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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710630826.X有效
发明人：廖志腾;陈志山;邱意为;夏英庭;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效晶体管装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成鳍，形成隔离区相邻于鳍，在鳍的上方形成虚设栅极结构，将相邻于虚设栅极结构的鳍凹陷，以形成第一凹陷，第一凹陷具有U形底面，U形底面在隔离区的顶面下方，将第一凹陷重新塑形，以形成重新塑形后的第一凹陷，重新塑形后的第一凹陷具有V形底面，V形底面的至少一部分包含一或多个阶梯，在重新塑形后的第一凹陷内外延成长源极/漏极区。
半导体装置制造方法

[发明专利]鳍型场效晶体管及其制造方法-CN201710979640.5有效
发明人：官琬纯;庄孟哲;邱意为;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种制造一半导体元件的方法，包括形成一长条半导体突出于一基板之上，形成隔离区域于此长条半导体的相对侧，使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将此隔离区域凹陷，以及，使用一第二蚀刻制程于此第一反应室中将此隔离区域的平坦度改善。
鳍型场效晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811419893.8有效
发明人：廖志腾;戴嘉成;翁子展;邱意为;郑志玄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：方法包括形成在衬底之上延伸第一高度的半导体鳍，在半导体鳍上方和衬底上方形成伪介电材料，在伪介电材料上方形成伪栅极材料，伪栅极材料在衬底之上延伸第二高度，使用多个蚀刻工艺蚀刻伪栅极材料以形成伪栅极堆叠件，其中，多个蚀刻工艺的每个蚀刻工艺均是不同的蚀刻工艺，其中，伪栅极堆叠件在第一高度处具有第一宽度，并且其中，伪栅极堆叠件在第二高度处具有与第一宽度不同的第二宽度。本发明的实施例还涉及半导体器件和方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]含氮材料选择性蚀刻方法-CN201710501602.9有效
发明人：邱意为;吴孟娟;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种含氮材料选择性蚀刻方法，供选择性自由基组成部分蚀刻暴露出的含氮材料。此方法包括将一基板设置于一蚀刻处理区域，在一等离子体区域产生一等离子体，将等离子体的含有自由基的组成部分流至蚀刻处理区域并实质上将等离子体的带电荷离子排除在蚀刻处理区域之外，使一未激发气体流入蚀刻处理区域，且以等离子体的含有自由基的组成部分及未激发气体的反应生成物蚀刻暴露出的含氮材料。
材料选择性蚀刻方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810837206.8有效
发明人：廖志腾;陈志山;邱意为;郑志玄;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法包括在衬底上形成鳍结构，其中鳍结构包括第一鳍有源区；第二鳍有源区；以及将第一鳍有源区与第二鳍有源区分隔开的隔离部件；在第一鳍有源区上形成第一栅极堆叠件，并且在第二鳍有源区上形成第二栅极堆叠件；以及通过第一干蚀刻对第一鳍有源区的第一源极/漏极区实施第一凹进工艺；实施第一外延生长以在第一源极/漏极区上形成第一源极/漏极部件；实施鳍侧壁拉回(FSWPB)工艺以去除第二鳍有源区上的介电层；以及实施第二外延生长以在第二鳍有源区的第二源极/漏极区上形成第二源极/漏极部件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110061415.X在审
发明人：沈晏廷;游家齐;廖志腾;林侑立;郑志玄;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件包括从设置在衬底上方突出的隔离绝缘层并具有沟道区的鳍结构、设置在所述衬底上方的源极/漏极区、设置在所述沟道区上的栅极介电层以及设置在所述栅极介电层上的栅电极层。栅电极包括在沟道区的顶部的水平面之下和隔离绝缘层的上表面之上的下部分，并且该下部分的宽度不是恒定的。本申请的实施例还提供一种制造半导体器件的方法。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110230667.0在审
发明人：林侑立;廖志腾;谢瑞夫;郑志玄;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极层；以及使用等离子蚀刻工艺来在等离子蚀刻工具中对栅极层进行图案化以在鳍上方形成栅极，其中，对栅极层进行图案化包括：在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的顶部射频(RF)源；以及在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的底部RF源，其中，在接通顶部RF源的第一时刻与接通底部RF源的相应第二时刻之间存在时序偏移。本发明的实施例还涉及一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法-CN201711044112.7有效
发明人：庄孟哲;官琬纯;邱意为;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：诸如蚀刻腔室门之类的腔室门可以在蚀刻工艺期间被加热，以例如防止蚀刻副产物粘附至蚀刻腔室门。然而，蚀刻腔室门的这种加热可能影响工艺参数并导致不均匀工艺，诸如整个半导体晶圆的不均匀蚀刻特性。诸如覆盖受到加热的门的表面的绝缘膜的绝缘体可以减少或消除热从门至诸如半导体晶圆的工件的传输，因此这减少或消除了工艺结果的不均匀性。本发明的实施例提供了一种半导体装置以及形成该装置的方法。
半导体器件处理装置形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110094617.4在审
发明人：谢瑞夫;廖志腾;陈志山;陈臆仁;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在制造包括Fin FET的半导体器件的方法中，在衬底上方形成沿第一方向延伸的鳍结构。在该衬底上方形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部从该隔离绝缘层暴露。在鳍结构的部分上方形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅极结构。在鳍结构的源极/漏极区的侧壁上形成鳍掩模层。通过等离子体蚀刻工艺凹进鳍结构的源极/漏极区。在该凹进的鳍结构上方形成外延源极/漏极结构。在凹进鳍结构的所述源极/漏极区的过程中，等离子体工艺包括以脉冲功率施加脉冲偏置电压和RF电压。本申请的实施例还涉及半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻-CN201711218718.8有效
发明人：林恩平;邱意为;翁子展;何文钟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种方法包括蚀刻晶圆中的第一氧化物层。在具有与晶圆重叠的顶板的蚀刻器中实施蚀刻，并且顶板由不含氧材料形成。该方法还包括在蚀刻器中蚀刻位于第一氧化物层下方的氮化物层，直到暴露氮化物层下方的第二氧化物层的顶面。然后从蚀刻器去除晶圆，当去除晶圆时，暴露第二氧化物层的顶面。本发明实施例涉及使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻。
使用具有不含氧材料形成顶板进行蚀刻

