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[发明专利]一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺-CN202311076280.X在审
发明人： 孙明光;李振道;朱伟东 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺，集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件一方面实现了横向TVS双向晶体管与分离栅沟槽MOS器件的单片集成，另一方面还通过外延工艺集成了一颗漏源垂直型ESD保护二极管。这样一来，该器件在使用时完全不需要设计师考虑较为困难的漏源ESD保护问题；由于横向TVS双向晶体管为双向大电流TVS结构且寄生电容可控制在10pF量级，因此该分离栅沟槽MOS器件的栅极抗ESD或浪涌能力极强，同时其开关频率与损耗也不会受到很大影响。本申请提出的分离栅沟槽MOS器件，十分适用于各类高可靠的高速开关应用，也能够有效防止驱动时的EMI问题。
一种集成 esd 保护器件分离沟槽 mos 工艺

[发明专利]具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺-CN202311083616.5在审
发明人： 孙明光;李振道;朱伟东 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺；本申请提出的具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件通过在分离栅沟槽MOS器件中实现triple resurf结构，在相同耐压下大大降低了器件的比导通电阻，降低了器件的导通损耗。由于分离栅结构本身就对漂移区具有辅助耗尽能力，因此该器件相当于在分离栅沟槽基础上由triple resurf又进行了一次辅助耗尽，在相同耐压下，比传统分离栅沟槽MOS器件具有更低的导通电阻；该器件实现的工艺为多次外延，通过多次外延与多次埋层注入工艺能够实现较为精确的Ptop层，且随着外延次数的增加，Ptop层形貌将越理想，器件的性能将更加优异。
具有三重 resurf 结构分离沟槽 mos 器件工艺

[发明专利]具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法-CN202310816523.2有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法、MOSFET器件的外延层的沟槽中形成有闸源端夹止结构，其中，闸源端夹止结构包括：底部氧化层、源极多晶硅、非掺杂闸极多晶硅、闸极氧化层、N型闸极多晶硅和两组P型闸极多晶硅组，两组P型闸极多晶硅组分布在沟槽两侧的N型闸极多晶硅内，且每组P型闸极多晶硅组包括至少两个P型闸极多晶硅。本发明将闸极氧化层做在外延层表面上，使得MOSFET器件中不存在多晶硅间隔离氧化层，从而避免在结构中产生尖端多晶硅，进而消除了闸极与源极之间的弱点，并对表面上的闸极多晶硅进行设计使其具有静电释放功能，从而避免组件因产生静电而造成损坏。
具有闸源端夹止结构沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]一种墙纸印刷机用烘干装置-CN202320650820.X有效
发明人： 孙明光;孙明辉;郭露杰;王慧 -专利权人：山东雪艺塑业有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B41F23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及烘干装置技术领域，公开了一种墙纸印刷机用烘干装置，包括外壳，所述外壳两侧内壁上部均固定连接有电热丝，所述外壳两侧内壁之间转动连接有多个转辊，所述外壳左侧固定连接有收卷辊，所述外壳上部固定连接有箱体，所述箱体一侧固定连接有进气管，所述箱体另一侧固定连接有出气管，所述箱体中部上侧设置有安装块，所述安装块下部固定连接有活性炭滤芯，所述箱体内部一侧固定连接有风机。本实用新型中，烘干装置能够将烘干产生的烟气过滤处理，保持装置的烟气处理效果稳定，避免烟气被工人吸入，同时能够对烘干的墙纸进行导向限位，避免墙纸在移动时和装置的内壁接触，防止墙纸因刮蹭而破损。
一种墙纸印刷机烘干装置

[实用新型]自动清扫装置-CN202223407905.X有效
发明人：黄生;孙明光;章筠;汪明川;何海斌;刘振雄;周春 -专利权人：上海电气分布式能源科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种自动清扫装置，包括框架、第一行走组件、第二行走组件、第一距离传感器和第二距离传感器，第一行走组件和第二行走组件分别安装于框架的两端，用于带动自动清扫装置在光伏组件的顶壁沿第一方向移动；第一行走组件包括第一本体、第一驱动电机和第一行走轮，第一距离传感器和第二距离传感器安装于第一本体且与光伏组件的侧壁位置对应，第一驱动电机与第一行走轮传动连接，用于驱动第一行走轮正向或反向转动；第一距离传感器和第二距离沿第一方向排列，第一距离传感器和第二距离传感器用于测量第一本体与光伏组件的距离。本申请的自动清扫装置，解决了清扫设备由于遇到障碍物不能自动调正的问题。
自动清扫装置

