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- [发明专利]半导体装置-CN201910120874.3有效
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下村纱矢
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-02-18
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2023-10-13
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H01L29/423
- 半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电部、栅极电极以及第2电极。导电部隔着第1绝缘部设置在第1半导体区域中。栅极电极在从第1电极朝向第1半导体区域的第1方向上与导电部相分离。栅极电极具有第1部分以及第2部分。第1部分隔着第2绝缘部设置在导电部之上。第1部分的下表面比第2半导体区域与第3半导体区域的界面的下端靠上方。第2部分在与第1方向垂直的第2方向上隔着栅极绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体区域以及第3半导体区域对置。第2部分的第2方向上的位置处于第1部分的第2方向上的位置与第2半导体区域的第2方向上的位置之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210768821.4在审
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下村纱矢;加藤浩朗;河井康宏;吉田裕史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-06-30
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2023-08-25
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H01L29/78
- 根据一实施方式,半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电体、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域的一部分之上。导电体经由绝缘部设于第一半导体区域中。导电体的下表面包含第一面和第二面,第一面平行于与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向正交的第二方向,第二面与第一面相连,且相对于第一方向以及第二方向倾斜。栅极电极设于绝缘部中,且在第二方向上隔着栅极绝缘层与第二半导体区域相对。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810762478.6有效
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下村纱矢;小林研也
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2018-07-12
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2022-08-12
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H01L29/78
- 根据一个实施方式,半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2电极、栅极电极、第1导电部及第2导电部。第1半导体区域具有第1区域及第2区域。第2半导体区域设置在第1区域之上,第3半导体区域设置在第2半导体区域之上。第2电极设置在第3半导体区域之上。栅极电极在第2方向上与第2半导体区域对置。第1导电部设置在第2区域之上,在第3方向上设置有多个。多个第1导电部在第2方向上与栅极电极并排。第2导电部设置在第2区域之上。第2导电部在第3方向上与栅极电极及多个第1导电部并排。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710377223.3有效
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下村纱矢;加藤浩朗;小林研也
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株式会社东芝
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2017-05-25
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2021-03-16
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H01L29/78
- 本发明的实施方式提供一种能够抑制寄生晶体管的动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1电极、第2绝缘部、第3绝缘部、及第2电极。栅极电极隔着第1绝缘部设置在第1半导体区域中及第2半导体区域中,且在第1方向上延伸。第1电极设置在第3半导体区域之上,且与第3半导体区域电连接。第2绝缘部在第1半导体区域中与栅极电极相隔,且在第2方向上延伸。第3绝缘部具有在第1方向上延伸的第1绝缘部分。第1绝缘部分在第2方向上位于栅极电极与第2绝缘部之间。第2电极设置在第2绝缘部及第3绝缘部之上,且与栅极电极电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202010095723.X在审
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下村纱矢
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-02-17
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2021-02-26
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H01L29/06
- 实施方式的半导体装置具有半导体部、所述半导体部的表面上的电极、和在所述表面侧的沟槽内设置的控制电极及场板电极。所述控制电极位于所述场板电极和所述电极之间。所述控制电极一体地设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜之间,该第一绝缘膜将所述场板电极及所述控制电极与所述半导体部绝缘,该第二绝缘膜将所述控制电极与所述电极绝缘。所述第一绝缘膜包括从所述场板电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部,所述第二绝缘膜包括从所述电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部。所述控制电极包括:第一部分,位于所述半导体部和所述第二绝缘膜的所述绝缘部之间;第二部分,位于所述第一绝缘膜的所述绝缘部和所述第二绝缘膜的所述绝缘部之间。
- 半导体装置
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