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[发明专利]光刻胶图形的灰化方法-CN201410310233.1有效
发明人：张海洋;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图形的灰化方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成至少两次光刻胶图形；每次形成光刻胶图形后，以相应的光刻胶图形为掩膜，对衬底进行离子掺杂，相应光刻胶图形中会掺杂入不同含量的掺杂离子；离子掺杂后，采用含有氢气的灰化气体灰化相应的光刻胶图形，掺杂入不同含量离子的光刻胶图形所采用的灰化气体中氢气的含量不同。本发明的有益效果在于，可以减小对衬底的影响；对光刻胶图形的灰化速率也相对较高；此外，增加控制灰化光刻胶图形的灵活度，调整灰化光刻胶图形的速率与灰化光刻胶图形的彻底程度。
光刻图形灰化方法

[发明专利]刻蚀方法-CN202010998512.7有效
发明人：程挚;朱红波;郭宜婷;李昌达;方晓宇 -专利权人：南京晶驱集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀方法，包括：首先，提供一待刻蚀层；然后，在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；其次，对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ；最后，以形成有所述光刻胶外壳的所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。本发明通过对图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，形成光刻胶外壳，能够减少图案化的光刻胶层在刻蚀过程中的衰减，以及增加光刻胶的厚度选择性。
刻蚀方法

[发明专利]一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质-CN202110712768.1在审
发明人：范泰安;韦亚一;粟雅娟;董立松 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
一种用于优化光刻工艺方法装置计算机存储介质

[发明专利]降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备-CN201210303978.6有效
发明人：胡林;王彩虹;陈蕾;鲍晔;周孟兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，包括判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量利用本申请所提供的方法，可以避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象
降低光刻图形缺陷方法形成设备

[发明专利]用于改进光刻胶图案化的方法和组合物-CN202211396246.6在审
发明人：陈亚伦;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：由酸产生剂组分产生的酸扩散到上覆层，例如，光刻胶层，并提供酸，使光刻胶发生化学变化，例如，改变光刻胶在显影剂溶液中的溶解度。扩散到上覆的光刻胶层中的酸增加了酸在光刻胶下部的浓度和浓度的均匀性。光刻胶内酸浓度增加的区域可以增加光刻胶在显影剂溶液中的溶解度，从而减少光刻胶的不充分显影。减少光刻胶的不充分显影可以减少显影完成后残留的光刻胶残留物或浮渣的量。
用于改进光刻图案方法组合

[发明专利]光刻胶涂覆监控方法-CN201010504710.X有效
发明人：于世瑞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶涂覆监控方法。根据本发明的光刻胶涂覆监控方法包括：光刻胶涂覆步骤，用于以第一光刻胶涂覆量在第一硅片上涂覆光刻胶；以及条纹检查监控步骤，用于检查光刻胶涂覆步骤所得到的第一硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。根据本发明的监控方法可以通过检查硅片表面是否存在条纹这一很简单的方式，来很精确地判断光刻胶涂覆量或者光刻胶涂覆体积是否足够，从而能够精确地控制光刻胶涂覆效果。
光刻胶涂覆监控方法

[发明专利]去除光刻胶显影后残留缺陷的方法-CN201711178203.X有效
发明人：吴杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工艺使光刻胶图形的尺寸缩小，结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。
去除光刻显影残留缺陷方法

[发明专利]通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法-CN201410286807.6有效
发明人：刘尧;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法。该方法解决了光刻厚胶工艺中，光刻胶侧壁难以实现具有底切结构的形貌的难题，同时具有成本低、实施性强等优点。根据本发明的方法包括：涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。
通过重复曝光改进光刻形貌方法

