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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体激光器-CN201910015103.8有效
发明人：林宏翔;刘佟;崔晗;蔡昭权;魏晓慧 -专利权人：惠州学院
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
半导体激光器

[发明专利]存储器装置-CN201510303005.6在审
发明人：崔贤民;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：沿着第一方向按次序布置的第一有源区至第四有源区，它们沿着与第一方向不同的第二方向延伸；第一栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，并且沿着第一方向延伸；第二栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，该第二栅电极沿着第一方向延伸，并且布置为使得沿着第二方向在第一栅电极与第二栅电极之间不存在其它栅电极；第一栅电极在第一端与第二端之间延伸；第一布线，其形成在第一栅电极上；第一带触点，其在第一有源区与第二有源区之间将第一布线与第一栅电极连接；以及第二带触点，其在第三有源区与第四有源区之间将第一布线与第一栅电极连接。
存储器装置

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210303405.7在审
发明人：颜逸飞 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、有源结构以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区、设置在第一有源区外侧的第二有源区、以及设置在第二有源区外侧的第三有源区。浅沟槽隔离设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。透过有源结构的第三有源区与第二有源区可强化半导体装置的结构稳定性，并改善周围的应力，避免半导体装置发生结构的倒塌或毁损。
半导体装置及其形成方法

[实用新型]半导体装置-CN202220676342.5有效
发明人：颜逸飞 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置，包括衬底、有源结构以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区、设置在第一有源区外侧的第二有源区、以及设置在第二有源区外侧的第三有源区。浅沟槽隔离设置在所述衬底中，围绕所述有源结构。透过有源结构的第三有源区与第二有源区可强化半导体装置的结构稳定性，并改善周围的应力，避免半导体装置发生结构的倒塌或毁损。
半导体装置

[发明专利]一种用于缺陷分类的光学检测方法-CN201410441473.5有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种用于缺陷分类的光学检测方法，通过设定一合适的缺陷检测设备的缺陷检测灵敏度，并调用该光学缺陷检测设备对灰阶化以及标识后的栅极、有源区和氧化层隔离区进行缺陷检测，并根据缺陷位于不同程度的灰阶判断缺陷在静态存储器的上对应的位置同时进行分类，因此，在线的光学缺陷检测能够根据缺陷在静态存储器的上面的位置进行准确全面的分类，从而可以对器件的失效模式的研究和缺陷的成因分析带了极大的便利
一种用于缺陷分类光学检测方法

[发明专利]光学器件上的部件的温度控制-CN201580039509.X有效
发明人：冯大增 -专利权人：迈络思科技硅光股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：该光学器件包括位于基底上的波导和位于基底上的光学部件。该光学部件是包括有源介质的光传感器或包括有源介质的调制器。该波导被配置成引导光信号通过该部件以使得光信号被引导通过有源介质。该器件包括从由以下各项组成的组中选择的一个或多个热量控制特征：将一个或多个热导体放置在有源介质的脊的横向侧上面；将热导体从有源部件内延伸到有源部件外面的位置；以及使在有源部件周界内的有源介质的脊成锥形。
光学器件部件温度控制

[发明专利]半导体存储器件的字线驱动器电路-CN201510454857.5有效
发明人：池性洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种字线驱动器电路，可以包括：第一有源区；第二有源区，在第一方向上与第一有源区间隔开，并在基本上垂直于第一方向的第二方向上与第一有源区间隔开；第一接触，形成在第一有源区和第二有源区中的每个的两端；第二接触，在第一有源区和第二有源区中形成在第一接触之间；以及栅极区，沿直线位于形成在第一有源区的第二端上的第一接触与第二接触之间以及形成在第二有源区的第一端上的第一接触与第二接触之间，逆时针围绕形成在第一有源区中的第二接触的部分，并顺时针围绕形成在第二有源区中的第二接触的部分。
半导体存储器件驱动器电路

[发明专利]一种有源区形成方法以及半导体结构-CN202111274807.0在审
发明人：黄鑫;吴家伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源区形成方法以及半导体结构，通过提供半导体衬底，该半导体衬底包括沟槽以及由沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区；在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂；在预备有源区的侧壁上沉积半导体层，以形成有源区。该方法通过在在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂并另外沉积半导体层，有利于扩大有源区，从而能够增加有源区与其他导电结构的接触面积，提高半导体器件的性能。
一种有源形成方法以及半导体结构

