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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器-CN201410140797.5有效
发明人：邱运涛;尧舜;曹银花;王智勇;秦文斌 -专利权人：华芯半导体科技有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器，其在半导体增益元件外部搭建外谐振腔，外谐振腔内依次设置准直光学元件、光谱色散元件和耦合输出镜。半导体增益元件包含数个呈直线平行排列的有源增益区，在每个有源增益区的一侧镀有对激光波长高反射率的膜层，另一侧镀有对激光波长高透过率的膜层。准直光学元件位于半导体增益元件镀有高透过率膜层一侧的后方，其中心光轴方向与所述半导体光学增益元件发射出光束的中心光轴重合。光谱色散元件以一定角度放置于准直光学元件的后方。
一种具有大功率光束质量激光半导体激光器

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211586621.3在审
发明人：华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构，包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区；第一有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；和/或，第二有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。
半导体结构及其制作方法存储器系统

[发明专利]光电子器件设备，用于制造光电子器件设备的方法和用于运行光电子器件设备的方法-CN201480042122.5有效
发明人：阿恩特·耶格;迈克尔·波普 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：在不同的实施例中提供一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有第一光学有源结构，所述光学有源结构构建用于提供电磁辐射；测量结构，所述测量结构构建用于确定电磁辐射的光密度分布；其中测量结构构建用于确定在第一光学有源结构中的光密度分布，并且其中测量结构具有多个第二光学有源结构，其中多个第二光学有源结构构建为接收所提供的电磁辐射的光电器件和/或光电子器件。
光电子器件设备用于制造方法运行

[发明专利]反熔丝阵列以及存储器-CN202210923922.4在审
发明人：朱东波;黄铭辉;李宗翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种反熔丝阵列及存储器，反熔丝阵列包括：至少一列第一有源区，第一有源区包括：第一沟道区、第一源漏区与第二源漏区、第一编程区，相邻的两个第一有源区端部之间的间距大于相邻的两个第一有源区中心部之间的间距；至少一列第二有源区，第二有源区包括：第二沟道区、第三源漏区与第四源漏区、第二编程区，第二有源区朝向第一有源区的端部与相邻的两个第一有源区朝向第二有源区的端部之间的区域正对；第一栅线，覆盖一列第一有源区中的每一第一沟道区；第二栅线，覆盖一列第二有源区中的每一第二沟道区；编程栅线，覆盖一列第一有源区中的每一第一编程区以及一列第二有源区中的每一第二编程区。
反熔丝阵列以及存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310678744.8有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过对第一有源区执行离子注入工艺以形成第一掺杂区，所述第一掺杂区的上表面与所述第一有源区的上表面之间具有间隔；接着，执行氧化工艺，以使所述间隔转化成氧化层，从而改变所述第一有源区的有源区圆角的圆滑程度，使得第一有源区和第二有源区具有不同圆滑程度的有源区圆角；接着再刻蚀屏蔽层和氧化层，暴露出所述第一有源区和所述第二有源区，实现在同一半导体衬底上的不同有源区能够具有不同圆滑程度的有源区圆角。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的量测方法、系统、电子设备及存储介质-CN202210637071.7在审
发明人：刘凌海 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：包括：确定第一有源区和第二有源区在第四方向的偏移距离为第一距离；其中，第一有源区的第一端与位线结构重叠，第二有源区的第一端未与位线结构重叠；提取第一有源区的初始图像和第二有源区的初始图像，将第二有源区的初始图像沿第四方向平移第一距离与第一有源区的初始图像组合获得第一有源区的量测图像；根据第一有源区的量测图像的中心和与第一有源区重叠的位线结构的中心确定第一有源区在第四方向上相对位线结构的第一偏移矢量。本申请基于有源区的周期性排列，利用未被遮挡的有源区对被遮挡的有源区进行补偿，准确地确定有源区的两端的位置，以提高量测准确性。
半导体结构方法系统电子设备存储介质

[发明专利]基于有源-无源光学微腔耦合系统的片上可调谐光隔离器-CN201410342044.2有效
发明人：姜校顺;华士跃;常龙;杨超;肖敏 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有源‑无源光学微腔耦合系统的片上可调谐光隔离器，包括有源光学微腔（1）、无源光学微腔（2）、第一光纤（3）和第二光纤（4），第一光纤（3）和有源光学微腔（1）耦合，有源光学微腔（1）和无源光学微腔（2）耦合，第二光纤（4）与无源光学微腔（2）耦合。
基于有源无源光学耦合系统片上可调谐隔离器