[发明专利]剥离工艺制备叉指电极的方法-CN202310325290.6有效
发明人：赵淄红 -专利权人：北京中科飞鸿科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：具体包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图形；（b）继续涂覆负性光刻胶形成第二光刻胶层，然后进行烘烤、曝光，再去除正性光刻胶图形，得到负性光刻胶图形；（c）在基片表面沉积金属层，然后去除负性光刻胶图形，得到叉指电极；其中，第二光刻胶层的厚度小于第一光刻胶层的厚度；正性光刻胶图形的侧面为正梯形形状。本发明利用正性光刻胶曝光显影后形成的正梯形的互补结构，得到倒梯形形状的负胶，既克服了正胶剥离残留的困难，也克服了负胶分辨率低的问题，能够得到质量高的叉指电极。
剥离工艺制备电极方法

[发明专利]纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法-CN201910032180.4在审
发明人：贺芳;尹东升;顾仁权;何伟;徐胜;吴慧利;李士佩;黎午升;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，属于显示技术领域，纳米图案的拼接方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行构图，形成对应衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区；减薄第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶；在衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层，压印胶层覆盖光刻胶去除区和与光刻胶去除区邻接的部分光刻胶保留区；以压印图案为掩膜，对光刻胶去除区的第一膜层进行刻蚀，本发明通过减薄第一光刻胶层上的光刻胶，降低了待图案化区域边界处的段差。
纳米图案光刻胶衬底基板光刻胶层拼接光刻胶去除保留区图案化区域光栅第一膜层压印图案压印板压印胶减薄重复执行边界处胶去除邻接段差刻蚀掩膜制作覆盖

[发明专利]一种制作T型栅结构的电子束光刻方法-CN201711091798.5有效
发明人：张鹏;杨眉;马晓华;郝跃;武盛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA‑MAA胶，PMMA‑MAA胶的灵敏度高于PMAA，光刻剂量低于PMMA；再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用PMMA‑MAA胶；三号光刻胶的烘烤温度低于二号光刻胶的烘烤温度；随后经过电子束光刻、显影以及剥离工艺
一种制作结构电子束光刻方法

[发明专利]自对准双重图形化方法-CN201210333003.8有效
发明人：胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种自对准双重图形化方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层中顶部和侧壁的光刻胶进行固化形成固化光刻胶外壳；对所述牺牲光刻胶层顶部的固化光刻胶外壳进行回刻蚀，直到暴露出未固化的内部牺牲光刻胶层，位于内部牺牲光刻胶层侧壁的固化光刻胶外壳形成第一掩膜图形；去除所述未固化的内部牺牲光刻胶层。由于不需要形成硬掩膜层，减少了工艺步骤，不会因为所述硬掩膜层产生的应力对牺牲光刻胶层的形貌造成影响，且所述第一掩膜图形是通过将固化光刻胶外壳的顶部去除后形成的，通过光刻工艺形成的牺牲光刻胶层的侧壁光滑且垂直于待刻蚀材料层表面
对准双重图形方法

[发明专利]使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置-CN202110980918.7在审
发明人：奇扶根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置。提供了用于形成光刻胶图案的方法和装置。在用于形成光刻胶图案的方法中，在基层上形成光刻胶层；沿所述光刻胶层的厚度方向对所述光刻胶层施加电场；以及在施加所述电场期间用极紫外(EUV)光对所述光刻胶层的部分进行曝光。一种用于执行形成光刻胶图案的方法的光刻装置可以至少包括曝光部和电场形成部。该曝光部可以被配置为用极紫外(EUV)光对光刻胶层的一部分进行曝光。该电场形成部被配置为对光刻胶层施加电场。
使用 euv 光和电场形成光刻图案方法装置

[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法-CN201710388630.4有效
发明人：高艳龙;秦双娇;马磊;尹灵峰;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；铺设第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；利用第一图形的光刻胶形成凹槽；去除第一图形的光刻胶；形成钝化层；铺设第二层光刻胶，并对第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，第二层光刻胶为负性光刻胶；利用第二图形的光刻胶形成第一通孔和第二通孔；对第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；利用第三图形的光刻胶增大第一通孔的容积；铺设电极材料；去除第二层光刻胶，形成设置P型电极和N型电极。
一种发光二极管芯片制备方法

[发明专利]通过电子束光刻利用单次曝光限定多层图案的方法-CN201310682235.9有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e-beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件
通过电子束光刻利用曝光限定多层图案方法