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[发明专利]垂直形貌修整-CN200680036913.2无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法-CN202110000533.X在审
发明人：唐明华;王薇;刘玉林;李刚;李正 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离，采用较薄的下层光刻胶作为底胶，以保证足够的底切和精确度较高的线宽；采用较短的曝光时间，减少了曝光过程中的干涉衍射现象带来的图形边缘扭曲问题；用氧等离子体清洗可以有效去除显影残留的光刻胶，保证图案的平直度，也有利于后续的去胶过程；较低温度的镀膜工艺可以保证光刻胶在镀膜过程中保持原有形貌；用专门的剥离胶去胶液加热辅助去胶，确保光刻胶完全剥离。
解决光刻工艺镀膜过程存在毛刺残留方法

[发明专利]图形化光刻胶的形成方法-CN201410081194.2在审
发明人：顾以理;夏建慧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：一种图形化光刻胶的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于1微米；对所述光刻胶层依次进行软烘和曝光；在所述曝光后的光刻胶层表面喷洒润湿剂，优化所述喷洒参数，在所述曝光后的光刻胶层表面形成润湿层；对表面润湿后的光刻胶层进行显影处理，形成图案化的光刻胶层。采用本发明的方法提高了对厚光刻胶的显影均匀性，并使其在不产生泡状缺陷的前提下大幅缩短形成图形化的光刻胶时间，提高生产效率。
图形光刻形成方法

[发明专利]光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法-CN200910201464.8有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光刻胶图案的修正方法和刻蚀方法。其中光刻胶图案的修正方法，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。
光刻图案修正方法刻蚀

[实用新型]一种光刻胶回收装置和涂布机-CN201320103774.8有效
发明人：李伟;刘富军;魏崇喜;朱杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻胶回收装置和涂布机，所述光刻胶回收装置包括：第一容器，用于与光刻胶的出胶口形成密闭空间，以接收光刻胶；漏气检测单元，用于检测所述第一容器的密闭性。所述涂布机具有所述的光刻胶回收装置。本实用新型的光刻胶回收装置的第一容器与光刻胶的出胶口形成密闭空间，使得光刻胶可以在不被污染的情况下进行回收，防止了光刻胶的凝结，可以应用到涂布机上进行光刻胶的回收。
一种光刻回收装置涂布机

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310617880.2在审
发明人：隋运奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和栅极的形成方法，所述半导体器件的形成方法中，在硬掩膜层上方的光刻胶层经图案化，形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，从而有效降低光刻胶图案表面粗糙度，之后，先以光刻胶图案为掩膜刻蚀部分所述硬掩膜层，去除光刻胶图案侧壁底部的光刻胶残留，之后对所述光刻胶图案进行紧致化处理工艺，固化光刻胶图案同时，在光刻胶图案表面形成修饰层，提高所述光刻胶图案侧壁表面的平整度，以提高后续以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀所述硬掩膜层后
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板-CN201810736189.9在审
发明人：胡重粮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：对多晶硅层进行处理，形成图案化的有源层；在有源层上形成P型离子掺杂区；在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板处理第二光刻胶层，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；将位于光刻胶完全去除区的有源层形成N型离子掺杂区；对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于光刻胶半保留区的光刻胶，对于光刻胶半保留区对应的有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶。有益效果：利用半色调掩膜板控制光刻胶的遮挡区域，更容易控制遮挡区域的关键尺寸及关键尺寸的均一性，防止发生漏电流过大的情况。
光刻胶源层保留区光刻胶层制备低温多晶硅TFT 半色调掩膜板遮挡区域阵列基板去除区漏电多晶硅层灰化处理轻掺杂区均一性控制光轻掺杂剩余光图案化漏极去除剥离

[发明专利]一种光刻胶喷涂装置及光刻胶喷涂方法-CN202211343346.2在审
发明人：岳军伟;陈成 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶喷涂装置及光刻胶喷涂方法，晶圆放置台，用于吸附所述晶圆并带动所述晶圆转动；圆盘状的喷头，位于所述晶圆上方且直径大于或等于所述晶圆的直径，所述喷头上均匀分布若干出液孔，用于向所述晶圆喷涂雾化的光刻胶由于光刻胶喷涂过程中均匀地分布在所述晶圆的表面，以较低的转速即可使堆积的光刻胶在所述晶圆的表面分散，以形成厚度均匀的光刻胶层；且由于所述晶圆的转速较低，转动过程中甩离所述晶圆的光刻胶的量也较少，可以有效减少光刻胶的损失，并有效缓解光刻胶甩离带来的所述晶圆边缘的光刻胶残留及光刻胶堆积，提高所述光刻胶层均匀性的同时节约成本。
一种光刻喷涂装置方法

[发明专利]应用于器件隔离的掩膜工艺及器件隔离方法-CN202311047792.3在审
发明人：赵常宁;钟海波;陈骆;伍佑辉;圣文治 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该应用于器件隔离的掩膜工艺包括：在外延结构上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层，第一光刻胶层和第二光刻胶层的材料不同；采用掩模板对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光处理，以形成曝光区；通过显影液对位于曝光区的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，以在第一光刻胶层上形成第一窗口，在第二光刻胶层上形成第二窗口，第二窗口在外延结构上的正投影位于第一窗口内。该应用于器件隔离的掩膜工艺能够在离子注入后便于去除光刻胶层。
应用于器件隔离工艺方法

