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[发明专利]半导体元件-CN201810335339.5有效
发明人： 内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能耐受高耐压且大电流的使用的半导体元件。半导体元件(100)具备半导体基板、配置在半导体基板上的碳化硅半导体层、和配置在碳化硅半导体层内的终端区域。终端区域具有：配置为包围碳化硅半导体层的表面的一部分的保护环区域、和配置为与保护环区域分离并包围保护环区域的周围的包括多个环的FLR区域。终端区域包括扇部，在扇部，多个环之中的至少一个环的内周以及外周和保护环区域的内周以及外周具有相同的第1曲率中心，第1曲率中心位于比保护环区域的内周更靠内侧的位置，保护环区域的内周的曲率半径为50μm以下。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN202010089629.3在审
发明人： 内田正雄;斋藤浩一;长谷川贵史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种高耐压且高可靠性的半导体元件。半导体元件具备；半导体基板，具有主面；碳化硅半导体层，配置在导体基板的主面上；末端区域，配置在碳化硅半导体层内；绝缘膜，覆盖末端区域的一部分；电极，配置在碳化硅半导体层上；密封环，配置在末端区域的其他部分上且包围电极；以及钝化膜，覆盖绝缘膜的至少一部分以及密封环的至少一部分。将碳化硅半导体层的边部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L2，将角部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L1，将角部的钝化膜的外周端部的曲率半径设为R1，则满足L1＞L2且R1≥L2。
半导体元件

[发明专利]半导体装置-CN201911132211.X在审
发明人：大冈笃志;庭山雅彦;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备能够以高精度对温度进行检测的温度感测功能。半导体装置具备位于半导体基板上的第一半导体层以及温度传感器部。温度传感器部具有：配置在第一半导体层内的第二导电型的感测体区域；相互隔开间隔地配置在感测体区域内的第一导电型的第一区域及第一导电型的第二区域；以及在感测体区域内位于第一区域与第二区域之间的第二导电型的第三区域。温度传感器部还具有：配置在第一半导体层上且与第一区域的一部分、第三区域及第二区域的一部分相接的第一导电型的温度感测通电层；与第一区域及感测体区域电连接的第一电极；以及与第二区域电连接的第二电极。温度感测通电层以比漂移区域高的浓度包括第一导电型杂质。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201910089015.2在审
发明人：大冈笃志;堀川信之;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种抑制栅极绝缘膜的绝缘破坏、安全性高的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括设置在碳化硅半导体基板的多个单位单元，各单位单元具有MISFET构造。与多个单位单元相邻配置的栅极上部电极具备栅极焊盘和栅极全局布线，在俯视观察时，栅极电极不与栅极焊盘重叠。
碳化硅半导体装置多个单位栅极焊盘碳化硅半导体基板栅极绝缘膜单位单元俯视观察绝缘破坏上部电极相邻配置栅极电极布线全局

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201910102594.X在审
发明人：大冈笃志;堀川信之;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种减少碳化硅半导体装置的栅极电阻的面内分布的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备包括栅极焊盘部和栅极布线的上部栅极电极、包括第一以及第二源极焊盘部的上部源极电极。栅极布线包括包围多个源极焊盘部地延伸的栅极全局布线部、和栅极连接布线部。上部源极电极包括包围栅极全局布线部地延伸的外周源极布线部、和分别连接外周源极布线部与第一以及第二源极焊盘的第一以及第二源极连接部。栅极全局布线部包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分分别在第一以及第二基板角部断开，并且位于第一以及第二基板角部之间，与栅极连接布线部相接。第二部分在第一基板角部与第一部分断开。第三部分在第二基板角部与第一部分断开。
布线部碳化硅半导体装置角部第二基板断开源极焊盘部源极布线栅极布线栅极连接电极上部源外周全局包围第一基板源极焊盘源极连接栅极电极栅极电阻栅极焊盘延伸