[发明专利]伪鳍蚀刻以在衬底中形成凹槽-CN201710596457.7有效
发明人：官琬纯;廖志腾;邱意为;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种集成电路结构，包括：具有多个半导体带的半导体衬底，由多个半导体带中的两个相邻半导体带形成的第一凹槽，形成在第一凹槽内的第二凹槽，以及提供在第一凹槽和第二凹槽中的隔离区。第二凹槽具有比第一凹槽更低的深度。本发明实施例还涉及一种形成集成电路结构的方法。
蚀刻衬底形成凹槽

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711169388.8在审
发明人：廖志腾;翁子展;邱意为;郑志玄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包含蚀刻基底以形成第一半导体条，在第一半导体条的第一沟道区上方形成第一虚设栅极结构，在第一虚设栅极的任一侧上的第一半导体条中蚀刻出第一和第二凹陷，在第一凹陷和第二凹陷中形成金属间掺杂膜，在凹陷附近将金属间掺杂膜的掺杂物扩散进入第一半导体条中，在凹陷中外延成长源极/漏极区。半导体装置包含半导体条和多个栅极堆叠，第一外延的源极/漏极区设置在这些栅极堆叠的前两个之间，第一掺杂物扩散区环绕第一外延的源极/漏极区，且具有第一掺杂物的第一浓度，其大于在第一掺杂物扩散区以外的第一掺杂物的第二浓度。
半导体条凹陷源极/漏极区半导体装置掺杂物扩散蚀刻栅极堆叠掺杂物掺杂虚设栅极结构金属虚设栅极沟道区基底制造环绕

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710243000.8在审
发明人：廖志腾;翁子展;邱意为;陈永传;左佳聪;林侑立;刘俊鸿;陈坤成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开提供一半导体装置的制造工具及制程以形成半导体装置。前述半导体装置的制造工具的边缘环包括高电子移动性材料以延伸电场及鞘层，而将鞘层的弯曲从半导体晶圆移开，因此降低或消除在蚀刻制程中因弯曲所造成的冲击。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造半导体集成电路的方法-CN201310407429.8在审
发明人：邱意为;翁子展;许立德;黄旭佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。提供了具有突起结构的衬底。在衬底上方形成覆盖突起结构的图案化的光刻胶层。将离子注入应用于衬底，包括应用于图案化光刻胶层，且图案化的光刻胶层的外层部分形成硬化部分。实施两阶段剥离工艺以去除图案化的光刻胶层。在第一阶段实施低温干蚀刻，以基本上去除图案化的光刻胶层的硬化部分。在第二阶段实施湿蚀刻，以去除剩余的图案化的光刻胶层。本发明还公开了制造半导体集成电路的方法。
制造半导体集成电路方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201010143361.3无效
发明人：邱意为;邱奕松;翁子展;何政昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造方法，此制造方法包括如下步骤：提供一半导体基材，该半导体基材包括：导电层；介电衬层；保护层；以及光致抗蚀剂层，且该保护层具有第一开口暴露该保护层的一部分；利用光致抗蚀剂层作为掩模，蚀刻该保护层的暴露部分，以于该保护层中形成第二开口，且暴露介电衬层的一部分；剥除图案化光致抗蚀剂层与移除介电衬层，借由于相同反应腔体内，与温度小于约120℃的条件下，进行一含氧等离子体干式蚀刻工艺与一含氟等离子体干式蚀刻工艺。本发明，其可以节省至少三次工艺的循环，此工艺较为简单且可降低工艺成本，可改善介面漏电流与隔离的特性。
半导体元件制造方法

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