[发明专利]一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法-CN201710018482.7有效
发明人：易旭东;孙晓雁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法，所述光刻胶层的图案化包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面上形成光刻胶层，所述表面能被氧化；获取所述光刻胶层在曝光前的实际等待时间；根据所述实际等待时间确定所述光刻胶层的实际曝光能量；以所确定的实际曝光能量对所述光刻胶层进行曝光，以形成开口或线宽的关键尺寸与设定关键尺寸一致的图案化光刻胶层。该光刻胶层的图案化方法在对光刻胶层进行曝光时，根据光刻胶层曝光前的实际等待时间确定实际曝光能量，以避免由于光刻胶层底部诸如氧化层等的厚度变化导致光刻胶层图案的关键尺寸发生变化。
一种光刻图案方法半导体器件制作方法

[实用新型]光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备-CN202220948140.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺由于受光刻胶外金属层的阻挡，去胶液很难与光刻胶接触，使得去胶时间长、效率低的不足，提供一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备，光刻胶去除用预处理装置包括低温介质供应装置和晶圆固定装置一，低温介质供应装置包括低温介质供应管路和低温介质源，低温介质源内的低温介质通过低温介质供应管路供应到晶圆表面，位于晶圆表面的光刻胶及位于光刻胶外的金属层在低温介质的作用下产生冷缩从而金属层与光刻胶间产生裂隙，从而能使光刻胶暴露出来，当用去胶液去胶时去胶液可以直接作用在暴露的光刻胶表面，无需费时渗透去胶液，因此，可以提高后续光刻胶去除的效率。
光刻去除预处理装置所用设备

[发明专利]光刻方法-CN201510629794.2在审
发明人：李健;胡骏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻方法，包括步骤在晶圆的待刻蚀层表面涂覆第一厚度的光刻胶；对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；烘烤后将光刻胶的表层去除，剩余第二厚度的光刻胶；去除后对剩余的光刻胶进行曝光显影，形成图形化的光刻胶；在所述图形化的光刻胶的保护下对所述待刻蚀层进行刻蚀。本发明使光刻胶内的有机分子充分键合，提高了抗刻蚀能力，光刻胶较为致密且均匀，具有更强的抗刻蚀能力，从而有效增加刻蚀后光刻胶的剩余量，防止刻蚀步骤对待刻蚀层的损伤，提高了器件的电学性能以及良率的稳定性。
光刻方法

[发明专利]柔性光刻胶软模板及其制备方法-CN201910160336.7在审
发明人：狄增峰;韩晓雯;高敏;王雅澜;吴宇峰;胡涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性光刻胶软模板及其制备方法，制备方法包括：1)提供牺牲衬底，在牺牲衬底上形成光刻胶材料层；2)对光刻胶材料层进行图形化曝光处理及显影处理，以在牺牲衬底上形成光刻胶图形层；3)采用腐蚀液去除牺牲衬底，以获得柔性光刻胶软模板；4)提供目标衬底，将柔性光刻胶软模板转移到目标衬底上。本发明可以制备出纳米尺度的柔性光刻胶软模板，可大大提高模板精度，本发明的柔性光刻胶软模板精度与光刻精度相同。本发明将制备好的柔性光刻胶软模板转移至目标衬底，不会造成目标衬底上光刻胶残留，保证了目标衬底的洁净度。
衬底光刻胶软模板制备光刻胶材料层光刻胶图形层图形化曝光刻胶材料纳米尺度显影处理腐蚀液胶残留洁净度上光光刻去除保证

[发明专利]降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法-CN201310195572.5有效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底硅片上沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成通孔结构和冗余金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿透第一光刻胶；在同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布微缩辅助膜SAFIER以固化第一光刻胶中通孔结构和冗余金属槽结构图形，加热使微缩辅助膜SAFIER与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除没有与第一光刻胶表面反应而剩下的微缩辅助膜SAFIER；在形成有隔离膜的第一光刻胶上涂布第二光刻胶,第一光刻胶的抗刻蚀能力大于第二光刻胶的抗刻蚀能力；通过曝光和显影在第二光刻胶膜中形成处于通孔结构内的金属槽结构。
降低冗余金属耦合电容优先大马士革互连方法

[发明专利]降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法-CN201310196254.0有效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底硅片上沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成通孔结构和冗余金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿透第一光刻胶；在同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布化学微缩材料RELACS以固化第一光刻胶中通孔结构和冗余金属槽结构图形，加热使化学微缩材料RELACS与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除没有与第一光刻胶表面反应而剩下的化学微缩材料RELACS；在形成有隔离膜的第一光刻胶上涂布第二光刻胶,第一光刻胶的抗刻蚀能力大于第二光刻胶的抗刻蚀能力；通过曝光和显影在第二光刻胶膜中形成处于通孔结构内的金属槽结构。
降低冗余金属耦合电容优先大马士革互连方法