[发明专利]半导体结构及器件在审
申请号: | 202010086223.X | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN113130492A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 金一球 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种半导体器件,包括:有源区,于基板上,并限定了顶表面;和栅极结构,在所述有源区的截面中嵌设于所述有源区。所述栅极结构包括:导电特征,埋在所述有源区中并在所述有源区中达到第一深度,并具有第一宽度;绝缘帽,具有第二宽度,布置在所述有源区中的所述导电特征上方,并在所述有源区中达到第二深度;和电介质衬层,布置在所述有源区和所述导电特征之间。所述第一宽度小于所述第二宽度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的