[发明专利]具有增强的衬底隔离的半导体装置-CN202210538868.1在审
发明人：李昭贤;文成洙;李载德;朱益亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：其中具有凹陷的衬底，该凹陷部分地填充有至少两个半导体有源区。该凹陷具有侧壁和底部，该侧壁和底部充分地衬有相应的衬底绝缘层，使得该至少两个半导体有源区与围绕凹陷的侧壁和底部的衬底电隔离。提供侧壁绝缘层，其作为至少两个半导体有源区中的第一半导体有源区和第二半导体有源区之间的隔离物延伸，使得至少两个半导体有源区中的第一半导体有源区和第二半导体有源区彼此电隔离。第一栅电极和第二栅电极分别设置在第一半导体有源区和第二半导体有源区中。
具有增强衬底隔离半导体装置

[发明专利]具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法-CN200510003584.9无效
发明人：赵俊熙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：形成在基片预定部分中的沟槽以及在所述沟槽下的第一凹陷区。场氧化物层被埋到所述沟槽和第一凹陷区两者中。有源区由所述场氧化物层限定，并且具有第一有源区以及第二有源区。后者具有形成在比前者低的有源区部分中的第二凹陷区。阶梯栅图案形成在所述第一有源区和第二有源区之间的边界区上。所述栅图案具有阶梯结构，其一侧延伸到所述第一有源区的表面，且另一侧延伸到所述第二有源区的表面。
具有增加沟道长度半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201380057473.9有效
发明人： L.科佐尔诺马兹;J.霍夫里克特;M.里克特;H.E.里尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种至少在光学应用中使用的半导体装置(1)，包括：以光学无源模式实质上可操作的至少一个光学无源组件(2)，以及至少一种光学有源材料(3)，该光学有源材料(3)包括至少一种以光学有源模式实质上可操作的材料，其中：该光学无源组件(2)进一步包括至少一个结晶籽晶层(4)，所述光学有源材料在至少一个所述光学无源组件(2)中提供的预限定结构(5)中外延生长以延伸至所述结晶籽晶层(4)的至少一个上表面(4‘)中，并且所述光学无源组件(2)被构成为包括至少一个无源光子结构(6)，其中所述结晶籽晶层(4)包括结晶晶片并且其中所述光学有源材料(3)包括下列项目中的至少一种：III‑V材料和II‑VI材料。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及器件-CN202010086223.X在审
发明人：金一球 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件，包括：有源区，于基板上，并限定了顶表面；和栅极结构，在所述有源区的截面中嵌设于所述有源区。所述栅极结构包括：导电特征，埋在所述有源区中并在所述有源区中达到第一深度，并具有第一宽度；绝缘帽，具有第二宽度，布置在所述有源区中的所述导电特征上方，并在所述有源区中达到第二深度；和电介质衬层，布置在所述有源区和所述导电特征之间
半导体结构器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201510245423.4有效
发明人：林孟佑;林时彦;李嗣涔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底；第一有源区，位于衬底上方；第二有源区，位于衬底上方；石墨烯沟道，位于第一有源区和第二有源区之间；以及第一面内栅极。在一些实施例中，石墨烯沟道、第一面内栅极、第一有源区和第二有源区包括石墨烯。本发明还提供了由单个石墨烯层形成第一面内栅极、第一有源区、第二有源区和石墨烯沟道的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其设计版图-CN202110545949.X在审
发明人：刘冲;卓明川;曹秀亮;伍思昕;金晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其设计版图，半导体器件的设计版图包括衬底和栅极，所述衬底包括有源区和隔离区，所述有源区包括垂直交错的第一有源分区和第二有源分区，所述第一有源分区的宽度为有源区的设计特征尺寸，第一有源分区将第二有源分区切断，且第二有源分区与第一有源分区之间的距离为一设定值；所述栅极设置于所述第一有源分区两侧的衬底上，且所述栅极与所述第一有源分区之间存在一设定距离。本发明中第一有源分区切断的第二有源分区在光刻后会形成连续的第二有源分区，以使光刻后有源区的光刻特征尺寸更接近有源区的设计特征尺寸，减少或避免因光刻特征尺寸过大导致的有源区和栅极连通，从而避免半导体器件漏电
半导体器件及其设计版图

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211583865.6在审
发明人：华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了半导体结构包括：沿第一方向堆叠设置的多个存储单元阵列块，每个存储单元阵列块均包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和所述第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，沟道区沿第一方向延伸；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一侧以及第二侧为有源柱阵列沿第一方向相对的两侧；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。
半导体结构及其制作方法存储器系统

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