[发明专利]包括横向延伸的有源区的晶体管及其制造方法-CN200610107425.8有效
发明人：赵珉熙;金志永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管，包括衬底和设置在衬底中的隔离区。该隔离区限定包括上和下有源区的有源区，上有源区具有第一宽度并且下有源区具有大于第一宽度的第二宽度。绝缘栅电极穿过上有源区延伸并进入下有源区。源区和漏区设置在绝缘栅电极的不同第一和第二侧上的有源区中。绝缘栅电极可包括设置在上有源区中的上栅电极和设置在下有源区中的下栅电极，其中下栅电极比上栅电极宽。说明了相关的制造方法。
包括横向延伸有源晶体管及其制造方法

[发明专利]高压MOS晶体管的制作方法-CN200610119162.2有效
发明人：蔡巧明;辛春艳;卢普生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层经过上述步骤，在辅助有源区进行两次同类型离子注入，提高辅助有源区的阈值电压，双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定性。
高压 mos 晶体管制作方法

[发明专利]一种MOSFET单元结构及其制备方法-CN202210615696.3在审
发明人：张炜虎;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOSFET单元结构及其制备方法，包括第一导电类型衬底、第二导电类型有源区及栅极，有源区包括呈圆形的第一有源区及与第一有源区同圆心的圆环状的第二有源区，且第二有源区的内径大于第一有源区的半径，栅极位于衬底上并与第一有源区为同圆心的圆环状，且栅极在衬底上的投影与第一有源区及第二有源区均相接触以在第一有源区及第二有源区之间构成沟道；本发明可便捷的改变器件的过流能力；可省去接触通孔所需占用的无效区域，在作为单个元件置于电路时设计尺寸和摆放位置更加灵活；整个栅极都位于有源区上，可避免在沟道宽度方向上因栅极和有源区边界的问题引起的窄沟道小尺寸边界效应。
一种 mosfet 单元结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011213310.3有效
发明人：陈兴 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中至少包括第一有源区，第二有源区和第三有源区，所述第一有源区的宽度等于所述第二有源区的宽度；形成屏蔽氧化层于所述衬底上，所述屏蔽氧化层覆盖所述第一有源区，所述第二有源区和所述第三有源区；形成图案化的光阻层于所述屏蔽氧化层上，所述图案化的光阻层暴露出位于所述第一有源区和所述第二有源区上的所述屏蔽氧化层；以暴露出的所述屏蔽氧化层为掩膜，对所述第一有源区和所述第二有源区进行离子掺杂，以在所述第一有源区和所述第二有源区中形成第一沟道，并移除所述图案化的光阻层。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括有源区的图像传感器-CN201910857496.7有效
发明人：李庚寅;朴圣根;吴先镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：包括有源区的图像传感器。图像传感器被设置为包括有源区，有源区包括：浮置扩散区、传输晶体管栅极区、晶体管有源区、和阱抽头区。传输晶体管栅极区可以具有隔离在有源区的第一角部中的浮置扩散区的对角状条形。阱抽头区可以位于传输晶体管栅极区和晶体管有源区之间，并且将传输晶体管栅极区与晶体管有源区隔离。
包括有源图像传感器

[发明专利]CMOS晶体管及其制作方法-CN200710094467.7无效
发明人：刘乒;马擎天;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区，PMOS有源区与NMOS有源区相邻；栅极，位于PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上；NMOS有源区栅极两侧的半导体衬底内形成有n型低掺杂漏极和n型源/漏极；PMOS有源区栅极两侧的半导体衬底内形成有p型低掺杂漏极和p型源/漏极，PMOS有源区的栅极两侧有偏移间隙壁及位于偏移间隙壁上的侧墙，NMOS有源区的栅极两侧有侧墙。使PMOS有源区与NMOS有源区的栅漏间电容值差距减小。
cmos 晶体管及其制作方法

[发明专利]带静电自保护的MOS管结构-CN202010359958.5在审
发明人：苏庆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带静电自保护的MOS管结构，通过场氧隔离沟槽将源区有源区或者漏区有源区划分为彼此错开互相咬合的特定形状，将从栅极到源区接触孔或者从栅极到漏区有源区接触孔的路径走向从传统的直线改为曲线走向，实现在较小的源区有源区和漏区有源区面积下增加从栅极到源区有源区接触孔以及漏区有源区接触孔之间的有效路径，或者是在相同的从栅极到源区有源区接触孔以及从栅极到漏区有源区之间的有效路径下减小漏区有源区、源区有源区的面积
静电保护 mos 结构

[发明专利]具有分隔有源区的半导体装置及其制造方法-CN201911101160.4在审
发明人：林韦志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有分隔有源区的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、多个隔离岛、源极区以及漏极区。所述衬底包括第一有源区、第二有源区以及多个分隔有源区。所述多个分隔有源区与第一有源区和第二有源区连接，并且与所述多个分离隔离岛交替设置。所述栅极结构包括主体部与多个延伸部。主体部设置在部分所述第一有源区上。源极区与漏极区分别位于所述第一有源区与所述第二有源区的所述衬底中。
具有分隔有源半导体装置及其制造方法

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