“光致抗蚀剂材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5178585个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]水蒸汽作为处理气，用于离子植入后抗蚀剂剥离中硬壳、抗蚀剂和残渣的去除-CN03147057.2有效
发明人： A·陈;罗素芸 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-08-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：水蒸汽作为处理气，从具有带图案的光致抗蚀剂层的衬底上剥离光致抗蚀剂材料，该光致抗蚀剂层曾作为离子植入掩模，其中该带图案的光致抗蚀剂层由覆盖在松光致抗蚀剂部分上的光致抗蚀剂硬壳加以限定。广义地说，水蒸汽可以更有效地剥离具有交联光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料，而不会使光致抗蚀剂硬壳爆裂，或者使松光致抗蚀剂底切。因此，水蒸汽作为一种安全、有效、而且经济的处理气，可用来剥离具有因离子植入而导致的光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料。
水蒸汽作为处理用于离子植入后抗蚀剂剥离硬壳抗蚀剂残渣去除

[发明专利]极性弹性体微结构及其制造方法-CN201780078835.0在审
发明人： R·G·曼利;K·梅罗特拉;B·J·帕多可;R·瓦迪;N·Z·哲勒夫;朱斌 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种制造极性弹性体的微结构的方法，包括：用包含极性弹性体的电介质材料涂覆基材；用光致抗蚀剂涂覆电介质材料；使光致抗蚀剂通过光掩模暴露于紫外(UV)光，以在光致抗蚀剂上限定图案；对光致抗蚀剂进行显影以在光致抗蚀剂上形成图案；对电介质材料进行蚀刻以将图案从光致抗蚀剂转移到电介质材料；以及从经过图案化的电介质材料移除光致抗蚀剂。
光致抗蚀剂电介质材料极性弹性体微结构图案蚀刻涂覆基材光掩模抗蚀剂图案化涂覆显影移除制造暴露

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]光致抗蚀剂材料的管路气泡监测装置-CN02142777.1无效
发明人：曾嘉豪;蔡毓通;蔡重德;林政毅;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G01N29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种管路气泡监测装置，适用于监测一光致抗蚀剂内部的气泡，包括至少一光致抗蚀剂槽、缓冲槽、泵以及气泡监测器。光致抗蚀剂槽用以提供光致抗蚀剂材料，缓冲槽用以储存光致抗蚀剂材料，泵用以推动缓冲槽所储存的光致抗蚀剂材料至一管路末端，气泡监测器设置于缓冲槽以及泵之间，用以监测光致抗蚀剂材料中的气泡，并于监测到气泡时，
光致抗蚀剂材料管路气泡监测装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210115728.3在审
发明人：蔡佳宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在基底上形成金属材料层。利用光掩模进行第一光刻制作工艺而形成第一图案化光致抗蚀剂层。利用第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，对金属材料层进行图案化制作工艺，而形成包括多个金属图案的金属层。移除第一图案化光致抗蚀剂层。形成覆盖多个金属图案的第一介电层。利用在第一光刻制作工艺中所使用的相同光掩模进行第二光刻制作工艺而形成第二图案化光致抗蚀剂层。第二图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料为第一图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料的反型光致抗蚀剂材料。利用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对第一介电层进行蚀刻制作工艺。移除第二图案化光致抗蚀剂层。
半导体结构制造方法

[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法-CN200810134017.0无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。
制造光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]使用光刻法和光致抗蚀剂制造制品的设备和方法-CN201880027797.0在审
发明人：安德烈亚·乔斯林·布宾多夫;安德鲁·大卫·贝斯特 -专利权人：卡拉汉创新有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种配置成使用包括光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂来制造制品的设备，该设备包括：a.壳体，该壳体构造成接纳光致抗蚀剂并将光致抗蚀剂定位在壳体中的至少一个操作位置中；b.曝光系统，该曝光系统配置成发射辐射，该辐射入射到处于操作位置中时的光致抗蚀剂材料上，以引起光致抗蚀剂材料的暴露于辐射的区域的一个或更多个特性的改变；以及c.加热器，该加热器配置成在光致抗蚀剂处于该操作位置中或处于壳体中的不同操作位置中时加热光致抗蚀剂材料以将光致抗蚀剂材料固化至基底；其中，d.壳体是排除辐射的，使得外部辐射不能进入壳体至少达到下述程度：将外部辐射从壳体充分地排除以防止光致抗蚀剂材料的聚合或者使光致抗蚀剂材料的聚合最小化，并且此外，其中，壳体是洁净壳体，该洁净壳体构造成至少在光致抗蚀剂处于该操作位置或每个操作位置中时防止不希望的污染物进入壳体
壳体光致抗蚀剂材料操作位置光致抗蚀剂辐射曝光系统聚合加热器洁净加热器配置抗蚀剂材料发射辐射台式设备制造制品加热光落地式最小化单层多层基底入射外部固化配置污染物接纳暴露生产