[发明专利]碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法-CN202211118851.7有效
发明人：李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N型碳化硅外延层、铝P阱、N型纯硅外延层、第一硼P阱、第二硼P阱、栅极氧化层、多晶硅层、介电质层以及源极金属层，本发明的有益效果是：本发明在碳化硅外延片上将纯硅外延，下方碳化硅外延保有其耐高电场的优势，因此维持高压而低外延电阻的特性，上方纯硅的外延用以生长栅极氧化层以增加其稳定性及可靠度，纯硅在通道处的载子移动率并不像碳化硅容易受极性面影响，所以可明显的减少其通道阻值，此结构可同时将二材料特性做有效互补。
碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种钢材料、膨胀波纹管用钢及其制备方法-CN202010831159.3有效
发明人：刘晓丹;张海平;陶兴华;孙明光;胡彦峰;涂玉林;索忠伟;王甲昌;玄令超;张仁龙 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种钢材料、膨胀波纹管用钢及其制备方法，包括C、Mn、V和Fe，其中，以钢材料的质量计，所述C的质量含量为0.1‑0.3％，所述Mn的质量含量为1.0‑3.0％和所述V的质量含量为0.01‑0.04％。所述膨胀波纹管用钢通过上述的钢材料制备而成。本发明通过改变生产工艺，可以控制材料中软相铁素体和硬相珠光体的晶粒尺寸、显微硬度，从而拉开两相的强度差，降低屈强比。发明的材料具有屈服强度低，抗拉强度高，断后延伸率和均匀延伸率高，焊接性能良好的特点。可以很好的满足膨胀波纹管材料的性能要求。同时材料成本低、制造工艺简单，适合大规模生产。
一种钢材膨胀波纹管用及其制备方法

[发明专利]一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法-CN202310540946.6有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法。本发明包括提供外延层；在所述外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着所述沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积一层第一次碳掺杂氧化硅；在沉积一层第一次碳掺杂氧化硅后的沟槽内沉积源极多晶硅；在沉积源极多晶硅后的沟槽内沉积第二次碳掺杂氧化硅；对所述氧化层、第一次碳掺杂氧化硅、第二次碳掺杂氧化硅进行刻蚀；生长一层闸极氧化层，沉积闸极多晶硅；光刻得到P‑井区和N+井区；沉积一层介电层。得到的金属氧化物半导体将下方源极多晶硅的周围及上方的介质层以碳掺杂氧化硅做为屏蔽，能够同时优化了输入端及输出端的开关损耗，而又不影响既有的电压电流特性。
一种屏蔽沟槽功率金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法-CN202310594164.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、绝缘介质层、源极金属与钝化层；在第一屏蔽栅氧化层的中间夹有屏蔽栅P型多晶硅，在第二屏蔽栅氧化层的中间夹有P型多晶硅、N型多晶硅与控制栅多晶硅，N型多晶硅位于P型多晶硅的正面，控制栅多晶硅位于N型多晶硅的正面。本发明在芯片面积相同的情况下提高SGT器件的ESD防护能力，同时不影响SGT器件的开关速度与频率。
内置 esd 保护二极管 sgt 器件及其制作方法

[发明专利]一种三维超结LDMOS结构及其制作方法-CN202310793099.4在审
发明人： 孙明光;李振道;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维超结LDMOS结构及其制作方法。本发明包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；所述第二导电类型外延层表面在所述第一导电类型体区右侧设有超结区，在所述超结区中，设置有多层沿所述超结区竖向和纵向方向上交替分布的第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。本发明大大增加器件耐压层的掺杂，降低比导通电阻，从而实现更低的导通损耗。
一种三维 ldmos 结构及其制作方法

