面和第二面，第一面平行于与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向正交的第二方向，第二面与第一面相连，且相对于第一方向以及第二方向倾斜。栅极电极设于绝缘部中，且在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610281637.1在审
发明人：朴相姬;黄治善;柳民基;皮在恩;高宗范;廉惠仁 -专利权人：韩国电子通信研究院;韩国科学技术院
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开的实施例提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包括设置在基板上并配置为提供沟道区域的第二半导体图案，和设置在基板和第二半导体图案之间的第一半导体图案，其中第一半导体图案包括沟道区域和源/漏区域，沟道区域是第一半导体图案与第二半导体图案接触的部分，源/漏区域是第一半导体图案通过第二半导体图案所暴露的部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256626.3在审
发明人：森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256628.2在审
发明人：森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN201710949673.5有效
发明人：森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]半导体器件-CN201210515002.5无效
发明人：田代浩子;石塚刚 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括半导体电路和电容器，该电容器包括：第一导电型第一半导体区域、设置在第一导电型第一半导体区域上并且具有比第一导电型第一半导体区域高的第一导电型杂质浓度的第一导电型第二半导体区域、设置在第一导电型第二半导体区域上的第二导电型半导体区域、设置在第二导电型半导体区域上的介质膜、设置在介质膜上的上电极、设置在第二导电型半导体区域上方并且电连接至第二导电型半导体区域的第一互连、以及电连接至上电极的第二互连。
半导体器件

[发明专利]用于CMOS传感器的栅控电荷调制器件-CN201480046278.0有效
发明人：李齐珩;罗栗;金映植;郑宇植 -专利权人：斯坦舍有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于感测光的器件，包括掺杂有第一类型掺杂剂的第一半导体区域以及掺杂有第二类型掺杂剂的第二半导体区域。所述第二半导体区域位于所述第一半导体区域的上方。所述第二半导体区域具有朝向所述栅极绝缘层的顶表面以及与所述第二半导体区域的顶表面相对的底表面。所述第二半导体区域具有包括所述第二半导体区域的顶表面的上部，以及所述第二半导体区域具有下部，所述下部包括所述第二半导体区域的底表面并且与所述上部互相排斥。所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的上部和下部都接触。
用于 cmos 传感器电荷调制器件

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