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910102818.7在审
发明人： 内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供高耐压且耐湿性能高的半导体元件。半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；配置在半导体基板主面上的第1导电型的碳化硅半导体层；配置在碳化硅半导体层内的第2导电型的终端区域；绝缘膜；配置在碳化硅半导体层上的第1电极；和包围第1电极的密封圈。终端区域配置成从半导体基板的主面的法线方向观察包围碳化硅半导体层的表面的一部分。终端区域包括第2导电型的保护环区域和第2导电型的终端注入区域。密封圈经由配置在绝缘膜(111)的开口形成在终端注入区域(154)之上。
导电型碳化硅半导体层半导体基板半导体元件终端区域配置密封圈注入区域电极绝缘膜终端包围法线方向耐湿性能高耐压开口观察制造

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201580026596.5有效
发明人：堀川信之;楠本修;林将志;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置包括晶体管区域、二极管区域、栅极布线区域、以及栅极焊盘区域。栅极焊盘区域和栅极布线区域分别配置为被与晶体管区域相邻的二极管区域和与终端区域相邻的二极管区域夹着，栅极焊盘区域和栅极布线区域的栅极电极形成在绝缘膜上，绝缘膜形成在外延层上。由此，能够在不使栅极绝缘膜的品质下降的情况下抑制切换以及雪崩击穿时栅极区域中的绝缘膜的绝缘击穿。
碳化硅半导体装置

[发明专利]半导体装置及使用其的逆变器、逆变器的控制方法-CN201480002917.3有效
发明人：楠本修;中田秀树;赤松庆治;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及使用其的逆变器。半导体装置具备栅极焊盘、相互绝缘的第1源极焊盘以及第2源极焊盘、漏极焊盘、主区域、和用于对正向电流以及反向电流进行检测的感测区域。主区域以及感测区域分别包含并联连接的多个单位单元，感测区域中所含的单位单元的数量小于主区域中所含的单位单元的数量。分别地，主区域内的单位单元的源极电极与第1源极焊盘连接，感测区域内的单位单元的源极电极与第2源极焊盘连接。
半导体装置使用逆变器

[发明专利]半导体元件-CN201280050068.X有效
发明人： 内田正雄;堀川信之;田中康太郎;清泽努 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体元件(100)中，第2导电型的体区域(103)包括与第1碳化硅半导体层(102)的表面相连的第1体区域(103a)、和与第2导电型的体区域(103)的底面相连的第2体区域(103b)。第1体区域的杂质浓度是第2体区域的杂质浓度的2倍以上。作为沟道层的第1导电型的第2碳化硅半导体层(106)在与半导体基板(101)垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与栅极绝缘膜(107)相连的一侧的杂质浓度小于与第1体区域(103a)相连的一侧的杂质浓度。
半导体元件

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201380010965.2有效
发明人：田中康太郎;内田正雄;庭山雅彦;楠本修 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置、及其制造方法-CN201280009601.8有效
发明人：庭山雅彦;内田正雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请所公开的半导体元件的制造方法包含：工序(A)，在半导体基板上形成第1导电型的第1碳化硅半导体层；工序(B)，在第1碳化硅半导体层上形成对体区域进行规定的第1掩模；工序(C)，使用第1掩模，在第1碳化硅半导体层中形成第2导电型的体注入区域；工序(D)，在第1掩模的侧面形成侧壁；工序(E)，使用第1掩模及侧壁，在第1碳化硅半导体层中形成第1导电型的杂质注入区域及第2导电型的第1体注入区域；和工序(F)，对第1碳化硅半导体层进行热处理。
半导体元件装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置及电力变换器-CN201310093194.X有效
发明人：安达和广;楠本修;内田正雄;桥本浩一;风间俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。
半导体元件装置电力变换器

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201180051610.9有效
发明人： 内田正雄;田中康太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体元件及其制造方法-CN201280002382.0有效
发明人：高桥邦方;庭山雅彦;内田正雄;工藤千秋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。
碳化硅半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体芯片、半导体晶片以及半导体芯片的制造方法-CN201180011729.3有效
发明人： 内田正雄;林将志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的半导体芯片(18)是形成有功率半导体装置(10)，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板的半导体芯片(18)，半导体基板在主面上具有矩形形状，对矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，半导体基板的与2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。
半导体芯片晶片以及制造方法

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