[发明专利]一种用于监测井下动态参数的系统-CN201811510067.4有效
发明人：宗艳波;曾义金;胡群爱;张卫;孙明光;孙峰;郑俊华;钱德儒;王磊;宋朝晖 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于监测井下动态参数的系统，包括：井下动态参数采集装置，其设置在井下随钻测量短节与钻头之间，用于获取钻具实时钻进过程的井下动态数据，根据井下动态数据进行井下振动分析计算，将该计算结果和井下动态数据进行整合，得到随钻监测动态信息并进行输出，其中，井下振动分析计算包括钻具粘滑严重度计算和钻具涡轮严重度计算；地面数据分析装置，其用于实时获取随钻监测动态信息，结合当前地面钻井参数，诊断随钻监测动态信息，分析钻具钻进风险，用以实时调整和优化钻井导向控制参数。本发明可避免钻具有害振动，提高机械钻速，延长钻头寿命，减少钻具失效，实现对井下提速工具和辅助工具的效率和效益评价，提高钻井效率。
一种用于监测井下动态参数系统

[发明专利]一种栅控Resurf高压LDMOS结构-CN202310376829.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;孙明光;李振道 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅控Resurf高压LDMOS结构，包括LDMOS结构，LDMOS结构中的栅控电极为双栅极结构，包括第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，LDMOS结构的P‑top层上方设有第一栅氧化层，且第一栅氧化层上方制作有第一多晶硅栅；LDMOS结构的沟道区上方设有第二栅氧化层，且第二栅氧化层上方制作有第二多晶硅栅；第一多晶硅栅和第二多晶硅栅均包覆在场氧化层内，且第一多晶硅栅和第二多晶硅栅通过栅极金属短接。本发明通过新加入的栅极，一方面使得LDMOS结构在关态下接近于一个常规关态Resurf LDMOS，另一方面通过在开态时将P‑top层开启，在漂移区内形成反型沟道以降低比导通电阻，从而实现更优异的“耐压‑比导”特性。
一种 resurf 高压 ldmos 结构

[实用新型]一种光伏板清扫机器人-CN202223435641.9有效
发明人：汪明川;周春;刘振雄;章筠;黄生;孙明光;吴佳骅;何海斌 -专利权人：上海电气分布式能源科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能光伏板清扫技术领域，公开了一种光伏板清扫机器人，用以解决现有技术中存在的行走装置的结构复杂、且行走精度不高的问题。该光伏板清扫机器人包括机架、行走装置、清扫装置；行走装置包括安装板、第一驱动电机、第一电机轴、行走轮轴、行走轮，安装板与机架连接，第一驱动电机设于安装板；第一电机轴与第一驱动电机连接，且第一电机轴的端部嵌套于行走轮轴内；行走轮轴穿设于安装板的第一安装孔中，行走轮轴通过第一法兰与安装板连接，且行走轮轴与第一法兰之间设置有第一轴承；行走轮套设于行走轮轴上；清扫装置设于机架，用于清扫光伏板。
一种光伏板清扫机器人

[发明专利]一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法-CN202310385852.6在审
发明人：朱伟东;赵泊然;孙明光;李振道 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于MOSFET器件领域，公开了一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法，包括屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，屏蔽栅沟槽型MOSFET结构中还包括P‑top层，所述P‑top层包覆在沟槽外侧的底部以及沟槽底部的两侧。本发明利用外延工艺将resurf技术中的P‑top层做入屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的漂移区中，使得屏蔽栅沟槽型MOSFET器件能够提升外延层的浓度从而降低其比导通电阻，进一步降低导通损耗。
一种基于 resurf 效应屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种分段式分离栅SGT MOSFET结构-CN202310381286.1在审
发明人：朱伟东;赵泊然;孙明光;李振道 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于MOSFET器件领域，公开了一种分段式分离栅SGT MOSFET结构，包括SGT MOSFET结构,SGT MOSFET内的分离栅结构设计为一列或者两列分段式分离栅，分段式分离栅设置在沟槽内的沟槽氧化层内，且位于沟槽内栅极氧化层的下方。本发明经过多次沉积与多次刻蚀将分离栅在垂直方向或水平方向上进行分段处理，在保证相同的耐压与比导通电阻前提下使得器件同时降低输出电容Coss与输入电容Ciss。
一种段式分离 sgt mosfet 结构

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