[发明专利]光刻方法及半导体器件-CN201110176517.2在审
发明人：于世瑞;孔蔚然;宗登刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据本发明的光刻方法包括：第一光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第一光致抗蚀剂层；第二光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第二光致抗蚀剂层；以及曝光步骤，用于利用掩膜对涂覆了第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的结构进行曝光其中，第一光致抗蚀剂层的材料的光敏感度大于第二光致抗蚀剂层的材料的光敏感度。
光刻方法半导体器件

[发明专利]蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物-CN03819178.4无效
发明人： Y·K·泰勒;W·阮;C·G·N·李 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法。该方法包括以含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料。然后进行晶片的主蚀刻。还公开了一种用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的图形的方法。该硬化方法包括提供含溴的等离子体并将光致抗蚀剂材料暴露在等离子体中，使得光致抗蚀剂材料下面的晶片的层不被蚀穿。在高密度等离子体处理装置中用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的等离子体组合物包括溴。
蚀刻工艺用于硬化光致抗蚀剂方法组合

[发明专利]形成图案的方法以及使用其制造液晶显示器件的方法-CN200610145259.0有效
发明人：李惠宣;吴载映 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法以及使用其制造LCD器件的方法，其中在不使用光致抗蚀剂剥离剂的情况下从基板上移除光致抗蚀剂层，从而可以以较低的制造成本形成图案，该方法包括在基板上连续形成图案材料层、转移材料层和光致抗蚀剂层；通过使用掩模的曝光和显影而对该光致抗蚀剂层构图；通过使用构图的光致抗蚀剂层作为掩模选择性地蚀刻转移材料层和图案材料层；和通过施加光的提升方法移除转移材料层和构图的光致抗蚀剂层。
形成图案方法以及使用制造液晶显示器件

[发明专利]修整光致抗蚀剂图案的方法-CN201010105786.5无效
发明人：林盈志;周珮玉;廖俊雄;冯郅文;张峰溢;蔡尚元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开一种于修整光致抗蚀剂图案的方法，以氮气做为蚀刻气体，并且以适当的蚀刻速率修整光致抗蚀剂图案，其方法如下：首先提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层，然后进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整图案化光致抗蚀剂层的边缘，最后，以修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻待蚀刻材料层。
修整光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]双镶嵌制造工艺-CN200710148156.4有效
发明人：陈柏仁;翁子展;陈建全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌制造工艺，包括：提供上面形成介电层的半导体衬底；在介电层上形成第一光致抗蚀剂层，第一光致抗蚀剂层含有对应沟槽图案的第一开口；在第一光致抗蚀剂层以及部分介电层上覆盖形成第二光致抗蚀剂层，第二光致抗蚀剂层包含小于该沟槽图案的第二开口，第二开口位于第一开口上方，且第二光致抗蚀剂层的材料特性不同于第一光致抗蚀剂层的材料特性；利用第二光致抗蚀剂层作掩模进行介质孔蚀刻工艺，以形成穿过介电层的介质孔孔洞；进行光致抗蚀剂灰化工艺以除去第二光致抗蚀剂层；并利用第一光致抗蚀剂层作为掩模进行沟槽蚀刻工艺，以在介电层上方部分形成沟槽；在同一腔室内进行介质孔蚀刻、光致抗蚀剂灰化以及沟槽蚀刻等工艺。
镶嵌制造工艺

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置-CN202080000006.2在审
发明人：刘宁;王庆贺;张扬;李广耀;宋威;李伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该方法可以包括：提供基板；在基板上形成有源层和覆盖有源层的栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘层的远离所述基板的表面上形成栅极层；在栅极层上形成包括第一光致抗蚀剂的第一光致抗蚀剂图案；在第一光致抗蚀剂图案上形成包括第二光致抗蚀剂的第二光致抗蚀剂图案；对栅极层执行第一蚀刻以形成栅极；以及使用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为掩模对栅极绝缘材料层执行第二蚀刻，以形成栅极绝缘层；其中第一光致抗蚀剂不同于第二光致抗蚀剂。
薄膜晶体管及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201710344344.8在审
发明人：陈彦豪;赖韦翰;王建惟;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明一些实施例提供提供光刻图案化的方法，包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光酸产生剂包含化学键合至硫的第一苯环与第二苯环，第一苯环与第二苯环更化学键合在一起，以增加光酸产生剂的敏感度；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。本发明提供敏感度增加的光致抗蚀剂材料，可增加光致抗蚀剂材料的敏感度。
光致抗蚀剂层苯环光酸产生剂敏感度光致抗蚀剂材料光刻图案化学键合抗蚀剂层曝光工艺聚合物光敏剂图案化基板显影

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条