专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]固态成像器件、成像系统和可移动物体-CN201711414300.4有效
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2017-12-25 - 2023-04-07 - H01L27/146
  • 本发明涉及固态成像器件、成像系统和可移动物体。一种固态成像器件包括:多个像素,所述多个像素中的每一个包含光电转换器。光电转换器包含第一导电类型的第一半导体区域、被设置在第一半导体区域下面的第二导电类型的第二半导体区域和被设置在第二半导体区域下面的第一导电类型的第三半导体区域。第二半导体区域具有第一端部和与第一端部相反的第二端部。第三半导体区域具有在平面图中与第二半导体区域重叠的第一区域和第二区域,并且,第一区域和第二区域从第一端部的一部分到第二端部的一部分相互分开。
  • 固态成像器件系统移动物体
  • [发明专利]光检测装置及光检测系统-CN201710949673.5有效
  • 森本和浩;篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2017-10-13 - 2022-07-15 - H01L27/146
  • 本发明公开一种光检测装置及光检测系统,在该装置中,在平面图中,第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠,第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠,第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度,并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
  • 检测装置系统
  • [发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256626.3在审
  • 森本和浩;篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2017-10-13 - 2022-06-21 - H01L31/0352
  • 本发明公开一种光检测装置及光检测系统,在该装置中,在平面图中,第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠,第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠,第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度,并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
  • 检测装置系统
  • [发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256628.2在审
  • 森本和浩;篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2017-10-13 - 2022-06-21 - H01L31/0352
  • 本发明公开一种光检测装置及光检测系统,在该装置中,在平面图中,第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠,第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠,第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度,并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
  • 检测装置系统
  • [发明专利]固态成像设备和成像系统-CN201811153284.2有效
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2018-09-30 - 2021-10-26 - H04N5/369
  • 本发明涉及固态成像设备和成像系统。作为实施例的固态成像设备包括:多个像素,每个像素包括至少一个光电转换单元和放大晶体管,放大晶体管具有第一输入节点、第一主节点和第二主节点,第一输入节点电连接到光电转换单元;晶体管,具有第二输入节点、第三主节点和第四主节点,并且具有与放大晶体管相同的极性;至少一条信号线,所述多个像素中的每个像素的第一主节点电连接到信号线;以及电流源,其电连接到信号线,并且电源电压被施加于第三主节点,第四主节点和第二主节点彼此电连接,第一主节点和第二输入节点彼此电连接。
  • 固态成像设备系统
  • [发明专利]光检测装置-CN201910887836.0在审
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2019-09-19 - 2020-03-27 - H01L27/146
  • 本发明提供光检测装置。根据实施例的光检测装置包括:第一半导体区域,其具有第一导电类型;第二半导体区域,其具有第二导电类型;第三半导体区域,其具有第一导电类型;以及电路单元,其被构造为对雪崩电流的生成次数进行计数,其中,用于引起信号电荷的雪崩倍增的反向偏压被施加到第二半导体区域和第三半导体区域,并且当形成势垒时在第一半导体区域中累积信号电荷,其中,控制单元控制势垒的高度。
  • 检测装置
  • [发明专利]固态摄像装置-CN201510340641.6有效
  • 坪井宏政;篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2015-06-18 - 2018-04-06 - H01L27/146
  • 本发明公开一种固态摄像装置。固态摄像装置包括多个像素,所述多个像素中的每个像素包括根据入射光而生成电荷的光电转换部以及输出与由所述光电转换部生成的所述电荷对应的图像信号的结型场效应晶体管。所述固态摄像装置包括使用绝缘体的第一元件分离区域和使用pn结的第二元件分离区域,所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域被配置在配置有所述多个像素的区域中。
  • 固态摄像装置
  • [发明专利]固态图像捕获装置、其制造方法和照相机-CN201510103713.5有效
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2015-03-10 - 2017-12-01 - H01L27/146
  • 本发明涉及固态图像捕获装置、其制造方法和照相机。固态图像捕获装置包括包含第一导电类型的第一区域的半导体基板;第二导电类型的电荷积累区域;各自输出基于在电荷积累区域中积累的电荷的信号的晶体管;在比电荷积累区域深且比第一区域浅的位置中形成以与第一区域电导通的第一导电类型的第二区域,该第二区域的杂质浓度比第一区域的杂质浓度高;以及在第二区域与第一区域之间形成的第二导电类型的第三区域,其中,第二区域在平面图中跨包含两个或更多个晶体管的区域形成,并且向所述两个或更多个晶体管中的每一个供给电流。
  • 固态图像捕获装置制造方法照相机
  • [发明专利]成像器件和成像系统-CN201510551438.3在审
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2015-09-01 - 2016-03-16 - H04N5/225
  • 公开了一种成像器件和成像系统。一种成像器件包括像素区域,包括:第一像素区域,其在每一行中被每隔一个像素布置,以使得第一像素区域在相邻行中相互交替,并且被配置为将第一颜色的光转换为第一信号电荷并且将其累积;第二像素区域,其被按照方形格子形式布置并且被布置在与第一像素区域不同的位置处,并且被配置为将与第一颜色不同的颜色的光转换为第二信号电荷并且将其累积;以及多个第三像素区域,其被按照方形格子形式布置并且被布置在与第一像素区域和第二像素区域不同的位置处,并且具有被配置为使信号电荷相加并且输出基于相加后的信号电荷的量的信号的读出电路单元。
  • 成像器件系统
  • [发明专利]成像装置、成像系统和成像装置的制造方法-CN201410823142.8在审
  • 篠原真人;熊野秀臣 - 佳能株式会社
  • 2014-12-25 - 2015-07-01 - H01L27/146
  • 本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。
  • 成像装置系统制造方法
  • [发明专利]成像装置、成像系统和成像装置的制造方法-CN201410820003.X在审
  • 篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2014-12-25 - 2015-07-01 - H01L27/146
  • 本发明涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。一个实施例提供了成像装置,其包括光电转换单元以及被配置为基于由光电转换单元生成的载流子来输出信号的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括形成沟道的第一导电类型的半导体区域和第二导电类型的栅极区域。第一导电类型的半导体区域包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域朝着沟道中的载流子漂移的方向按此顺序设置。第二区域的杂质密度低于第一区域的杂质密度。
  • 成像装置系统制造方法
  • [发明专利]固态成像设备,其制造方法,以及照相机-CN201310496051.3有效
  • 篠原真人;板桥政次;熊野秀臣 - 佳能株式会社
  • 2013-10-22 - 2014-05-14 - H01L27/146
  • 公开了固态成像设备、其制造方法,以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板;包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统;以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分,其中,所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素,并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分,并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分,对于所述第一波长的光,所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。
  • 固态成像设备制造方法以及照相机
  • [发明专利]图像拾取装置和图像拾取系统-CN201310345012.3有效
  • 岩田旬史;乾文洋;渡边高典;篠原真人 - 佳能株式会社
  • 2013-08-09 - 2014-02-12 - H01L27/146
  • 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置,包括:其中排列像素的像素部分,像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域,和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域,第二半导体区域邻接到第一半导体区域,第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。
  • 图像拾取装置系统

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