|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2840008个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]面源污染关键源区识别方法-CN202211027464.2在审
-
张瑜;徐茹洁;王雨洁
-
华中农业大学
-
2022-08-25
-
2022-12-02
-
G06V20/10
- 本申请提供一种面源污染关键源区识别方法，包括：S1、对遥感影像的波段进行融合，生成研究流域的多光谱影像，并对所述多光谱影像进行预处理和分类，获得研究流域的土地利用空间分布图，所述土地利用空间分布图中包括土地利用空间分布数据并计算研究流域的土壤侵蚀模数，并根据土壤侵蚀模数划分土壤侵蚀等级；S3、计算获得景观空间负荷比指数；S4、对所述土地利用空间分布图、所述景观空间负荷比指数、所述土壤侵蚀等级进行标准化处理以及空间叠加分析，识别面源污染关键源区本申请能够实现提高识别污染关键源区的精度，从而为农业面源污染治理和环境保护提供技术支撑。
- 污染关键识别方法
- [发明专利]隧穿场效应晶体管-CN201310403969.9有效
-
楼海君;林信南;李丹;何进
-
北京大学深圳研究生院
-
2013-09-06
-
2013-12-25
-
H01L29/739
- 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
- 场效应晶体管
- [发明专利]存储器结构及其形成方法-CN201910572789.0有效
-
余兴
-
芯盟科技有限公司
-
2019-06-28
-
2021-06-04
-
H01L27/108
- 一种存储器结构及其形成方法，存储器结构包括：基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；位于所述基底内的沟槽以及位于所述沟槽内的栅极结构，所述第一面暴露出所述栅极结构顶部表面；位于所述基底内的源掺杂区，所述源掺杂区与所述栅极结构的部分侧壁相接触，且所述第一面暴露出所述源掺杂区；位于所述栅极结构底部的漏掺杂区；位于所述基底内的电容结构，所述第二面暴露出所述电容结构，所述电容结构与所述漏掺杂区电连接，且所述电容结构与所述漏掺杂区底部相接触；与源掺杂区电连接的位线
- 存储器结构及其形成方法
- [发明专利]一种PMOS晶体管的制造方法-CN201310050747.3有效
-
赵猛
-
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
-
2013-02-08
-
2014-08-13
-
H01L21/336
- 本发明提供了一种PMOS晶体管的制造方法，先在预掺杂制备形成源、漏区的应力填充层中刻蚀形成第二沟槽，其中，在栅区域下的第二沟槽侧壁，邻近形成应力填充层之前的被保留的部分轻掺杂源漏延伸区，而后填充该第二沟槽以形成掺杂浓度高于应力填充层的调节层，从而在避免源漏区产生穿通电流的同时，提高源、漏区表面的Ge和B掺杂浓度；一方面，补充该被保留的部分轻掺杂源漏延伸区中流失的B掺杂杂质，增加该轻掺杂源漏延伸区B掺杂浓度，进而降低沟道区与源、漏区的电阻，降低沟道区的电场，提高工作电流；另一方面，增加源、漏区对沟道区施加的应力，提高器件沟道区的载流子迁移率，增加PMOS晶体管的工作电流。
- 一种pmos晶体管制造方法
|
